Power MOS架構問題

libra3333

有誰公司有畫過類似Power MOS架構，能在TSMC製程畫嗎，如果能那W/L如何計算，因為Poly會有重複的問題需要知道。
9 L) ]. M% c* V7 m( p& |/ o3 d" U

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家， 。。。。。。

bowbow99

Rds(on) 是什麼？？
- @; h' H/ v# L. R, g0 G9 \* F2 T怎麼判斷Rds(on)？

sjhor

通常  POWER MOS 應該不用算到這麼精細吧!!
他是看整個 Rds(on) 所以  這些的誤差應該是可以忽略的吧!!
4 D3 M3 L5 j1 J; }( H! D5 l; a口字型要看她的整個結構  還有引電位的問題!!
口字型  應該是對稱性的結構比較好畫!!
若是 DMOS 目前還沒有實際的使用過!!

edengod

左手邊的將POLY重疊的部份去掉假設POLY是1U
3 F; L! R' x- J* a* W1 |* ?0 yPOLY to POLY是2U  每條POLY 為17U
17*10-5*5=145
右邊這個就沒有重疊的部份,但卻有打折部份的損失,
5 Y/ k* B( S. w9 D* Z看你要多精準,粗略的打折部份就算是1/2,
就這樣子