LC-VCO MOS選用問題

apiapia

想請問大家
一般做LC tank VCO時  
# ?6 \; D# N$ [) P0 U通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???

雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好
想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)

想問有經驗的人
在各方面trade off  後  
喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
                                                   謝謝指教~  Orz
# {# _, c: R# o
[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]

tom918273

你可以參考IEEE
( H/ V% m: O3 [. M( x" w6 `A. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
他有畫一張比較圖在1MHz時
% v8 V* Z8 b' t. ]$ HPhase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).
& M! o+ |) U5 yNMOS：看起來約為-115dBc/Hz
, I5 v3 @7 J6 B6 XPMos：看起來約為-120dBc/Hz 較好一點

macrohan

为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢？