spi 如何認到LDD MOS

腳踏

spi 裡面有LDD MOS
要如何描述
3 L" R" x, Y" V5 E2 u/ [, W例如
, N9 ~% a9 L) i- P, f3 _" n一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
( R6 d3 H4 F" f6 J& q! `
LDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　後面這裡要寫那一些
( v+ D! v8 F0 D# d+ K
% Q3 l+ ^; B: Z; d7 d/ N0 W才會讓ＬＶＳ時認到ＳＰＩ裡的ＬＤＤ　ＭＯＳ

moneling

更正上一則的回覆~
剛剛去查了一下 使用者手冊,發現有錯~ 趕快來更正一下 ^^"
請版大~幫忙把上一則刪掉,謝謝啦 ^^

1. 需要在 spi 檔內加入  
*.LDD

" J- i, D3 a) k2 需把 spi 檔內的元件的名字加入 $LDD( )
( L3 K8 T5 U$ G, s4 v$ X( E7 I8 Kex . M1 A B C D NMA $LDD(NMA) W=1u L=1u

3. lvs command file 裡也要做改變
以 calibre lvs 為例: lvs.cal 要把 DEVICE MN(NMA) 變成 DEVICE LDD(NMA)

LVS SPICE CONDITIONAL LDD  YES
- k0 ^4 o; @% @0 q. J2 a1 wDEVICE LDD(NMA) asy_nmos ploy_mos(G) diff_S(S) diff_D(D) PW(B)

5 N4 h0 r& W1 [. P1 u4.簡言之在 lvs 的LDD元件就是 MOS 的 Source/Drain 不能互換
6 Q- k2 Z8 M$ \2 ^5 D: u  ==> 要注意在 DEVICE 裡定義的 S 和 D 的位置 --> diff_S(S) diff_D(D)
  ==> 它不像一般的 MOS S/D 是可以互換的
6 g/ b8 N1 T4 A$ Z  ==> 通常使用在非對稱 MOS
  在這邊的元件~也是製程上有LDD (Lightly Doped Drain) 的元件

腳踏

原帖由 wiwi111 於 2009-3-23 09:58 PM 發表
/ a( c9 l/ e/ O0 q0 ~3 B! y7 H
你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
* C2 a6 @) o$ }2 U8 Q8 [旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
8 H+ H2 u7 U7 m$ l這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
: _8 {4 t5 x. lNA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLO ...

" }4 O2 ^# T* m5 c1 Z# h5 o: r
5 J; E% q1 a' l5 C9 c試一下在SPI裡加上宣告*.LDD
  b! T: F! i; u/ [8 x/ m. c就可以認到LDDMOS
謝謝大大的幫忙

wiwi111

原帖由 linger809 於 2009-3-23 09:35 PM 發表
我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的， ...

, N3 T( F1 n: b! ~+ F! I3 N你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
2 l% ^, i, Z5 u$ ?, W- j* g旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
+ [3 G( Y, R5 I. DNA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLOBAL)那須加 .LDD 宣告

[ 本帖最後由 wiwi111 於 2009-3-23 10:04 PM 編輯 ]

linger809

我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的，如我們的pwell一樣是運算齣來的。

m851055

一般 的MOS
% ]+ r9 `. E( C8 n' e6 B0 bM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1 -->PMOS
! [) ?" s; k! p
2 _5 R1 v5 d/ U- T' ~, E4 H- W% tLDD MOS
8 Q/ ]$ v8 B' z3 V. D  L7 ]) yM1 xx xx xx xx LDD vdd vss m1=1

skeepy

MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
LDDMOS是啥東東？DMOS倒是有用過。

m851055

是否Dummy layer未繪製，道致未認出LDD MOS

腳踏

原帖由 qetuo852 於 2009-3-20 02:28 PM 發表
不好意思...我想請問一下
# A3 c  A4 C; x: q0 Q大大你是在問問題 還是 分享??
3 l5 `5 ?& B9 F) A) E6 f* {
假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

一般 的MOS
3 B: s& P$ M* I6 |3 D! h# CM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
3 T; }1 f: G2 i
LDD MOS
: e$ c- @8 a! l; K- Q6 g8 u! w* ]M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  ...

+ J6 ]- F; @: H+ v5 T' @% o% J" H
這樣子的SPI在DRACULA執行LVS 不會認到LDD MOS 所以才會上來問

qetuo852

不好意思...我想請問一下
大大你是在問問題 還是 分享??

* o# [( J: B7 }假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??
7 ^3 u5 y% C* F9 u
一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1

LDD MOS
/ {, g5 f, J5 l( `- d0 TM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  後面這裡要寫那一些
1 H8 ?! d8 F7 ^5 K
, R( O9 o/ j9 q$ t還是...??
% ]  d" P8 V/ l( ]  U3 e
$ z' }1 l6 y$ P1 A6 [如有錯誤..請糾正一下~
  x% o: j/ ?: }4 @1 Y3 a4 Cㄧ起分享學習，希望有幫助到
6 ?8 b7 O; v# v4 ^+ }謝謝