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[問題求助] 類比電路特性

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1#
發表於 2008-1-11 00:07:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問各位前輩,我是剛進入ic layout不久的菜鳥,畫類比電路時有些電路型態不是很熟,例如差動對的對偁性等等,有沒有哪些書籍講到這些相關知識?
5 P# o* Z7 Z! U) p) H" ?6 Q/ Z一個via的阻值約多少?power line的寬度要如何取決?
: ~. O' G2 B) A; q3 P. b還有另一個問題,就是p type的電阻需要圍n gardring麻?
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17#
發表於 2008-12-2 01:00:20 | 只看該作者
加gardring是來保護電阻的阻值,項限在你在畫電阻透過電阻係數表來計算電阻阻值,能的話 它的w (寬度)能w=2是最佳的,因為他在製程的時候,會侵蝕掉它的阻值,搞不好你拿到是2k電阻 透過製程會變成1.8k或1.9k的電阻,就是因為他在製程的時候被蝕刻掉,所以能的話 加gardring 或 Gummy是比較好和用matching做法也比較好
16#
發表於 2008-4-18 00:31:33 | 只看該作者
PCM: Process Control Monitor, 它對應了SPICE parameters 的typical value and corner value..
15#
發表於 2008-4-2 11:06:54 | 只看該作者
可以請問一下PCM的全名是什麼嗎?...
7 l# l5 P7 P3 }: R+ R3 l感謝~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
14#
發表於 2008-3-18 01:32:06 | 只看該作者
contact能多打就多打
+ ~. y6 q% G8 Y+ h% L這樣子電流的效益會比較好
13#
發表於 2008-1-25 02:17:31 | 只看該作者

回復 12# 的帖子

在此說說我的看法! g; q$ u: W! L: i7 e) k- m
用Array 4*4 是為了 Layout上 對稱性的考量  避免光罩曝光時即使有偏移,不管是往上下或是左右Shift' J  c8 Y0 X* s3 z7 w  u6 a
16個MOS的元件特性偏移基本上會一致.  (降低Device mismatch)
5 d9 Y8 z' N! z3 |2 v: \不用Poly去接  是因為 Poly 電阻都非常的大,  比Metal電阻大很多  你雖然Layout 16個MOS finger,  實質上那只代表一顆MOS  , F" m& Q0 q- w! k% c
電路設計者並不想要 電阻參雜在其中  只想要一個Pure的MOS7 P0 x/ v1 P& ~
如果 MOS之間都還有串聯Poly電阻的話    這樣就不是原作者想要的一顆大Driver的MOS了.
# ^, i: M5 G8 v4 s2 o6 R) D" c: o! b) z) b6 u9 r4 D
此外把一個大Size的MOS Layout成 很多個MOS 還可以降低Process Variation* g8 ]' r/ A. `- P1 z
比如  你要Lay    W/L    320/10    就可以拆成  
( S/ T1 {' g9 J  \- L: \8 y! m/ K16個     20/10       每顆MOS在製程上    有些 Width或Length做出來會  +1~5%   有些會  -1~5%     u1 u' x4 c, F0 g, d. D. ~. R
(在此製程的變異程度是假設值,每家FAB的MOS,R,C variation程度應該都不太一樣)5 N2 J% J5 e, d" n- z, W
16個MOS  每顆MOS  有些 W/L 變大   有些W/L 變小  加加減減的結果    製作出來的Hardware
  f3 L: }& X- M6 k" w會比單純只 Layout 一個超大MOS  會來得更接近   W/L  320/10) i/ H) g7 e& |: _. Y1 e% ]2 |
, l( M  S& K5 f. p
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-25 02:26 AM 編輯 ]
12#
 樓主| 發表於 2008-1-24 23:56:13 | 只看該作者
大電流的driver,當我們在layout時,以一個array 4*4的方式去做,那為什麼不可以直接把每個mos的poly 以poly連接起來呢?9 _) N: |3 r: `- E/ r# p
我看的是把16個mos各自打上poly contact然後再以matel連接起來,請問這是為了什麼?
11#
發表於 2008-1-22 22:44:29 | 只看該作者
*latch-up 現像,是形成 pnpn or npnp 造成的吧4 z: [" b; _0 K) X- m
所謂的contact 應該是substrate contact* L, U+ R% H0 l/ V
那是降低body 的電阻,使得電晶體不容易開啟
  n1 d3 \1 Q4 N# {7 S 其實只要合乎rule,基本上已經足夠了,除非是大電流的driver
" T0 G) b2 U9 Q4 S- W) M  S 那就需要拉開距離,加上gard ring 才保險一點
$ d5 L/ ]+ o$ P6 w4 z+ x& Y* D
" l: ?; ^  {6 B$ f*p type 電阻......
9 r3 h3 d- ~. h& p/ N p+ or p- ???
2 H. B& y0 V6 q. r+ v 應該不是p+吧,呵~~~~~
- U( f6 c6 }, v( ?3 _3 j 假設是用p-(應該是well吧),注意一點,電阻性的元件會有壓降的. M6 `' m" `) |* h, O" ~! w
well to well 的rule (不同電位的)應該較遠吧- I" ^0 U  m! p" I9 X4 `
那是為了防止形成寄生的電晶體(pnp); B1 H5 I$ r8 f
如果圍上gard ring (n+),等效於將寄生效應消除(base connect vdd)
3 L( a, |. l0 v- V/ G ps.我也會圍gard ring ,但絕不是上面的理由,是為了防止noise 干擾
2 j8 B2 e% X8 |$ N3 T& l, P' b' C: h* m1 n* X
*esd .....& B5 f5 Y0 T* v; }7 I( |
Latch up越好,同樣的ESD的效能就會影響到????& u- \) U; _6 V; l
不太了解這句話的意思+ U) i# j6 F) {. T3 s0 p
這邊指的ESD是針對 i/o pad 嗎??
10#
發表於 2008-1-22 19:33:37 | 只看該作者

不錯耶!

