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老實說,( _8 N, h" c b9 U5 N
你問的問題很廣,% X B: k8 [3 E" p- b6 L- O$ T
會根據不一樣的條件,4 t2 o! A( ^' v
而有不同的答案。
7 n! ?6 i# b/ Q
! n' r/ D; O/ ]. g1 ~* Q以nmos,body=source=ground的例子來說,
- @; D& T4 B& Y0 d6 O" P4 v3 P2 S5 C4 h, @
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
5 r( d2 Q5 ?1 ?; E5 \7 @如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,9 ]- B8 J# U- i" H0 F, H
一般來說,應該不會,, V- A! Z0 N* M* w4 k7 z1 x$ y
因為SiO2的critical electric field滿大的,
/ J! L2 n: d' B) }5 \0 p' j; j3.3V device gate oxide還滿厚的。
4 u4 L1 X. P+ cvds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
0 J* ?+ n1 K# Z這個值通常很大,1 t1 j+ A; e) o) ~* E# T
因為body=source=ground。# g! d! ~' R) F+ B9 W7 r4 o" o' y
另外,如果channel length比較短,1 Y% [8 q1 `: N; ]& C8 E9 x
這個值 "可能" 會跟channel length有關,7 w4 o! c) U3 l2 \( z: `3 {' k
但如果channel length大到某種程度後,
P/ G; F8 @6 ]% i: r9 X" x應該也沒影響力了。
7 @1 m( W7 j W/ B" x% R, p2 o7 c4 r' u& r, G
(2) 如果gate=bias voltage,. g7 W+ T: Y) V. f9 u3 g! a
這顆nmos可能當current source使用,( |. E9 n7 I- P& j
這時候就要考慮其hot-electron的效應,
% O) p8 D, _3 [因為單位面積的current可能滿大的,2 ?: c I! X5 ~5 u# J6 P. y4 P% E
而vgd也不小。& Y9 [, n6 B/ V" ~: A( x
5 K3 m6 A) W. U* d' I0 t j(3) 如果gate=darin=high-voltage,; {4 I8 V* z1 G" i0 z* T
這樣的單位電流會大到不行吧!
8 P/ W$ s% \8 Y d# T+ }9 m" H0 YId = kn'W/L * (vgs-vt)21 Y4 j9 {* K& a, a3 D
# l2 p- d7 E" d( }% a/ f" F
所以通常是case2會是要考慮的問題,$ [8 u6 c4 N/ k
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
' a9 a# i* n1 N' u! Y1 xn.n |
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