op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
& Q0 [4 S- H/ z. j# u但重新依照他們的指式在畫過
) Y" b% v! [: r% f; j
5 J6 a# F- l" E3 h/ K2 k" Z6 }- X依然還是一樣的錯誤訊息！

5 T6 n+ m" d2 i. cLATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
0 w6 f$ \* P  S+ _9 ~6 W; e& I8 ?這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
6 D+ j, M& m" C# X- ]我也問過其他老師、他說要拉超過20um
$ f7 g: ?/ g/ i9 l* k但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎
; j$ O/ i* i3 M, |
0 |4 _8 c. M. s類比電路果然難理解

希望大家能幫幫我的忙唄！！！

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
8 R( a: M' P( }- N: E但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
& S4 w; t/ f6 W- v0 y$ P! |這就是樓上說的LATCH-UP的問題

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
- j2 y" N/ L: |) P% K1 \就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
+ ?9 r- d. j3 c1 C# }簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
6 I7 ?3 w. d' Y3 s2 e. w要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
加 N+DIFF ㄉ地方
2 p$ r" G( f# T( ~' e
以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

m851055

OD=Active=Diffusion

2 u: n" t9 l4 o: ^在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

egg

這條是check latch-up的drc rule
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
+ T: x0 L0 t2 r20um半徑圓內打幾顆P+_contact
" ]! D; n9 ^# f4 ]3 H就會解掉這條了

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD

這個我有點看不懂是什麼意思！
0 @; \6 H! x- e3 y: v/ j可以在詳細講明白一點嗎!!!
7 [" b& ]" H& b! i; o  t
OD是什麼意思？
P-well不是nmos的p基體嗎？

4 V, O' x+ W& T( l; E9 K不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。