PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？

Behzad

各位大大，我在参考以前的项目时，发现有用PMOS当作电容用，30um x30um，M=48。但是buck，source，drain接地，gate接高电位，挺让我费解的，要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人，说这种会引起latch up的问题，而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么，先谢谢啦。

PS：我用HSPICE run simulation，发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。

[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]

jeffshein

有句名言說  凡事留下來的絕不是偶然
8 ^5 |% ^. ^2 U" X5 @" Q8 S而被淘汰的  也非必然
& v, J$ Y' L- B. i$ ?: o既然要做電容 PMOS都是用在對VDD 而且需要NWELL
8 K  w  l! o( W' p- I5 fNMOS 都是對地 不需要NWELL 以單位面積的電容量來看
$ R: h5 P% v' ?, Y9 JNMOS占便宜 不須拿PMOS來對地產生電容吧

aleck

嗯~~又學到了一種新的知識~~~
感謝各位大大的分享

heshufeng

不清不除的問題，卻有這麼多人在回答！
! _+ @$ W7 V' j2 X樓主說的版圖有很多種情況，沒有指明

hana84

can somebody explain how to latch up ？

savage1394

pmos的gate接正电位，bulk、source、drain接地，这样pmos工作在积累区，电容几乎就是栅电容的全部，有什么觉得奇怪，从来就是这么用的啊。如果换nmos，反而效果会变差，因为当VGS=VT的时候，mos总电容会突然变得极小，电容值不稳定。
还有，为什么说pmos电容这么接回容易latch-up？我没看出来？谁能画个等效电路。相反，我觉得所谓了AMOS，就是nmos做在nwell里，我到觉得他出latch-up的可能性极大，对照书上的latch-up示意图，一画就能画出来。

賴永諭

PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???
6 @( I2 n7 ^6 V' o. i: V2 b其它接法沒有做過ㄝ??????
9 ?) X- p* T4 k/ {4 B3 Xthanks!!!

andrew_wee

15樓說得不錯，我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫，尋找一個結合點，來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊，希望哪位高手能指點一二。

liload

如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区

renzhq

其实mos做电容的时候，电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的，NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化，最终稳定。。。
Pmos电容的这个区间要比NMOS的小，但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。
7 {7 c0 t, x! R也可以把NMOS的栅接负压（好像不太常用。。。）这样会改善mos电容的线性度

hvpower

NMOS作到N WELL 上面 我覺得
# j5 x% i/ d& g2 j* y  c& C不就是一個多晶- 襯底電容吧？

qweri

AMOS 一樣可分N跟P
& A) y6 f+ G0 w1 B$ R
不同的WELL只是調他的Vt而已
; H- Z$ Y' t# E  M照你的說法
NMOS ON NWELL
PMOS ON PWELL就可以了
! z% }# R5 Y9 S+ A1 {  t
也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了

alab307

我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,
不過沒差, 原理差不多
2 r. Q5 l) i1 |/ l唯一有差的是A-MOS無法inversion,
4 i7 n0 c5 ?, ^; t$ l所以偏壓在accumulation區域電容才比較大
  a1 u+ h0 u4 R
PMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容

Behzad

感谢您的回复。至于AMOS，我是根据一篇paper来看的，他所说的AMOS是指NMOS in N-Well，不是指pmos了。我贴上这个paper吧，供参考。

2 S& |8 W" Z, U3 q5 S( y8 _7 D' _[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]

alab307

我再說一次
當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候
NW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
) N( p& ?: x6 M; @( b' Q(如在NW累積正電, 稱做invertion)
! ?; _7 S, M) F- l3 i
只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容

qweri

同樣一個公式c=k/Tox
( Z2 l' S0 s$ S0 g4 baccumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低
可以看書中有圖
  G2 U  G* v. o$ W
# B2 g0 `  c) p9 Q) y所以如果給的電壓夠正，雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容

amos我不知道你說的是不是depletion mode的
) }5 S! B2 L; z6 @7 @就是原本不加電壓時通道已經形成，加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉
' Q7 M1 q7 m0 s4 \9 g) `8 w- c: t我不知道這跟他的電容值有關嗎?
基本上我猜只會把他的整個cv curve shift，猜是只有Vt的變動
+ a# V. V% z, }' V想不到什麼線性度問題，請問有書上有寫嗎，有寫原因嗎 謝謝

chinwei

不知道PMOS這樣接作電容的話，會不會有什麼問題??
請各位賜教!!

PS. gate 接地，其餘的腳位接在一起，在接至某个正電壓。

Behzad

我想PMOS实现起来有点困难吧，因为gate下面好像不会形成channel啊？如果能形成channel自然一样，但是如果不能形成channel，我就有点担心。

Behzad

原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表
: y- G% v% V5 B4 F! n: d如果你有學過MOS CV-Curve就知道
此PMOS工作在accumulation區域
3 ?: T; u1 y! ^0 I一樣有電容

至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
( W1 X+ L  c1 D& d; Q就小心一些, 也沒那麼容易啦

6 o% {  l  ~: f& W! A, l
我对这个不太明白，就我看到的文献来说，A-MOS是NMOS in N-well，对于PMOS，bulk,source，drain已经是最低电位，gate下面会invert?如果不能invert，那么这个能当作电容用的么？我对这块不太清楚，请继续指教，谢谢。

qweri

c=k/Tox
( s" `6 Q1 B2 [' V6 X
用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?
不知道為什麼特別選P來做?