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[問題求助] body端輸入,gain的算法?

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1#
發表於 2009-4-1 15:23:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
想請問一下,如果輸入訊號是由body端灌進去的,他的Gain的算法是怎麼求的?
& g7 Q. p) M' c4 V9 K+ Y' s$ \例如:如果正常從gate灌的話,gain就是gm*(ron//rop)

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7#
發表於 2009-6-17 16:35:12 | 只看該作者
從bulk灌電壓,主要是想在low VDD時,又想ICMR大,偷input pair的Vth。5 [* x: e. s4 q( _
假設VDD=1v,ICMR又想rail to rail,假設N、PMOS的Vth又降不下來,
) O# ^9 n$ P2 x' Efoundry又沒提供low Vth的device,用bulk driven是一種偷Vth的方法;3 D7 [$ L! x8 n
但也是有缺點,印象中好像是gain變小,從gm變為gmb去推導,也會有接面漏電流出現...
7 Y/ b7 R( k! B9 b9 s$ Q5 ?: j; x( V至於Vth能掉多少,大約是你偷Vbs的1/10。
4 D* y5 e  H$ O. _& e請各位指教了~
6#
發表於 2009-6-10 01:17:16 | 只看該作者
關鍵字應該是要找bulk driven; B; q8 s+ ]9 W4 K
通常是使用在low power的design
5#
發表於 2009-5-2 21:20:16 | 只看該作者
IEEE有很多篇關於從bulk端灌訊號的OPAMP# a! E& n% A: O  O
可以到IEEE搜尋鍵字多看幾篇paper
8 J+ A% k+ k- w6 ^% R0 R8 e應該可以找相關公式推導
4#
發表於 2009-5-2 18:58:46 | 只看該作者
g大是正確的- c' _) @6 \0 g$ M
去Hspice的output file找gmb值- ]7 L1 w& J0 s9 M$ l* Z9 L' K
但是這樣的schematic基本上是亂搞
( g' D2 Q- M" _9 l* c沒有人會從body灌信號
$ }) r# c; y# L$ k6 `8 s(gain很小  又有substrate noise   還要擔心會不會latchup  沒人會這樣做吧 )
3#
發表於 2009-4-13 18:45:18 | 只看該作者

body端輸入,gain的算法?

找出gmb.
- a" I7 r- Y1 Bgmb=id/vbs, gm=id/vgs ) U& a2 V9 f/ ?+ L7 e8 O
但不太懂為什麼要這麼做?
2#
發表於 2009-4-2 11:17:02 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

body电压从一阶效应看将会控制阈值电压vth
0 I/ N7 L$ J* C- ~4 }! [3 uvth=vth0+gamma*(sqrt(2*phi+vsb)-sqrt(2*phi))% q9 i! R* A) I; v
而Id=bata*(vgs-vth)^2*(1+lambda*vds)8 b& s# h7 h5 M8 `# d
gm'=d(Id)/d(vsb)" F3 i/ [& X3 X* |# c
因此gain=gm'*(ron//rop)
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