我看到上面大大的回答真的很好耶!
3 ~' Y% F1 P" }0 K8 s9 t$ n  Q; @不過因為Latch up會因為Contact的多寡讓它不會發生的情形
$ B/ B: }& \' Y$ ^+ n8 @4 w但是Latch up在跟ESD的情況下,如何去取得好的Contact確實是很重要的方針
& y! m" P% o5 \  m: W% N1 Q2 e我看過其他資料,Contact的多寡會造成ESD很容易觸發,一樣會是會造成IC Failure# `" N  g: P! d! B4 q7 W6 C" l
因為Latch up越好,同樣的ESD的效能就會影響到。* `# Z/ R; h% {7 m
7 S6 T0 l) |* K8 ^! _6 u+ e
這是上課的資料,如果有錯誤麻煩各位多多指教!* d  [4 P8 {0 i( B, d: p
謝謝。
9#
發表於 2008-1-19 18:36:06 | 只看該作者
喔~~原來是這樣唷~~多謝謝大大的經驗分享~~謝謝唷~~感謝
8#
發表於 2008-1-17 21:05:18 | 只看該作者
Layout的時候design rule文件是很重要的,
9 q5 x8 p  }4 H5 Q很多需要參考並且遵守的資訊都在裡面喔!
7#
發表於 2008-1-17 17:13:36 | 只看該作者
agree with  #1 & #63 z3 L4 G! x3 D, V6 H0 ?

8 l' D. o  I: E& ]There're many people have wrong concept.
* m6 s9 I# E: h" iwhy don't  you see the designrule???: W* j' }$ o. u
they describe in detail.
( _/ h' i& ^( |1 H6 R# _- Kno need to ask RD
6#
發表於 2008-1-17 00:24:03 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 能打多少就打多少
. I; C* J7 Q8 v* F在 M1以上 考量到的是電流密度的問題(比如 有一個 5mA的電流要由 Metal1 流向 Metal2 結果你在 M1/M2之間只有打少數幾個
7 M0 q; y5 g% B. mcontact,有可能會造成太大的電流會一直灌那幾個contact,  造成electron migration, 也就是 contact會整個燒斷. )' y* d6 r4 K2 O0 e+ A) e

. l: g; A- r7 W因此 一個contact有一個可承受的 電流量, 不同的製程廠都會有不同的規格% K6 B, C* U7 x' `$ q5 [7 R1 j
如果是 M0(Poly) contact ,  除了 電流密度的考量  還可以降低 well與substrate的電阻
$ i" S  |) |/ w/ H防止 Latch-up效應發生 . 因此 contact打多 只有好處沒有壞處, 只是Layout Engineer通常都會偷懶
# R# |( C# n# [5 M我想可能是因為 他們不了解 contact打的量的多寡 對整個IC的影響是什麼?
9 G) M! r" J+ Y/ f0 t, d3 i: p  ?3 g: v3 d- P
至於 M1/M2  power line的寬度   M1/M2 每um寬可以忍受的電流  同樣每個FAB廠的規定也不一樣9 k2 n8 ?6 S# h$ B" o
大概是  每um寬 可以忍受  0.5mA到1mA不等的數字  ' z. ]1 k: q1 h8 R
每條線上 通常會流多少mA的電流也只有做這個電路的人才會知道, 所以自然是要由 RD來給定; f8 V. h2 x/ v, t) M$ L
Layout 工程師負責畫,  寬度給太窄同樣會有 Electron migration的問題./ ]" Y- R0 ^7 G) A0 p
  Y. X' z6 p  P8 l: @; a$ j
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-17 12:27 AM 編輯 ]

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5#
 樓主| 發表於 2008-1-16 23:35:00 | 只看該作者
嗯嗯,像line的寬度我是有問過別人,他說1um的線可負載0.8ua的電流
4#
發表於 2008-1-15 11:48:15 | 只看該作者
VIA是能打滿就打滿(在這裡地方工作,他們經理告知我們的)
" I6 W1 I8 ]8 U; T# {像line的寬度,你要問RD,這些是由他們來考慮的!!!
+ w) Z+ g4 a  r6 Q所以像line的寬度,通常拿到電路時,都要先問RD,而不是畫好後在問
3#
發表於 2008-1-11 09:00:30 | 只看該作者
via的阻值, please see foundry's SPICE document or PCM spec. document.
1 L" S) {; Q5 e! H0 s9 G  M4 O% H. Mpower line的寬度depends on current density, IR drop, noise immunity, etc..., Q3 X. m6 K3 c2 H8 {/ ~1 i2 i, Z
p type的電阻, diffusion type has better to have N-guardring, poly type has not.
2#
發表於 2008-1-11 08:44:49 | 只看該作者
有一本畫layout的經典書7 w# M- \  J* B( {' S! Z
The art of layout 記得是這樣錯了請指教
% o$ @$ t4 B1 M. T5 v# a! y至於類比layout不僅僅只是layout的責任2 r4 k9 X7 J' ~; N
designer必須說清楚power line寬度. 這關係到電流的密度
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