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[問題求助] 關於電阻的設計

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1#
發表於 2009-5-22 12:17:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
在CMOS製程中
: a6 L  t' e' c6 o3 k大致上可以知道說阻值等於sheet resistance*(L/W)! v; `+ I. O5 r* b0 I) z, I
不過我有個問題就是L跟W值的選取
# w" E& h: M: q9 s* X- m假設我要讓L/W=23 G9 p7 D; \. Q- `$ z! a
我可以有很多種選擇 像是2u/1u 4u/2u ...等
& t4 }) ^+ ]& e7 {那請問一下這幾種選擇除了雜散電容造成的影響之外
: k  G" r: G+ o; E還會有什麼影響7 y1 h) g. u$ k2 _; K
謝謝指教
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2#
發表於 2009-5-22 15:30:16 | 只看該作者
Dear squirrel316,, m, ]# a& [/ M
Basicly, the W should big enought and has a low bond(usually 2u for above 0.35um).4 \. B( @& `, ]! p
If you using too small scale like 1um, the accuracy will be very poor.
' T/ `" h0 z- {+ dAnd it should be considered the eatch value.' E6 F( q9 m; H3 F8 U, K& s5 K
As a reference, the foundry resistor test key, was measured by 10u/10u or larger.
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