C方式在萃取RC時,共用S D的部份
1 O' K% b8 G, Z0 k' t它會除二,平均分給兩顆各一半一半* G% D. F3 ?- s/ B9 H
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
6 m3 @& m2 H5 ^0 H0 y,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在 }$ p5 g, U3 _3 G
做速度較快的電路時,差異更明顯,
% B# w# A3 R qE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
8 Y- v8 I" }7 x& K* v8 A電容的萃取,都是單獨計算,會比較大 u% R- I# V9 v
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
( n" j" r/ D) |# Z, B& p而變慢,
! M' m3 b8 `* W5 U# j0 r所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
5 _+ [& X4 m; R: Z3 Kmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該* }: k0 @. a% V& x
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是% |3 d2 p8 w5 w1 i
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |