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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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23#
發表於 2016-1-19 22:25:50 | 只看該作者
大電流的地方就要45度6 j) A/ P. A. |: p
如果都是DC,那就免了
22#
發表於 2016-1-9 04:45:12 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多
21#
發表於 2012-5-13 20:52:54 | 只看該作者
感謝大大分享經驗~~學到很多
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
7 I3 Z4 S  m% Y5 Y. d7 l3 `: e我同學做SAR ADC因為速度慢
# j) B9 o+ [; {6 e繞線其實有接到就好了
( ?$ C" g8 R9 Y* x/ j+ Q直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
+ Z4 E( o) T5 Q- C7 L做sheilding保護敏感的訊號比較重要
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
* C% J5 s$ C0 C8 K  t9 q8 ^又學到好多事物
% ~4 ?' r# K4 w第一次知道layout可以90度以外
8 V  B$ u, ^" z. X謝謝!
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下$ p5 F- j& o; F! Y

& r, `0 E1 i- U2 Y  ~, n; X得到以下結論" P) q% F: _2 e  C  z$ `

2 ?! m' Q% t6 t( X  E& |目前的製程技術已經到哪邊了???
9 y: ^/ M0 S/ f& m, \你所需要的製程技術是否需要???0 R, q. @2 P- y4 |+ w3 G
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
9 e4 W; N" A9 [7 Y# y. x. m0 p3 A2 x; y' [8 R4 q% i
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
* i9 Y+ b1 f7 y- j% m; y% \: s2 @* ]
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
4 H) n& Y# {8 t0 \
# A" q4 ?$ i& B+ t1 L# Q( F/ K所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
& a7 B7 J* g8 T
+ E" p+ M0 ]$ o! e, _. b. I7 p3 S" V重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
0 ]# a, Q5 {9 V0 I
$ j) i5 x1 ?" |8 |1 k  Q如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 ) p1 O. H2 _6 n( i. X/ z2 t; h
1.DRC 檢查軟體運算時間++! J- `- d8 z2 N% r$ X# W
2.RC Extraction 不準 運算時間+++* N. D7 Q+ \0 H5 Q$ K& S1 T( y
3.P&R 時間 +++
/ r: p0 {! x: R: y. e6 p2 e4.最重要的原因 製程良率 ----" M9 ]/ `+ _- T) d

! a6 n( A& U; }& C# |. j% oCadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
# E' I& h7 ~! h" W/ b當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
+ }0 c: V& a. o8 k' i1 m所以 90度角 還是證明他的價值存在
3 x0 {1 M2 b2 Y( j: f5 V( G$ y2 ^' a; o
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況
+ m; @, T/ q0 B, C而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有* M; [3 v) o* e" _2 M) x& _
但是 45度斜角  有時是電流的關係
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
& N/ ^: g) H! `: }
! \$ m) N3 Y* VOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
6 V& U5 [" l4 R+ C5 ^, ?1 M1 T使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
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