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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source), 3 V. \# I5 i- \) q! b9 W
不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
, s# x/ h4 M0 B7 G不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的# x6 R/ a9 e. I+ z
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是7 ~: k2 a6 v; S" ?( G/ S) e% q
基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ
; ]" p9 S2 O! B# {: i2 z7 D如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
6 e+ `9 A* }/ O% a. x; gVIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了
4 j4 S+ A, A2 {' i6 f% c電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
6 k, @/ E/ k% N, g. g( ?& y/ O8 ]7 z4 f  i
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 + j# u, }/ d& {1 a+ h
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容,
, \0 q7 N2 Q  }5 P1 c9 {
. f+ |) N& W, L) i* ?要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度   b* d" G- T0 f
via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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