DRAM產業整合能否成功的關鍵？到底引進哪家技術較好？哪家真誠意履行技術移轉承諾？

chip123

工商時報社論----DRAM產業整合能否成功的關鍵

,,,第三，政府的目標在於引進關鍵技術，進一步落實技術自主。要做到這點，必須要先評估美光或爾必達兩者技術那一個好，以及美光或爾必達是否誠心誠意履行技術移轉的承諾，而且國內業者也要培養自己的研發團隊。核心技術的取得，不是靠購買國外技術即可得到，而是一步一腳印，培養自己的研發人才，才有機會達成，據瞭解國內已有業者一直堅持與國外公司共同研發，培養自己的研發團隊，以落實技術自主的目標，善用此一基礎，並繼續深化，將是正確的落實生根方法。問題在於，國外業者現在陷於財務困難時爽快答應的條件，以後極可能置之不理，或其母廠賣給台灣之後，有經驗的研發人員大量流失，則下世代或下下世代技術能否傳給台灣DRAM公司，即大有疑問...

james5168qoo

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amatom

因應日本爾必達公司聲請公司更生程序，經濟部設單一窗口協助國內相關業者
發布單位 工業局   發布日期  2012-02-29 下午 08:30
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為因應爾必達公司（Elpida）於101年2月27日向東京地方法院聲請公司更生程序案，經濟部持續密切注意，並由工業局設立單一窗口以協助國內業者。
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經濟部表示，經研析爾必達公司對外之說明及蒐集之相關資訊進行研判後，該公司可能朝企業重整並依既有團隊運作之方向進行，其生產短期不致有太大影響。惟由於國內部分相關廠商在DRAM代工製造、封測等相關領域與爾必達公司有合作與供應鏈關係，經濟部除呼籲國內相關廠商仍應做好保護債權與公司權益措施外，如業者因面臨應收帳款等財務問題需經濟部協助，經濟部將以單一窗口協助業者透過相關機制協調並予以協處，俾減少中下游產業廠商可能受到之影響。
; V6 a2 V; Y, P- R7 k) R* z; f經濟部表示，美日均向我國表達持續合作之意願，我國推動台美日三方DRAM產業合作之方向維持不變。

amatom

申請破產保護一舉雖為爾必達防止資金鏈立即斷裂的緩兵之計，然而，無論爾必達能否重整成功，此舉將會對爾必達未來銷售與市佔率造成不利影響，亦會對全球DRAM產業版圖造成變化。柴煥欣認為，最顯著影響即為2012年三星於全球DRAM市場市佔率將有可能因此超過50%，不僅會讓三星對全球DRAM市場價格變化影響力提升，讓其他DRAM業者面臨苦戰外，同時亦會讓如華碩、宏碁等系統業者於DRAM成本受制於三星。

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amatom

(台北訊) DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，受DRAM價格自2011年第1季持續性下滑影響，加上日圓匯率亦持續升值加重成本負擔，全球第3大DRAM供應商爾必達(Elpida)在歷經連續5季虧損後，終於無法支撐，於2012年2月27日無預警申請破產保護，並將進行重整。

事實上，爾必達於2012年主流製程已由45奈米製程升級至38奈米製程，且20奈米製程也已近研發完成階段，原預計於2012年下半導入量產，對於如TSV 3D IC等次世代DRAM技術研發亦不遺餘力，製程技術水準更直逼三星電子(Samsung Electronics)。
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5 M: B. l6 l' {6 [柴煥欣分析，2011年爾必達於全球DRAM市場市場率達13%，Mobile DRAM全球市佔率亦達17%，皆為全球第3，若此次爾必達經過重整仍無法渡過難關而退出，勢必會對全球DRAM市場版圖變化造成相當程度的改變。

