MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
+ F( t; g4 |- C2 o
若應用在LDO的powerMOS

使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
* b" L. K4 H4 e( y
例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
$ g0 K- A6 ^+ }6 f
若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??

5 \' ?, C2 v& Q  P# E- v+ z2 o例如L不能用太小，W不能用超大 ??
+ |6 A0 `5 L2 Z6 p/ g8 X
2 j% L' i: g) {5 T8 L謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
% d$ G8 n3 f# `5 f/ J" O前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
% b- T- E* T* d( N+ B如果很強調matching就會用multiplier
: O+ F, J5 I: T6 m# C- s" ifinger的好處就如你說的沒錯

" K* x$ ]( ?$ I6 s2 }5 j至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
8 l* c. m0 v6 i  x1 V$ K# i6 y像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
  s- M1 a) j: D+ X) `! A% H, G另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
, b! m2 r+ {+ B% o諸如此類~

finster

補充一些:
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
3 c+ i& y& U, e! c: T! L而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
6 J" U, f+ j; K至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
6 ?! i/ T) b5 |' ?( b- |% h" U且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster

. ?  ?) |% o! W真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多