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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
4 e7 V$ S" l' _4 k6 q" j那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:: o9 ^1 D/ [6 }3 }+ p) z6 u' f, l. n, y

8 j* X0 z) `1 b( f假設M1:M2=2:4
) t) `! [/ ?* C% b. \* x而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:+ z. n; p  ~1 _" U  w1 s3 ]
+ J  P2 @4 F) v) i) ~$ v
6 w" ~- r. ]8 f, l6 b: N1 F, B- ]
但是我個人不會這樣子lay9 c8 _5 \* G$ M
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):( O; A0 q1 T7 v0 b

6 Q- l# x, j1 O不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
( I3 i+ ^, T$ y/ M可以以中心對稱。$ W, M+ G6 M: S2 A- |' ]9 `  r- N

$ d8 o8 a" Y5 m% e# ^7 l但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
" J) I8 q" }! b4 j這樣的,但是M1的接線就有問題了。: R' U( @/ V" J6 V0 ~3 e

# m+ O$ s9 k! z. i; c# C6 N( e同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
/ M, t5 w% l; E2 o, WMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
7 ~( w3 N( b4 E" t3 v( E% A7 m
5 F7 E, O, F5 o* i- `  A他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
. z2 h* f  E9 @1 {- X7 F& E不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。) N8 F, Y+ s; w& x  H* x" i
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
8 H4 B6 k! |3 z$ _- k$ {; ?4 Q1 R$ L- n% W0 i. v  B. N4 v* u
7 n' @# |+ B& L% J- g5 @* B0 c+ x' Q
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。4 r4 z; K4 h4 y$ J( T3 T
他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12: T1 g: O! }  a, {, p
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
9 p! V3 f7 m9 W7 m6 F- d我的原案是
/ F7 N9 i' I5 t6 H2 L" w6 D. |  FM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY, |4 B8 k6 D  P, r  P/ }
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。3 z/ c# \# [( A5 z  r/ u# ^0 {3 m; B
我考慮是. s8 R3 j' Y7 p9 y4 f2 v  F
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4- p7 D, z; P/ W1 \: x5 P; i! o
有人有比較好的建議嗎?
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20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM/ @. r6 ^- \+ q0 l$ P# |  W
我再重貼一遍
7 x& l5 `: s1 N( k, e*********************************************************************************
! j, ?. d1 A. A) L# p2 i5 d6 w9 W各 ...

4 c* b+ @# d) R3 e, M0 b謝謝大大的圖文解說,受益良多
8 a8 l; a4 |0 P6 B, G
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解. S% J: _9 W" u1 B( P; U& c
只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@ ' X* C* M* E+ t/ z) z! B* N6 ?& Q
可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎
0 Q# a6 M$ o8 L3 X3 \& U$ P1 ^還是是我自己or 系統的問題
# d: _" q3 f+ f2 v" x/ V6 o謝謝
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。
& i7 v7 w  V* }4 j4 K2 U3 _+ M3 E6 S/ _
1 l- S1 K" a  |7 k: O* h

8 t6 b6 b. \6 S1 k$ u+ m4 DQQ?房器
3 g* H6 h$ }+ T  Q1 m7 o/ L
3 d7 l. y6 S9 z& {. Q0 z李??狂英?365句复?机外星版
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………* @5 J& G" p0 u3 W' o5 B) @
11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!
$ v# n/ t* D& v  f- x$ N1 _; ]在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份
1 O' K% b8 G, Z0 k' t它會除二,平均分給兩顆各一半一半* G% D. F3 ?- s/ B9 H
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
6 m3 @& m2 H5 ^0 H0 y,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在  }$ p5 g, U3 _3 G
做速度較快的電路時,差異更明顯,
% B# w# A3 R  qE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
8 Y- v8 I" }7 x& K* v8 A電容的萃取,都是單獨計算,會比較大  u% R- I# V9 v
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
( n" j" r/ D) |# Z, B& p而變慢,
! M' m3 b8 `* W5 U# j0 r所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
5 _+ [& X4 m; R: Z3 Kmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該* }: k0 @. a% V& x
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是% |3 d2 p8 w5 w1 i
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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sunwely + 3 你的經驗就是知識的來源!