  {" [4 ?% V1 p4 g0 p; f2 w爾必達生產鏈遍佈日本與台灣兩地，其中，包括力晶、瑞晶皆為爾必達位於台灣前段製程合作伙伴，而力成與華東科技則為爾必達後段封裝測試的合作伙伴。另外，晶圓代工大廠聯電亦與爾必達、力成策略聯盟，共同於TSV 3D IC技術進行研發。因此，爾必達若重整失敗，亦將對台灣半導體廠商帶來相當程度影響。

mister_liu

在降低成本方面，爾必達已訂立2011年底將提升30奈米與25奈米等先進製程佔產能比重至60~70%目標，不僅如此，亦將擴大採購原材料或設備以美元計價比重，並提高研發效益，以提升成本競爭力。
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在調整生產體制方面，爾必達計劃擴大於台灣生產比重；在運用智財權優勢方面，其將透過專利授權、技術移轉等方式以提振收益。整體來看，DIGITIMES Research認為，爾必達掌握DRAM較先進製程等優勢，在其持續提升成本競爭力下，如DRAM價格回穩，仍有機會較台廠提前轉虧為盈。

mister_liu

DIGITIMES Research：3Q’11虧損加劇　爾必達計劃調整4方向以提升獲利能力
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(台北訊)日廠爾必達(Elpida)現居全球第3大DRAM廠地位，DIGITIMES Research觀察其2011年第3季營運表現，不僅營收僅641億日圓，為近7季最低水準，且營業損失與淨損更分別擴大至447億日圓與489億日圓，為近4季最大虧損金額，主因該季平均銷售單價(Average Selling Price；ASP)較第2季大幅下滑37%所致。
( A4 e! r6 R5 v  V; @
DIGITIMES Research分析，為改善虧損狀況，爾必達計劃自順應市場動向、降低成本、調整生產體制，及運用智財權優勢等4方面著手提升獲利能力。
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- V1 O% L) e& q) ]9 K在順應市場動向方面，爾必達計劃將其相對於2011年第2季的產量，減產幅度將自第3季的20%擴大至第4季的25~29%，將為15萬片(爾必達廣島廠加瑞晶合計月投片數)，並大幅提高4Gb DRAM產能，以分別因應DRAM供過於求，及4Gb DRAM將成Ultrabook等消費性電子搭載主流等市場動向。

tk02561

UBM TechInsights 現正提供四大 DRAM 製造商七種製程分析合輯的限時優惠。這些報告每本定價 22,900 美元，2012 年 10 月 31 日前可用 25,000 美元購得七本報告的全集。

瞭解爾必達 (Elpida)、海力士 (Hynix)、美光 (Micron) 和三星 (Samsung) 現有的製程技術、設計規則和記憶體單元配置。這本合輯中的裝置包括：

Elpida J1108BFBG 1Gbit 65nm DDR3 SDRAM with Buried Wordline Technology

Elpida E1108AEBG-8E-F 68nm 1Gb DDR2 SDRAM

Elpida J1108BASE-MHN-E 70nm DDR3 SDRAM

Hynix H5PS1G83EFR 54nm 1Gb DDR2 SDRAM

Micron MT47H128M8HQ-3:G 68nm DDR2 SDRAM

Samsung K4T1G084QD-ZCE6 68nm 1Gb DDR2 SDRAM

Samsung K4T1G164QE 56nm 1Gbit DDR2 SDRAM

這本合輯內的資訊可幫助研發經理、工程師和相關技術人員：

- 追蹤關鍵創新技術；
/ f6 ^/ o5 \2 S1 m9 r' M# w0 A      - 減少新製程和設備的投資風險；

- 減少製程開發支出

- 協助技術及相關資源投資的商情決策

欲購從速！限時優惠，機會不再！

globe0968

發布日期 2011-09-17 上午 10:00
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經濟部近來核定通過「爾必達-瑞晶后里技術研發中心計畫」，該計畫重點主要是借重其製程模組、元件及整合相關技術發展40奈米以下4F2架構下之記憶體製程，以透過技術移轉、學研界共同開發及人員訓練等，促使我國廠商有機會掌握自有關鍵技術，並提升我國在DRAM產業技術之國際地位。

