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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
4 L& j$ x, `# P, {+ e2 }所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢2 v0 K$ ^8 u& s! q
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
% F2 J) K& j4 h6 P; l
! d3 r/ K; N' V3 y. q
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
7 U) f6 a% M' `$ Y" w6 y( y你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧& s, r# W$ y& y% N
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,
# J- U. B$ `+ d6 C4 R. ~8 j' ^8 q$ C  {: }* b9 o
至於說要怎麼設計?: _% d# X9 E6 U2 U5 Q0 P
+ _2 p/ d7 C8 I; I* u) D! K8 ?7 k
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy : V6 ^6 g5 N4 D; Y8 C
5 C0 d/ ~9 V- d+ f4 T
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可) h, t9 }! A& k3 V1 |/ J: Q

/ s9 C* _# d$ h1 ~" @' E2 ?/ J至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說" N4 A0 s0 I) v% z- x# y" _
不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃% f+ _4 b3 d1 ?! O5 e4 D0 U3 ?
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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