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[問題求助] IC內部電容

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1#
發表於 2011-9-9 16:40:52 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一下大家知道關於IC內部的電容大約可以做到多大
1 b5 F3 a9 m4 P0 [
' d0 v6 d8 W4 n我是有聽人家提過IC內部無法做大電容
/ U. s8 Q3 F, C% R4 c2 ~! n+ H
所以一般regulator的input才需要加>1uF的電容來穩壓
. V# n. a, \2 I/ n! T  A9 s3 c: S5 @
所以想知道IC內部....若可以的話淤可以做到多大的電容式極限?
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2#
發表於 2011-9-11 10:09:15 | 只看該作者
這要看製程的設定,但是你到1uF真的算很大,可能你整個IC一半以上都是電容,而且花大錢做一個電容,你不考慮外接嗎?
3#
 樓主| 發表於 2011-9-13 09:21:24 | 只看該作者
你好....我只是想問知道說一般在ic內部的電容
) [/ y% j1 _- S* q在一般的應用上範圍是多少....會不會有uF等級的
3 N, M4 o% v9 w  I( U就如c3a1t039所提到的1uF可能會用到半顆IC$ W! O( N7 X3 V$ Y4 a
就一定不切實際....
2 p' b5 }" K9 A- L5 m2 g是否幾百pF~幾十nF算是比較正常的合理範圍
4#
發表於 2011-10-3 06:21:26 | 只看該作者
若以PLL而言,可以接受的範圍大概在200pf以下,超過200pf以上就太大了! L7 Z$ T0 U% a7 s
若以driver而言,大概在數pf就還可接受,若超過10pf以上,就太大了
& Q  V: C$ T  D) A6 J' v- v若以regulator而言,通常不會超過數百pf,因為2/3以上的面積幾乎都給output driver給佔去了,電容只佔一小小部份而以) `2 o+ b3 ]. Q- f9 a# F- z; ^
數百pf~幾十nf以上電容,實屬太大,一般都不會這個樣子作,除非採用倍增電容的架構,既可省面積又可達到高電容的要求,但缺點是不準
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