% X2 K0 ]2 ^3 B2 i" k先前為因應全球金融海嘯之衝擊，DRAM廠商大多採取策略聯盟方式，日商爾必達(Elpida)亦積極與台灣廠商接洽，更與力晶科技合資設立瑞晶電子，此舉係爾必達首次於海外進行DRAM製程技術之研發。爾必達以其優異之DRAM研發技術實力，結合瑞晶電子所具備之產能規模、生產效率、成本控制能力及研發人力等優勢，再加上台灣力晶科技及華邦電子等公司傑出之商品化能力，透過該研發中心所建置之平台，形成具競爭力之聯盟，並可望進一步帶領台、日企業聯手整合上下游供應鏈，以共同提升兩國產業競爭力。
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經濟部自民國91年以來推動「鼓勵國外企業在台設立研發中心計畫」，本計畫係配合國內產業技術發展趨勢與需求，爭取國際大廠及研發機構來台設立研發中心，以強化研發創新體系國際連結，提升重點領域之前瞻技術開發，並厚植高階研發人力，目前已促成35家國際大廠與研發機構來台設立50家研發中心。因應日本311震災，經濟部加強鼓勵日商引進關鍵技術，以擴大在台研發投資，分散其天然災害風險，故今年將重點推動地區調整為日本及歐盟。

jiming

(20091012 11:55:46)經濟部推動「動態隨機存取記憶體（DRAM）產業再造方案」，係因台灣DRAM業者過往以取得國際大廠技術授權方式代工生產的經營模式，在金融風暴影響下產生經營困難，政府爰積極研擬創新作法以解決技術扎根、產業競爭力提升問題，並期能有效發揮過去幾年DRAM產業大量投資產能，發揮產業再造效益。
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( b' [3 P  I5 O6 j* @2 T動態隨機存取記憶體（DRAM）產業再造方案推動過程，產業界或輿論報導或有不同意見或建議，惟社會大眾對於政府謀定而後動，審慎研議推動作法，以及產業技術扎根之方向，大部分均表達支持之意見。目前，DRAM價格雖然已有上升，金融海嘯之產業影響已漸漸有所回復，但是，我國DRAM廠商仍然必須支付每年新台幣200多億元的技術授權費用，賺取微薄之代工利潤，產業技術扎根的理由仍未消失，所以，政府部門仍將賡續推動DRAM產業再造方案。
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至於，該社論所言，由於當局規劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達合作，引起美商美光公司狀告美國參議員，將要求美國政府貿易干預一節。由此一報導可觀察到，美光公司對於台灣政府進行DRAM產業再造方案，推動產業技術扎根之作法，可能造成該公司全球競爭市場之威脅，是相當重視的；另一方面，產業再造方案推動設置之TMC公司，目前仍在投資審議階段，將來若投資爾必達公司，在產業界與一般推動國際策略聯盟及合作之方式並未有所差異，與產業間涉及不公平貿易或公平競爭原則等議題相關性甚低，工業局感謝各方意見善意提醒，並將納為未來推動DRAM產業再造方案之重要參考。
截至目前為止，經濟部推動DRAM產業再造方案已有台灣創新記憶體股份有限公司提送營運計畫書，其餘公司雖表達申請意願，惟未正式送件。

sunny.yu

TMC改叫台灣創新記憶體公司 還未正式公司登記
2 J- O5 a( r+ V: ~8 z( ]鉅亨網
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肩負整合台灣DRAM產業再造的TMC，已經不叫台灣記憶體公司了，因為TMC召集人宣明智向經濟部商業司洽詢公司名稱登記時，竟發現「台灣記憶體公司」早在2004年就被桃園平鎮一家公司所登記，這樣到底該叫什麼名稱呢？經濟部工業局決定替TMC正名，要改稱為〈台灣創新記憶體 ...

chip123

為徹底解決國內DRAM產業所面臨之問題，政府自去年起即積極研商對策，並且深切了解如僅採用傳統提供現有企業營運週轉金方式，或可解決一時業者困難，但如未能解決掌握技術及市場等基本問題，即便可度過本次金融海嘯，但面臨下次衝擊時依舊充滿危機。因此政府希望能夠進行產業結構調整，建立產業自主技術，擺脫以往授權生產之模式，並透過產業再造避免國內DRAM廠商大量生產削價競爭，使產業未來具有國際競爭力。
" p- S& m8 T+ W
' ?) r* I7 l, E0 V是故，經濟部於本（98）年6月提出「動態隨機存取記憶體（DRAM）產業再造方案」，獲得行政院支持並核定在案。未來國內既有廠商或新設公司，有意針對DRAM產業提出再造計畫並爭取政府參與投資者，其具體條件應包含：1.再造計畫中應保證能夠較以往更有利之條件取得國外IP（包含background IP）技術授權；未來與國外技術母廠合作共同開發亦可基於公平原則擁有產品之IP及無償使用權。2.再造計畫中應列出國內業者與國外技術合作母廠於台灣共同研究下世代之技術，且台灣研發中心之技術研發不應與技術母廠有技術世代落差。3.再造計畫中應提出如何與國外技術合作母廠共同開發研究計畫，並藉以訓練國內相關人才。4.再造計畫中須具有國內產業結構調整之策略思維，其中應包括改善企業體質與產業結構，協助進行收購或部分合併其他公司或介入相關產業公司之重整。

