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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring  c) g( l% i0 D3 r8 K% a0 c
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
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發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,
7 \7 m* j+ `! B, ]8 z( n畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
) ~9 B6 r' D, n' h/ [8 \3 l如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR) U: X7 w& E8 |6 i
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,% r  b0 z! h1 Q8 @! I! y" I
NGR就是metel+cont+diff+np,- u& T% o  i$ w) x
PGR就是metel+cont+diff+pp,7 f. H/ a7 C; [" D) l, {
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住,
. ]0 M9 I/ h0 e) I' n) R5 U& G& \1 cGR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍( f  P2 Y( R7 S+ O
再圍上一層不同implant的Guardring7 n' t5 G* R1 ^4 a" e
以達到雙重保護的功能
; W) C4 n$ ^! b6 t3 Y& s9 ^# O# u* L
4 t1 ?4 ]$ J& F6 I6 t例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)5 J+ J# e8 J9 O4 }! @
再圍第二圈 就是PGR
$ h  p. m7 I  y1 Q. }' }
/ r; @4 C. i1 y' |% t& T5 _必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
; ~- z; f% K4 A6 Q3 |1 L此圈Guardring必須加上NWELL
) y! |* Z. v$ x& n5 H' z而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring$ ~) |0 \% o5 e* m  }6 i, F- m
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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21#
發表於 2020-8-11 22:56:26 | 只看該作者
能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
6 J2 ~% g" Z! K4 a  V) U/ B1 @1 n~~~~~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的$ u1 \/ r: m* @3 S8 V5 ]3 c
不能亂接
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon
9 o9 t4 h0 c% p6 \: R2 k2 F/ [0 l3 N1 ~& |1 u2 ~( H/ K6 ^4 ^
碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。
. ^# o9 O; g8 R非常感謝,請指教~
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。' M; E4 c  X9 |0 T) }
9 z" L6 S1 o. A, [0 Y
想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?
9 ~. }* M1 e8 R( d2 ?* D- Vload后如何操作?0 X0 T6 p6 R8 C6 M1 v* f% c
谢谢了
6 A4 s' ^2 t! S: h5 A这样限制字符,有点不太好
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring
5 Z" H$ l) g- w6 l& o" M( w直接LAOD就可以用了
9 A+ b# R9 n9 F. E7 n* F8 `' o5 c+ }DIFF+ i$ f7 Y7 h( a) U' D
PIMP: D. K% }) o! v2 B: z# x% f" ?9 t) b
METAL1
: K% Y- \" G: `1 l; vCONT! |2 F: j4 ^1 _4 c% Y
LAYER請設定成以上名稱( w5 o  X5 K1 h1 {% V; I3 G% }

) {- T% p9 O3 j; A[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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x
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!
. x  v' E; t) `1 Q% b; J7 J6 ZNGR n-diff 就須接最高電位.) [+ q. a+ `* D/ ~' G% u
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
* e! J' B3 t( e' Q% p" c
3 b0 ]" g6 U" j3 m% Q, Z/ J目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
7 x2 H+ Z4 w% G0 w) W
: Z* R7 r# [# F1 p* V  d 共勉.
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!0 |3 p! J7 D. `4 Q5 v. G5 i- w
NGR n-diff 就須接最高電位.
) t% }; O+ G" a8 W& BPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
0 z/ B1 Y$ {: G3 o6 y6 ~: M+ ^
! p. @: f3 E/ M1 d目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
$ b& x( ]5 X$ m4 }2 g1 P# L" u7 o  \" T7 F3 ?4 |$ m$ U( ?
共勉.
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫" |6 m7 H' M  g; n0 `7 t
謝謝
& c2 ?: I8 v' B# N- f% G/ V  B* K~~~~~
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的,& b$ f3 B. C; d0 a& R/ j6 i
就會有類似laker的auto guardring功能一樣,; E) }/ o, T1 M8 a
圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用( z6 a8 e6 X% c, k. D( Y; [2 s
,還可以打雙排contact當esd ring。
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring
, O3 A4 c# ]8 |3 D7 S1 z在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用" @' T6 M& w$ m0 Q) I

. M% |* @" |# G9 @+ T+ @9 l( ElxRules(
" x* p$ c8 t+ X; D/ z0 e" Q, {) R+ X% D" w
lxMPPTemplates(. c8 d7 ]6 m7 b+ {5 c
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
+ B% }, U9 l7 q8 q9 C( L  ~) A;4 i2 C  o7 B9 c5 G
; masterPath:
4 {, F! A. J# }8 y* {8 s; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
) p5 s5 Y+ v' g' B! N[offset]7 {& F. K! l% V3 Z4 w
; [connectivity])9 C$ ?. V1 d- S7 i. o3 p
;; W3 @7 q! ~$ N, r
; offsetSubpaths:8 ^4 _4 [! ]9 ?4 |( b8 [
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]& \. ^  O. D1 M
[endOffset]
7 d5 u" u; ?- M& M; [connectivity])
7 Y4 @6 e/ k7 v! k  n. i;: [2 J# Y) U/ u2 G" S
; encSubPaths:
2 L$ R- g3 d" I; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]% d: e9 ^- m( r9 y1 n4 X2 O% K
; [connectivity])6 k1 o, I% g8 G4 |. \; H
;# c/ A( e7 h. g; n
; subRects:& b3 ^' W" T0 W5 L5 C- S
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
' c8 Z! B7 `" p% L4 b* D% z3 d[space] [begOffset] [endOffset] [gap]& R# |4 n+ r4 ]7 G
; [connectivity])
8 Z- G. Y% c* K6 g- c;
. N- D9 Y! d! Q% h0 h: j3 n; connectivity:
. ?' s7 h8 T+ k6 C0 f* ^) h; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]4 p  y% f7 H5 q9 j' G, G
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
+ l  W! I# ~$ N4 ]9 ~9 M0 [$ l) j* i; [refHandle] [offset])
* L  \# J# c; }3 \6 P;
( ]( b$ Z9 y- |4 {( ?;( ---------------------------------------------------------------------
7 N' _. S0 V% _! _+ ?+ z3 g1 W  D9 q)8 q  o% W0 Z  D& {) F2 X

8 ?" D0 |" c4 u$ k, e, c6 x(PP_RING_ROW_1  ~; _6 B$ E6 Q( Y' ~$ Y$ y+ P
(("PIMP" "drawing") 0.46)
& j2 e0 Z! E1 V; V& n( U9 gnil( P1 q2 A" Z0 @# i% E$ x4 H8 A4 x0 ~
((("DIFF" "drawing") 0.02)
# ]" I' a) w7 G% C(("METAL1" "drawing") 0.06)
+ [( q- Z! G) ]2 G& r* l)2 O+ V) v1 ~, \$ }
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil% F5 I7 w. h* `3 U
0.28 -0.25 -0.25)
* u% A2 P, f7 T)7 F) I) j5 l% w: x; S, `. ?" U/ o
)
/ ?1 W& C; v. g4 m..... any other MPP define..$ H( ^+ M( |, w# l: i! ]5 T  J# O3 ]
..... ....
6 }+ N; {/ R$ x! R5 w..... ...
8 b, U* H* ^$ v% \. ]* ?3 I( H% v
) ; end MPP
2 @/ F  S( r4 X. B* u* j; N1 o, f.... other class% F# R/ _  T; l* M+ @# z) @
...
3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
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