PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？

Behzad

各位大大，我在参考以前的项目时，发现有用PMOS当作电容用，30um x30um，M=48。但是buck，source，drain接地，gate接高电位，挺让我费解的，要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人，说这种会引起latch up的问题，而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么，先谢谢啦。
& t6 Y3 \" T  T
PS：我用HSPICE run simulation，发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。

[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]

jeffshein

有句名言說  凡事留下來的絕不是偶然
: n0 I% ?# k5 W* m/ x2 P而被淘汰的  也非必然
  _3 t6 l' Q# l: p9 c既然要做電容 PMOS都是用在對VDD 而且需要NWELL
NMOS 都是對地 不需要NWELL 以單位面積的電容量來看
; P, e- c/ ?8 \6 @NMOS占便宜 不須拿PMOS來對地產生電容吧

aleck

嗯~~又學到了一種新的知識~~~
2 e6 ]6 Y2 S) j: N8 }" _4 ^1 H感謝各位大大的分享

heshufeng

不清不除的問題，卻有這麼多人在回答！
3 ?/ L; \8 Q! v! r9 y樓主說的版圖有很多種情況，沒有指明

hana84

can somebody explain how to latch up ？

savage1394

pmos的gate接正电位，bulk、source、drain接地，这样pmos工作在积累区，电容几乎就是栅电容的全部，有什么觉得奇怪，从来就是这么用的啊。如果换nmos，反而效果会变差，因为当VGS=VT的时候，mos总电容会突然变得极小，电容值不稳定。
0 @/ W  @( N% @1 O9 _) `还有，为什么说pmos电容这么接回容易latch-up？我没看出来？谁能画个等效电路。相反，我觉得所谓了AMOS，就是nmos做在nwell里，我到觉得他出latch-up的可能性极大，对照书上的latch-up示意图，一画就能画出来。

賴永諭

PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???
其它接法沒有做過ㄝ??????
% d0 L! `4 j! U3 Z8 \& Zthanks!!!

andrew_wee

15樓說得不錯，我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫，尋找一個結合點，來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊，希望哪位高手能指點一二。

liload

如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区

renzhq

其实mos做电容的时候，电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的，NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化，最终稳定。。。
Pmos电容的这个区间要比NMOS的小，但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。
% l/ s. n7 d; G% t6 y也可以把NMOS的栅接负压（好像不太常用。。。）这样会改善mos电容的线性度

hvpower

NMOS作到N WELL 上面 我覺得
5 l* x# z9 x9 q- |; ~" X  ^6 _* }. l不就是一個多晶- 襯底電容吧？

qweri

AMOS 一樣可分N跟P
3 g4 |; A$ q0 ?; F6 p; W
不同的WELL只是調他的Vt而已
照你的說法
. P1 A8 r) i( ^8 SNMOS ON NWELL
PMOS ON PWELL就可以了

也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了

alab307

我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,
' v- X/ s" A( p不過沒差, 原理差不多
4 `5 X/ Y- s  }; Q: e& U唯一有差的是A-MOS無法inversion,
' N8 I- V6 V  @/ ~5 ?; w所以偏壓在accumulation區域電容才比較大
3 a3 Q0 A# M2 M3 C! n: F% @
PMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容

Behzad

感谢您的回复。至于AMOS，我是根据一篇paper来看的，他所说的AMOS是指NMOS in N-Well，不是指pmos了。我贴上这个paper吧，供参考。
  a7 A; G, Q0 _2 o3 ?7 [% t/ J
- X4 G, S# }9 l  T) |( }# v3 t[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]

alab307

我再說一次
$ o- ]3 Y3 a; F6 c當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候
NW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
2 A! }1 @! }' l7 P) [1 e(如在NW累積正電, 稱做invertion)

只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容

qweri

同樣一個公式c=k/Tox
accumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低
+ s' F; `! E/ h可以看書中有圖
/ |, x/ _# |" M& Y  ]' Y) O
所以如果給的電壓夠正，雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容

amos我不知道你說的是不是depletion mode的
就是原本不加電壓時通道已經形成，加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉
* H" y/ q$ U8 d+ a我不知道這跟他的電容值有關嗎?
基本上我猜只會把他的整個cv curve shift，猜是只有Vt的變動
想不到什麼線性度問題，請問有書上有寫嗎，有寫原因嗎 謝謝

chinwei

不知道PMOS這樣接作電容的話，會不會有什麼問題??
7 K! q7 H/ }3 L/ p! c% C請各位賜教!!
; ^5 g: y9 |3 C! }9 _
PS. gate 接地，其餘的腳位接在一起，在接至某个正電壓。

Behzad

我想PMOS实现起来有点困难吧，因为gate下面好像不会形成channel啊？如果能形成channel自然一样，但是如果不能形成channel，我就有点担心。

Behzad

原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表
如果你有學過MOS CV-Curve就知道
4 Y; N3 b, j* w- r* w/ |3 h7 G此PMOS工作在accumulation區域
一樣有電容
$ i, ?4 e4 J! s2 x7 n
至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
2 V9 j% a$ q( f# p; }就小心一些, 也沒那麼容易啦

! L, W" a' T3 t# y我对这个不太明白，就我看到的文献来说，A-MOS是NMOS in N-well，对于PMOS，bulk,source，drain已经是最低电位，gate下面会invert?如果不能invert，那么这个能当作电容用的么？我对这块不太清楚，请继续指教，谢谢。

qweri

c=k/Tox
' k: U1 J9 m9 Y( Z  t5 n( u
& v1 u3 C/ R! U) [+ e用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?
不知道為什麼特別選P來做?