MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大

" A% ^( ]# e6 M/ X若應用在LDO的powerMOS
! R8 ~* r# D# V8 E
使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
( c9 T. {9 d' S0 J3 F
例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
8 S% L7 m2 O9 ^/ e6 B
$ D& h! v) p6 w% p) G' y: k, \若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
# |( f, U- j. j4 c) ~
例如L不能用太小，W不能用超大 ??

謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
; K' Z: h) H2 r! d9 {+ c前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
如果很強調matching就會用multiplier
; A" L- \5 c) k7 e: x: G* jfinger的好處就如你說的沒錯
; D- N! ]" r$ e1 N; |1 C2 u
" o; `8 V: O6 l& {至於當LDO的power mos
3 x; r. n3 Q, v6 U因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
1 j9 O& K- f7 X' F5 J4 ?像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
8 T4 Q, r- V1 Q9 l# k! T如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
3 L& r; B! D* \: o& |/ }% _% {另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~

finster

補充一些:
0 A) H7 V( L- s% F一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
  v4 n/ I! N% L1 U而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
1 g* S8 t. \" r4 s9 d( ~且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster
: J+ [5 L( w/ z+ W
7 f+ y/ S" s# v' p6 J' J; ?, |5 v真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多