5 E9 t8 r' J  i' g' n經濟部工業局近日將召開業者說明會，說明整體DRAM產業再造方案之策略思維，並主動邀請先前已表達興趣之業者進行構想溝通。未來針對廠商正式提出之DRAM再造計畫，經濟部將組成專案評估小組進行審查，經專案小組審議會通過者，由經濟部報請行政院專案核准後，移請國發基金辦理投資事宜。

chip123

動態隨機存取記憶體（DRAM）產業再造方案奉院核准，廠商可提產業再造計畫申請政府參與投資

- S; h! n' A2 W(20090721 09:54:04)為建立我國DRAM產業之自主技術，提升該產業之國際競爭力，並徹底解決我國DRAM產業面臨問題，經濟部擬定「動態隨機存取記憶體（DRAM）產業再造方案」，業於本（7）月13日奉行政院核定，並於21日對外公告，歡迎企業（包括國內既有廠商及新設公司）有意針對DRAM產業提出再造計畫而需政府參與投資者，可於公告次日起3個月內，向經濟部工業局提出申請。

台灣為僅次於南韓之全球第二大DRAM供應國家，該產業為我國半導體業基礎環境的重要支柱，台灣在過去10年總投資額超過新台幣8,500億元，擁有全球最高密度之12吋晶圓廠，且生產技術、成本、規模在全球屬於領先的族群，也架構了全球最完整的中下游產業鏈。然由於過往發展模式，係以取得國際大廠技術授權方式代工生產，此經營模式除缺乏自有產品開發技術及品牌通路外，另每年須支付技術母廠龐大之技術授權費用超過新台幣2百億元；加上全球DRAM因供過於求，產品市場價格多低於生產成本，致使相關業者長期處於虧損狀態。在此次金融危機之影響下，因國外品牌業者優先減少台灣廠商之訂單，致使經營環境更加嚴峻，國內DRAM業者面臨嚴重虧損，陷入經營危機，轉而尋求政府協助。

chip123

台灣為僅次於南韓之全球第二大DRAM供應國家，台灣DRAM產能與南韓相當，各占40%居全球第一，但由於台灣DRAM產業過往發展模式，係以取得國際大廠技術授權方式代工生產，此經營模式除缺乏自有產品開發技術及品牌通路外，另每年須支付技術母廠龐大之技術授權費用，致使在此次金融危機之影響下經營更加嚴峻，國內DRAM業者面臨嚴重虧損，陷入經營危機，轉而尋求政府予以協助。
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7 E: o4 h% F1 \- _0 X7 Q8 @7 l我國為全球主要的資訊電子產品製造國家，全球每年超過一億台以上之PC(含DT/NB/Sever)由台灣廠商生產，加上週邊之電子產品如手機、數位相機、Cable Modem …等產品在全球皆有不錯的表現，而DRAM為典型的資訊電子系統產品之原物料，是故國內DRAM廠若在這波景氣寒冬被迫退場，使得主要競爭者韓國三星電子在DRAM供應鏈上獨大，進而任其主導DRAM產品價格，對台灣IT產業造成嚴重不良影響。另一方面，國內DRAM廠商負債與員工就業等構面都需要一併考慮，使各方面的衝擊最小。

$ r  U, f. w- c2 |  j# {' {6 k; H是故，政府對國內DRAM廠商所面臨之問題相當重視，為解決國內產業面臨之問題，積極研商對策。在短期紓困方面，政府透過業者與銀行之債權債務協調，協助廠商暫時渡過資金償還之壓力；而從長期發展而言，惟有擺脫以往授權生產之模式，建立產業自主技術，並進行產業結構調整以控制產能，避免大量生產削價競爭，方能使DRAM產業未來具有國際競爭力。

