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[問題求助] Diffusion ROM & Via ROM ??

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1#
發表於 2008-5-30 09:24:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
4 {/ j: q) R  s7 ]( _% ^它們的差異在哪裡呀?: o& L/ t9 M7 L/ ~- ^
請知道的大大share一下!!
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2#
發表於 2008-5-30 16:57:51 | 只看該作者
網路上查到的.參考一下:0 G: T3 c# I. ~9 E$ _
"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting - t, V% Y) r7 F" b
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1
3 Q4 f1 J1 W4 M; DVIA ROM may have bigger cell size "

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3#
發表於 2008-9-29 13:52:58 | 只看該作者
以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer) O6 c, B$ e( `" W- _' I. z3 Q/ g4 g2 S8 M
不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
9 [" o  ~7 e' }! d% ^6 y/ Cproject,選用Diffusion ROM是很不智的。
) j! p& v& x) z! ]但他有面積小、速度快的優點。& P; e( h! Z# S/ J$ l

( q+ n8 v  J8 a2 Y0 ]* @另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的  t& G- m7 y* ?0 ^$ m  w5 {8 R' r
方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看' @" L9 Z9 i" T$ Z
你要投的fab有沒有支援此process。1 z+ S2 q+ D3 U8 b* s; y4 C
( l4 {+ \6 ^# b& t' R
Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
- o+ @7 N! w* X! u$ A. C: m# g4 Z* D! @+ u/ f) K* F* G+ [7 }
[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ]

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4#
發表於 2010-7-2 10:20:57 | 只看該作者
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小

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