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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
: k/ L: h, V1 c3 _電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
7 b, q6 z! l; `1 t, z! Vnetlist file中那個model name是用 n表示,這model name
/ T/ s% N* \4 r  R6 A% t是否有問題.' \' `' |/ t: ~' _( f4 u! z
ps. 1  error report是  ! ^1 Z. t. j% A! |1 v
******************************************************************************
8 V4 E! n! J  Y  p                                 INCORRECT INSTANCES
: B" u. }/ f: {0 }. K! e  |% a, o" z: A, ^
DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME, A1 F5 m- s, X+ q% x
******************************************************************************** m+ {" i# j4 f3 E) v: F! b
" h6 F6 i1 m9 B) Y
  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)- }. f, z; \9 j( B! ]
- N5 q7 V' w2 R0 U) G0 Z' c
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
  i: t! m; M0 }/ e8 |, R" ~4 W& A/ @1 T5 m
ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
& |' N3 q# ^0 V- d2 J     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
3 N2 k4 h4 Z( r1 \2 o這個問題.
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣& u; _& `4 l4 S2 G# I+ [6 m
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
3 ?3 D/ m& ]3 c0 o- i- x* I; @8 Fnmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
" b# M5 W( W( a3 W4 i這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用8 N0 p2 {1 m; {/ B+ C; c
"nmoscap",這樣是否可以.  g2 v, C' B4 l8 T
我在netlist file上這樣描述,/ B9 V: ~. S, b# I, k$ H
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=17 S7 ^# W& \; ~7 d: e( h" s& D
然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式$ k% k* O  K: j
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
) @6 X$ m8 t1 e$ U; f* C: }5 e加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
9 A- l, W+ }! y! ?6 V, j這個電容有許多人用過!!" F" D* G! L& `5 J* T. E9 K
早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
! M6 R( [/ N8 q$ l  c4 a7 {5 C東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring( E2 x8 i) U- u1 F/ ?# F  }1 R7 h! f
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
) A5 x* M/ r# ~0 ]% c# z東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.. w9 }# ^$ K, }" o7 Y" R
另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的! u% T: [7 p! S# m2 v
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
8 F; _4 r% i! q9 S所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
, }# Q+ N; ], {' f4 _; w" E卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.* q. r; H2 m( D" N8 O, c! O
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file) d: e8 p: R8 X/ u$ Y) l2 ~
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion
) N" ~0 y/ e, T4 X: b# r% bguard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,$ `8 o, l# C( ?
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos, t, }( p" p4 J; u$ W
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓- W4 m8 E/ H& c  g
command去認它.
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!) W7 y' n# t; H1 w8 q: k$ r
所以  不能以  NMOS 建圖!!
2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測" G5 {/ n2 _$ ^3 O# @, s
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
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