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[問題求助] Statistical和Mismatch model

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1#
發表於 2008-8-8 16:19:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?7 d7 {+ f& p% i: H  b
; Q( ]* l5 l0 q! |* _$ Z9 d1 w
感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo
$ ?# A2 K2 E( U) H6 W3 @9 P( c/ G7 K& |+ `$ o: H# E0 S
如果我是拿來run OP的offset,應該用哪一個呢?
0 A% i4 Q, i9 z7 E* n. K' d% e8 R* i, `4 R, u
謝謝
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2#
發表於 2008-8-10 23:38:04 | 只看該作者
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model
0 L7 y6 s- Z& o另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題, {; q# X+ Z7 g9 e& P/ K
至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
3#
 樓主| 發表於 2008-8-11 01:42:37 | 只看該作者
先謝謝您熱心的回答
1 R1 c7 B: `/ K: [: D8 R
7 X' v. l; E0 w1 ?目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model) ], P8 E" G/ d/ ~1 H/ b
提供您更新的資訊~~
# H" I6 g4 e2 f7 j6 n+ l/ }, u0 c9 h, W! l; \# L: \" \+ }' H% Z3 @2 E
不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?
2 x/ L7 V& I# i3 p/ C若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?9 n) j) r4 [. i
offset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?0 \5 Y2 f! ^* j* j5 p1 w+ U+ Y7 s7 ~
謝謝
4#
發表於 2008-8-11 11:17:38 | 只看該作者
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述- i7 w3 i! _8 x; O) ?* B$ U$ s. J2 i
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬
! X! a& C; G2 D' S$ Q( u因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看* G8 C$ B# p) N" h; `) G
5 {9 [3 v+ g# x( [( ?
至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數
" z0 e) J1 m- P6 ]+ e& w- e: Y& x! `' P: `' ]
另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
5#
 樓主| 發表於 2008-8-11 13:44:28 | 只看該作者
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解4 E8 j4 s+ w. ^& f& C8 `
* B% e/ S, y0 m! z5 b
Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念
) R& D3 s0 z! V% J' `$ w+ P5 F5 Wmismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
: J# q1 O3 c! I9 `$ k* U
( t9 h/ T- Y- U$ K* o) M請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
6#
發表於 2008-8-11 17:03:44 | 只看該作者
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的- `) F- G3 ^" s$ _) p
就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數
- ~! t- V+ F4 X( C7 o- c' G& J1 n
$ G5 b! u3 V" }2 U而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model$ q4 D+ P4 k* R1 ^, |
而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣
0 Z3 P7 w3 p$ d) d# I4 }一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

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blueskyinair + 1 謝謝

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7#
發表於 2008-8-13 23:11:04 | 只看該作者
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

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blueskyinair + 3 THX!

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8#
發表於 2015-11-2 21:24:48 | 只看該作者
哎呀,這個都沒去跑
1 s4 h7 _8 n( q; k* D# {我太偷懶了
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