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承辦單位：工業局電子資訊組
2 v. z7 t( c8 N2 Q- i
) h  U+ j  I+ v7 |2 V/ |# D' c' u4 h(20090710 09:03:30)為解決我國DRAM產業面臨問題，政府推動進行DRAM產業再造，並以：1.建立國內DRAM產業之自主技術、2.提升DRAM產業之國際競爭力、3.確保政府投入資源效益最大化，為推動產業再造之原則。對於國內DRAM業者在產業再造與技術扎根自主的前提下，歡迎隨時提出產業再造計畫，政府行政團隊會一視同仁審慎評估。

4 }6 R$ A* y, a. a3 A7 K5 eDRAM產業為我國半導體業基礎環境的重要支柱，過去10年總投資額超過新台幣8,500億元，擁有全球最高密度之12吋晶圓廠，且生產技術、成本、規模在全球屬於領先的族群，也架構了全球最完整的中下游產業鏈。

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關於LG Electronics, Inc.

- j3 i$ g4 a$ R3 X* U. _LG Electronics, Inc.(韓國證券交易所：066570.KS) 是消費電子、家用電器和行動通訊領域的全球領導廠商和技術創新者，在全球擁有超過82,000名員工，分駐全球114個營運地點，其中包括82家子公司。LG所屬四個業務部門——行動通訊、數位裝置、數位顯示和數位媒體，2007年的全球營業額達440億美元。LG是手機、平面電視、空調、滾筒式洗衣機、光纖儲存產品、DVD播放機以及家庭劇院設備的全球領導廠商。LG Electronics行動通信公司 (LG) 是領先的手機生產商。LG生產的手機以其一流的技術和創新的手機設計功能，為全球用戶提供最佳化的行動體驗。透過先進的無線解決方案，LG正在快速地擴展其業務，擴大全球市占率。更多資訊請造訪www.lge.com。

2 y& W2 ^2 c" t' @0 K# R關於三星電子株式會社
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8 |* I1 ?* c9 T9 U: G, T三星電子株式會社是半導體、電信、數位媒體和數位融合技術的全球領先企業，2008年綜合營業額達960億美元。三星在62個國家設有134家辦事處，員工約150,000人，下屬兩大業務部門：數位媒體業務以及通訊暨設備解決方案。三星是公認發展最迅速的全球品牌，是數位電視、記憶體晶片、行動電話和TFT-LCD產品的領先導廠商。更多資訊請造訪www.samsung.com。

7 r& o: [5 u) C9 W" }8 F關於Silicon Image公司
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Silicon Image公司是半導體和智慧財產權產品的領導廠商，其產品用於高畫質內容的安全傳播、顯示和儲存。公司有著豐富的技術創新歷史，包括建立DVI和HDMI等產業標準。公司的解決方案方便了數位內容在消費電子產品、個人電腦 (PC) 和儲存設備中的使用，其目標是在任何設備上隨時隨地安全地傳輸數位內容。公司成立於1995年，總部設在美國加州Sunnyvale，在中國大陸、德國、日本、韓國、臺灣和英國設有區域工程及銷售辦事處。更多資訊請造訪www.siliconimage.com。

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關於SPMT, LLC

SPMT, LLC是2009年由行動市場的幾家領先公司創立的實體，主要負責SPMT (串列埠記憶體技術) 免版稅記憶體介面標準的授權事宜。SPMT聯盟及其創始成員致力於定義並在市場推廣實施SPMT，使之成為產業標準記憶體介面，提供未來行動裝置所要求的頻寬彈性和可延展性，同時減少插腳數量、降低功耗。聯盟成員包括海力士半導體公司、LG Electronics、三星電子株式會社和Silicon Image公司。有關串列埠記憶體技術及成為SPMT會員好處的更多資訊，請造訪http://www.spmt.com。

關於海力士半導體公司

( |. H2 s  b2 y$ C- o總部位於韓國仁川的海力士半導體公司 (HSI) 是世界頂尖記憶體半導體供應商，公司為眾多成功的國際客戶提供動態隨機存取記憶體 (DRAMs) 晶片及快閃記憶體晶片。公司股票在韓國證券交易所交易，全球存託憑證在盧森堡證券交易所上市。更多有關海力士的資訊，請參閱www.hynix.com。

