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請問SDRAM (或DDR)在PCB layout(for 4 or 6 layer)上有那些layout準則須要注意' c; h: @2 u: h9 d
才可以得到最好的EMI或noise效果4 J# K9 e- ]" q* t# a" `
0 t! T6 x8 z1 u目前已知的rule:
A5 E6 Z, F: a0 Z5 O. P q1. 走線等長
H1 c0 u+ _- _$ q) L - 每一條走線(Ctrl/Addr/Data)嗎? 還是控制線就好(Ctrl or Ctrl+Addr)?
7 [+ v( i1 X7 }6 B3 i/ }* K - 等長的範圍為何? (100mil?)9 ^0 f; a" S5 |3 K& p
2. Clock加粗. R9 G" n/ W3 \# ?1 z: P( `
- 多粗? 是否不同頻率, 有不同的寬度規格?
; a1 S- w! c' F. R& r6 O& n3. Clock包地$ W1 u% t# O1 \) ~* u: ^+ j- z
- 須要打VIA嗎? 如果要打VIA, 做得到等長嗎?
6 p( }& B" W. p. k2 q# a' v2 I2 ~7 W4 t: W! q" D) f/ F
目前做了一片4 layer PCB
# y6 p+ O; |: Z' e& Q TSDRAM clock=148MHz
7 j! I8 b# @: c+ z# e, v% p但整片PCB(包括ground)用頻普都可以量的到148MHz得倍頻
2 z3 \/ `5 @) H5 n/ X請大家提供一下意見
8 J% R$ A, n8 u0 j9 |5 n. v% v6 |: \5 ]2 f; A# N
謝謝 |
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