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9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                  - k- ]/ G) Z! W( C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好
$ }( L6 L" Q4 _
2 a9 e# C( @! d9 s' K"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點
0 Z1 z( `6 ^3 O& [- ^1 l9 R
- @# L6 q) ~! a0 X. hE的match效果 從製程方面去看 算是比較好' h% X- C& `3 G' r

/ y% y# y4 o) j- T7 ~$ w不過 要用到2層M
9 [% @9 ]# G4 C
: s* a" U4 n7 F" w1 V% L是不建議 用POLY去做連線
6 i) e( B- o  I% e1 t1 `$ g% l+ |5 s* |3 U: x+ a
就算連接起來 最好 多打CONT
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好; y& ]: O0 p' _& F+ a) H6 H" J+ F- q
7 Z3 ^! L6 K- g4 H! v& m
可是為什麼大家都選C
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。7 R9 {# T, O' B
但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可
9 M; c$ f0 H0 i( u$ [一般我會用C,不考慮面積E也行
' A) A$ H6 K' C$ E製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)
# u2 H5 ^: P! ^" }match是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。' A1 ^- r$ @  C: W
或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,$ B3 J3 g  C1 T8 h# L
哪個誤差量最少,就使用哪一種。# [! j. d& L" d: i3 B8 h9 E" `8 y
2 O; P; ^7 d2 C  Q4 l3 N
[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
+ \7 ]! u. ~# ^' W: i) {*********************************************************************************
# U- s$ T. z" \8 q各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。/ U0 l$ a7 N' K4 h7 L
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
7 M: O$ }' n7 G1 v7 V% F; |+ ]8 ^- w
假設M1:M2=2:4
* |5 N. E1 P9 R, ]# p而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:& I8 W) c: ?8 L9 p6 m# ~
0 W2 I9 _7 n, `1 ?
, o0 G$ E! g+ k/ v% J- I
但是我個人不會這樣子lay
5 k5 a, {+ b- D( z. Q因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):, U. q  z0 x! G2 K% d
! C  O2 e% K' R6 ~7 w' W1 u) t
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE2 V$ _& X. s4 ]7 N/ M
可以以中心對稱。0 G! q& u# w9 |+ B% Z, p7 e- {& a
# U" l6 R* M, A4 {8 U+ _0 w
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)7 {$ {* V0 V# ^' d( h
這樣的,但是M1的接線就有問題了。
: E/ \5 W/ N+ `5 E. ]: o# k
( Q/ h; d/ N; {  v2 z1 ~同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
# n) R! }4 n# f% }8 o. D) jMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
  \9 `2 i0 N9 G1 c) ^
; j; G) ~  S) z3 y8 T他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
3 U4 @' p- r" K! [. B& a" P不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。3 G: k; b2 s) s; x; z
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。$ w' F  R8 d% v, U; J% e* l
0 D+ W" s5 V$ V' L5 C

8 ?+ ^1 G: {: J# B以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
  d; `8 b) z% r8 N3 x* D4 z! D' n他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
: x1 p, J5 G) S0 T, @(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
9 _. I! Z; L! o2 {3 K3 R# l& `5 G我的原案是
7 s  n3 P0 f3 q! K! v+ O9 Z' `M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
6 Y2 U: z* n% u& Y8 X因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。* V; `6 X1 d: k! z; l
我考慮是4 g8 _- C3 u1 m0 y3 ?1 b8 b( _  H) u3 F
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4$ e; U6 Y$ P/ Y8 x' Q( V) Q) ^
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~
; m. F, z3 q3 A3 E要修正一下喔
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