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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source), - c" X$ n; e/ n* ?0 |
不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
6 O9 L/ ]7 h# r$ |0 _1 h* h$ R不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的 " Y( [5 A. S4 B2 O6 W
VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了 / f9 F" n* k2 I6 K8 ]$ Y; ^
電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1 # n+ `6 N. y* z4 H+ e2 w2 x# W
! Y4 t$ g" H, }# X0 T( R; \
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩
# Q5 ]% d3 ?8 }/ k打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, 8 |: R& L' `2 D! M. B* ~) Q  w( E

: [0 c5 O3 _: q5 D  Y- ]: J9 D3 U; \要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度 4 C3 V1 V; S/ X
via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ
7 q) U5 r6 P$ @! i3 P" V9 x* t7 U如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的
, f  u1 @$ _$ N/ k7 s* z關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是! @. ?7 Q4 O2 E2 P, L) z/ ?. d
基於什麼原理,我也很想知道.
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