恩智浦半導體與台積公司於國際電子元件大會 (IEDM )發表七項半導體技術及製程創新

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在記憶體、電晶體以及製程方面的突破有助於消費性電子元件的進展

+ {1 y* x& b2 A; @' O2 p% m# I恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創建的獨立半導體公司）與台灣積體電路製造股份有限公司今(12)日表示，兩家公司於美國華盛頓特區(Washington D.C.)舉行的國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting，IEDM)中共同發表七篇論文，報告雙方透過恩智浦半導體-台積公司研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作所締造的半導體技術及製程方面的創新。

在大會中，NXP-TSMC Research Center發表了創新的嵌入式記憶體技術，這與傳統的非揮發性記憶體相較，速度最多可以快上1000倍，同時也具備小尺寸及低耗電量等優勢，預估耗電量較目前的記憶體至少小十分之一，製造成本也比一般的嵌入式記憶體節省百分之五到十。此外，在使用近距離通訊技術(NFC，Near Field Communication)進行行動付款或資料傳輸時，此一技術有助於避免資料干擾及增加資料傳輸的安全性。

另一個論文發表的是置換傳統石英震盪器的創新突破，此一技術可以在晶片中內建更小及更薄的計時器，而可以直接在智慧卡或行動電話SIM卡晶片上內建計時器，可以進一步強化卡片的加密保護功能。
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此外，NXP-TSMC Research Center也將發表在電晶體上的創新突破，報告新一代電晶體的效能以及其在多種不同的應用。
NXP-TSMC Research Center 於IEDM所發表的七篇論文其創新突破簡介如下：
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․提高電晶體頻率 (High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial  
    collector-base process
․簡化行動產品應用的低耗電量CMOS製程 (Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning
8 G, w9 ~0 U2 x0 v    PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer
* F/ F+ e# A0 w4 H․新世代電晶體 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack
․展現CMOS高效能製程新里程碑 (Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides,
& K: A# n/ O- C( f0 I2 `    TaC-based Metals and Laser-only Anneal
8 e; x6 P# C+ h* Y4 _* _․創新的電路設計，大幅降低耗電量百分之八十 (Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of
. g7 E! g3 f% S. ^2 J# O    low operational power CMOS devices
․更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式記憶體 (Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric
   Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells
․石英震盪器技術突破 (Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator