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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,. A9 e+ B1 B7 X3 M: H
  M, r1 p* I3 G7 ^/ E( ^
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
8 h( w( N" \3 j! T" Y- i+ b: `2 ?- L9 _* p! g+ W
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
* _1 B, l* ?, Z( K8 E, F1 G2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6 d1 l* A+ ?! a" U) Q9 z9 [' g
1 @6 l% _: f& I) _
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
! ]$ O3 w- f( I, D1 ~! n標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)) S3 \6 ~4 q( P$ N/ w" j4 ]
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
5 ]9 l- S, Q' n5 @5 K' L5 R+ w1 Y: v在理想的switch中,輸出訊號正常。; N3 f2 ?$ d% w8 V: ]
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。; _* ?3 B4 Q8 T  B. ?# k
取樣電容大概=400f F左右。5 n! L& S  O4 a& k9 p9 F
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)" g8 |5 _) l; g
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 4 L, ?% t& U. m+ f/ C  w
% Y+ p0 |3 v! e0 f$ X  K4 q  w4 S
0 C- N8 {) P. A4 G) W
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
  s( ^* V$ l1 y- h& W( w! g* ?. Y0 n6 c  f9 Q! x# f4 {( B
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖3 }2 |: l4 \8 ]- _5 g
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
) Y6 R$ b) i% t) T5 R' |/ e# b所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值
) n+ B1 \& Z0 s( v3 {1 j列成一個表/ x1 V) D) Q( R: Q
之後看表拿進去套用即可
+ _6 U( }4 p; f% _此外此電路SH電容不大0 V7 X. L7 t7 }3 X
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 # {; N6 g# E( i) _. T1 F- j

& K3 C2 ]; R5 v3 b" |# o5 F0 `8 ~) \0 y! G6 S5 d4 L3 j
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
; L* C; v+ K6 H, c  J由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
9 \) F5 ~2 x! X) F在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
# y! i/ G! k4 h$ p一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
, V6 e2 y/ J) f/ K" b: X看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
- X4 h% X3 L3 q: N  }建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??: a& \. C6 F% t* F* I) B% G
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,1 u( c2 i: g$ _- g& p2 U
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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