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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。% F1 l" b) A2 z1 K9 s7 M
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
3 m- E" {8 D( v( j1 ~3 _: E1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
6 g) T  |) C$ `, q; |6 Y3 m3 m2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
* e; M+ B) M4 g5 n: i8 c3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧6 m" W( H* z$ \+ v8 N7 j* C
4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
' ?6 L3 P- `( O' g) u* ^2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~) l- S# {4 T' {) ]' n, M
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~+ S' E2 M4 C. ]! ~# i$ v  _7 e
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。7 m- o; c; V# V2 l

4 w; _' L  P. c- T4 w6 d( z9 f. [1 @! d[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子7 |& c/ k. ]; W! _4 n, a' c
非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
" Y8 G2 ^' i- C5 v1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
1 ?. d9 q# |/ r% F: F2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸
0 u( E. I+ \& k3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意! I) f$ I5 ^. D9 I9 q5 G( A
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 - v9 {& c3 Z9 D4 Y1 [% N3 F2 o( v, H
2 r- e$ R9 x; M) y
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。8 P! L) D6 i" Z, }' a8 j: j% ]
2。一般會比pad稍為小一點。
# o! W9 |. U. @0 F( @3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。) M! j- t1 {- l
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;- ]& [. N) T" L1 \7 @/ G
|||||# y. D$ q: k% h( Z( R: p
|||||
. c7 g# ?. x7 V0 e, n|||||→普通
+ i+ M! b- z# n8 `* r- L3 x1 u' X7 m0 k
|||||
! g1 Y* A- E1 u. C+ N- Q≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包 8 A0 X5 M. g! [/ X- r# b
谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手. I5 _4 _, l9 L3 S
這些專業知識! g. Z6 n  l. g+ b
對我來說# z! I* a: z5 k' \+ t8 E
是非常有幫助的6 L. x& S4 n" `! m
感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手, b6 c0 i$ P( Q
這些專業知識; Q  u, [; W* T5 F: C. x
對我來說" e0 }' c$ K# Q
是非常有幫助的3 n6 ]; B# r% u: t- Y
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
8 E5 Q- r, D* Y* O先學下來以備不時之需囉- Q0 n5 {1 g& e- _' ^$ z6 T" S
謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下4 ?0 S$ S  Q6 e" ~% V9 q
哈哈哈3 ]8 u0 p" E6 v: K5 Y# |* D
谢谢分享
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