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[問題求助] VOLTAGE REFERENCES

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1#
發表於 2007-11-8 17:30:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問一下  I  p& _' I4 d- e! _
在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做' g/ E) X" _4 W, w8 _
運算放大器就使用Folded cascode op
1 o1 E& i4 S9 O- r; z2 c/ h, |6 D) ?* C/ P+ z7 O) i
我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?
% x8 E$ `0 c7 j# |8 A) J0 ?2 o
還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?  }9 g+ ], O) n1 K- c- B. Q: @
  e; Z6 V4 @! c
另外想再問一下
- e3 Y( a& S3 AHSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)4 {7 ~) P5 O$ {7 X7 _
請問這幾種有什麼差別呢7 K# m! O  n' D' H# ^3 ~
小聲問(ppm是什麼的單位)
, `% j# ]4 c- \; H5 \, u* E謝謝各位了
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3#
發表於 2007-11-14 16:39:36 | 只看該作者
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了' m/ B5 z% C4 R) Y  r
. G# G# u2 z+ i
PPM是指百萬分之一
# q* E9 }9 {1 F% J" g5 u- K; E; X( ~! H  @9 }0 J! V- F
TT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
1 \0 U) h# v' i5 a9 s0 @快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快% X7 X; }$ n# H; s$ b; w1 T) }
一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作
2#
發表於 2007-11-9 11:15:51 | 只看該作者
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation1 x+ b# l* j% @) R5 ~2 s% O/ w
1999 JSCC
! @7 r4 i, s4 ^+ ]- W0 ^2 t& k1 Z看一下這篇論文吧
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