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刚刚图片不能显示,现在重发一下,图片在附件里.在下最近正在徬真一個一個低壓低功耗基準電壓源,如下圖所示
. r1 \# t" C' g. J2 d; O0 i% G) n6 d; {7 Z `) t% ?' |
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其中M1 M3是高Vth管子,工作在亞閾值區,其他管子均工作在飽和區。現在的問題是,電源電壓穩定性(LNR)很差,前仿结果在电源电压从0.8V∼2V变化时,输出Vref变化10mV左右,而论文的测试结果是,Vref在0.9V∼4V的电源电压范围内变化6mV。
8 V, ]# O2 s" r9 R; h0 q我所有的管子在我关注的范围内(電源電壓0.8V∼2V)都是工作在饱和区的(有两个必须在亚阈值区,但Vds均保证大于4×VT),我所有的管子的L均取10um,除了希望降低Vth之外也希望降低宽长比减小电流。有些管子的宽我取了250nm,也是为了降低vth和宽长比,这样就有了W/L=250n/10u这样的倒比管,不知道有没什么问题。。。。另外,由于我的电流取得很小(两个支路是26nA左右),不知道leakage的影响是不是很大?似乎前徬真的時候看不齣有漏電流。下面是我所有管子的参数,这个基准电压源结构是全MOS管实现的,无电阻无电容无BJT,总电流论文上做到了室温下40nA。我用的是chrt0.18的工艺,1 r/ ~+ K- z' i. m% G5 ]% F: K
M1:id=26.7nA W/L=10um/10um vth=497mv
7 ?' v# d& c6 W- u uM2:id=100nA W/L=1.145um/10um vth=336mv
* M% s& Z/ G- iM3:id=26.7nA W/L=2.85um/10um vth=487mv3 u* Z7 {* T/ d' M1 t# r W
M4:id=100nA W/L=220nm/10um vth=245mv6 ?, w# Q* h+ F V$ [" O( e
M5:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv. O& p- O# Q8 I1 _9 S7 t
M6:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv
* q# ^+ S0 U; n8 l8 f3 Q3 HM7:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv# z- W1 E. b+ R+ i' w! r1 w9 ~+ `7 s) x
M8:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv/ T2 r7 ?# p% e5 n
M9:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv5 U2 Z: }$ J, T2 C- A( u
M10:id=100nA W/L=4um/10um vth=321mv
6 [6 `/ }0 I2 W$ R, _3 J# _( iVgs1,2=400mV Vgs3,4=450mV Vgs5,6=-400mV Vgs7,8,9=-350mV Vgs10=438mV9 f0 [4 V3 D8 k( l
痲煩各位大大給點建議,怎樣纔能提高LNR。謝謝!% J* `% | X9 P3 d! }4 |+ q' p
c' j2 ^) S% \* }[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-12 11:29 AM 編輯 ] |
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