請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd
$ B8 o; P! N5 n: ]3 Q
  {3 b- ~( d2 W/ w! w& b0 o因為先前看過幾位畢業學長的layout
他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
7 l/ W. D) r0 @9 I/ t+ s不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
* E: L: L6 l' S$ `- o" ]  \7 I而是另外一個VDD比較好

* S- U) M. A/ C+ L- B1 B- z" b; U謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
% S0 z! W9 P/ L& X- ]9 D& C: Mdeep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
) [! \/ j! n4 e( j* Y8 r+ r但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。