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[問題求助] VOLTAGE REFERENCES

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1#
發表於 2007-11-8 17:30:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問一下
7 m* D0 y; C) r% O' y/ U  Z在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做( f5 ?7 P- P# b- S  T" K
運算放大器就使用Folded cascode op8 @2 a; N2 e5 V. H- R5 m# j2 N
9 S+ \; `6 x$ y4 z! Q" v3 a" \
我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?
6 L3 _! [: k, G
% d5 Z) {- X5 s/ \5 T# u9 o, }+ }還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?9 a" d1 v$ P# `  ]' H' p; d# j

, \' x6 C8 G/ ]" J另外想再問一下3 E( \/ u: o& ?: r$ h/ l
HSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)
' z% N3 P# r& v請問這幾種有什麼差別呢
/ k) I# e4 n" G" @- k小聲問(ppm是什麼的單位)
! s9 k- `- _1 D謝謝各位了
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3#
發表於 2007-11-14 16:39:36 | 只看該作者
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了& M$ L0 y0 c3 t7 ~5 x
6 k# N( L) m$ v3 c: S
PPM是指百萬分之一3 o7 _% u) B( P: a& B

, Z% a! h, v! w4 U* YTT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
/ L. C# X/ T) s! H7 c2 V- H4 S* R+ I快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快; O+ \" q( ]2 d
一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作
2#
發表於 2007-11-9 11:15:51 | 只看該作者
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation
  D+ N6 m' l" W! U& Y5 q1999 JSCC
2 f# E2 p4 r/ ?( W看一下這篇論文吧
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