請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve

/ ~% w# \: a8 R5 E6 H8 H但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值

) y- w' c& O  a5 u供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
0 P! ]5 `% b& S" z6 U& `
4 i1 c* ]! i& \2 @這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多

4 d& [- B" C) ~4 K4 bNMOS還在0.75左右
/ T) H+ S" q# r) n
% Y2 Y7 I' `- I/ {

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
- M& A; e; y+ e* C) f, J, p: Y1 n所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
/ ]6 f0 _* J3 k1 S  x; D" @7 u& e一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能

查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦

; N, b2 v& u! ^3 i& C! ]  Pmodel file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題

0 L+ M0 x1 y4 Z$ g5 L! p"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
3.3v 遠大於 0.7V
其實不用太Care
, N3 r- H( L' I1 L
1 t" q( F) U) _+ R8 n% yVT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

9 _$ S, l- G' t  v% R- P感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？