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貢獻者和實施者均有機會加入推動串列埠記憶體技術發展的進程。SPMT推廣者歡迎企業和其他組織就加盟事宜與聯盟聯絡。有關申請加盟以及會費的資訊可參閱http://www.spmt.com。

• 貢獻者將與推廣者合作並參與對未來SPMT標準的定義。有意成為貢獻者的公司可透過SPMT網站提出會員申請。
  R/ s" N$ r6 ?8 p• SPMT標準的實施者產品實施該標準的，無需向SPMT聯盟支付權利金。SPMT聯盟將向所有實施者收取一定數額的年費，用於聯盟的行銷、行政管理和授權等活動。

三星電子記憶體產品部的副總裁Seijin Kim表示：「三星一直為推出設計簡單小巧的新產品而不斷開發先進的技術和流程。我們很高興能與SPMT聯盟合作。」

) T: e- q# M; |$ j  zSilicon Image公司業務發展和智慧財產權授權部門副總裁Eric Almgren表示：「我們盼望著為SPMT標準貢獻我們的高速串列技術及專長。隨著像高畫質1080p視訊這樣的新應用現身手機市場，要實現這類功能，先進的記憶體技術就必不可少。SPMT已經做好準備在市場上發揮主導作用。」
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SPMT推廣者還宣佈成立SPMT, LLC，該實體將負責有關SPMT標準管理的日常事務管理。

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SPMT聯盟的創始成員 (推廣者) 組成該組織的管理機構，並與貢獻成員一道，負責開發具有以下特點的SPMT規範：

8 l! S! [% C" [7 O& H• 與現有DRAM技術相比插腳數量降低至少40%；
% W, q" O$ Q- R, J! J• 彈性的頻寬，從200 MB/s到12.6 GB/s及以上不等；
• 連接至單一SPMT記憶體晶片的單一或多埠配置
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. |0 @* Z. O. JLG Electronics研發採購部門的Myung Ryu表示：「隨著行動手機裝置的升級換代，對由超先進記憶體設備支援的豐富媒體應用的需求將不斷成長。作為推廣者加入SPMT聯盟將幫助我們確保未來發佈新產品時業界已經擁有對應的技術支援。」

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海力士半導體、LG Electronics、三星電子和Silicon Image簽署長期協議以建立下一代記憶體介面技術規範

5 o% s/ u8 q) V9 n# d; I(20090521 12:10:46)美國商業資訊加州SUNNYVALE消息——海力士半導體公司 (Hynix Semiconductor, Inc.，other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星電子株式會社 (other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司 (那斯達克股票代碼：SIMG) 今天宣佈組成一個產業聯盟，推廣串列埠記憶體技術 (SPMT™) 在市場的應用，努力使之成為產業標準。作為第一個針對動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的記憶體規範，SPMT將首先把目標瞄準手機市場，推動產生能夠執行資料高度密集的豐富媒體應用、同時電池壽命更長的新一代行動裝置。
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6 P: ^6 K* ^& G& k7 SSPMT, LLC的首席技術顧問Jim Venable表示：「很高興看到這幾家頂尖公司攜手合作，共同成立SPMT聯盟來開發和推廣一種新的記憶體介面架構規範，以滿足豐富媒體行動裝置不斷發展的需求。串列埠記憶體技術將成為業界科技發展的一大步，將為手機設計人員開發新一代產品提供全新的視野。」
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$ e# M* }) ?" h6 r未來隨著手機具備越來越多電腦中的常見功能，以及手機和手持式豐富媒體裝置間的界限越來越趨於模糊，為滿足對更大頻寬以及低功耗和低成本的需求，新型的記憶體架構就必不可少。
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海力士半導體記憶體產品部資深副總裁JB Kim表示：「成功的行動產品解決方案不僅要實現更多的功能和特點，還要想辦法延長電池壽命。SPMT已經為滿足前端行動裝置的需求做好了準備，SPMT工作團隊將為這一不斷發展的市場定義下一代記憶體介面的標準，能成為該團隊的一份子我們感到十分自豪。」
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成立SPMT聯盟的宗旨是為實現新一代行動裝置所需的頻寬彈性和延展性提供對應的技術，同時大幅減少插腳數量 (pin count)，降低功耗及成本。