spi 如何認到LDD MOS

腳踏

spi 裡面有LDD MOS
% @& a4 f8 d4 l/ |: R- I7 S, T/ M要如何描述
例如
7 ]+ }. [, Y+ x& L1 ^- J一般 的MOS
, Y7 n/ d( n- U6 k- ?7 w( y+ ZM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
+ p% \- t# f# O" q& \; c& c4 @
( C& r5 H, a7 E- |, E0 p8 tLDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　後面這裡要寫那一些

才會讓ＬＶＳ時認到ＳＰＩ裡的ＬＤＤ　ＭＯＳ

qetuo852

不好意思...我想請問一下
' {5 c* R* q$ ~大大你是在問問題 還是 分享??

假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??
; X  D% D7 b! q+ d2 v/ `
一般 的MOS
6 U. v9 K+ ?/ _9 R7 p, _9 h3 QM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1

7 _; u; A  |1 _( q9 RLDD MOS
  O0 A, ?. e8 w. n7 J- \3 h* XM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  後面這裡要寫那一些
7 Y  E. L  e' J/ _9 U
還是...??
! W# E5 L1 S# l; T
6 }  C- w1 I# _+ e如有錯誤..請糾正一下~
ㄧ起分享學習，希望有幫助到
謝謝

腳踏

原帖由 qetuo852 於 2009-3-20 02:28 PM 發表
不好意思...我想請問一下
大大你是在問問題 還是 分享??

3 _% h. U" l+ w1 f5 n假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??
6 `  `- t% ?% _5 }: C, o5 U
一般 的MOS
" i8 h5 z) k" E' b+ I+ M1 e" l1 XM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
8 _# T- t" |, z8 \) V- ~
. |0 R$ [0 Z8 z% T9 v. p; K2 ILDD MOS
! R+ b: v. S% h/ h9 f3 z' ?( }1 pM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  ...

這樣子的SPI在DRACULA執行LVS 不會認到LDD MOS 所以才會上來問

m851055

是否Dummy layer未繪製，道致未認出LDD MOS

skeepy

MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
. k- y% e4 b$ f5 C% WLDDMOS是啥東東？DMOS倒是有用過。

m851055

一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1 -->PMOS

LDD MOS
M1 xx xx xx xx LDD vdd vss m1=1

linger809

我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的，如我們的pwell一樣是運算齣來的。

wiwi111

原帖由 linger809 於 2009-3-23 09:35 PM 發表
- f' q4 C+ W7 ]3 p我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的， ...

你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
. f' w2 r( ~+ P* E" O+ j( J. B旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
( d: Y. {; e* k; S. f這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLOBAL)那須加 .LDD 宣告
! q7 `' q7 _( v# R/ x. l
; Z, P: r  d5 g# \0 l[ 本帖最後由 wiwi111 於 2009-3-23 10:04 PM 編輯 ]

腳踏

原帖由 wiwi111 於 2009-3-23 09:58 PM 發表

你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
; U7 I' i  S. T旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
# J0 E' B. m, m& j* Y( ENA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLO ...

% Y/ q2 f6 k' s. p8 R
/ W) [& e* T  z  F' _試一下在SPI裡加上宣告*.LDD
就可以認到LDDMOS
4 u1 u1 ~+ Y$ B* t  N4 r謝謝大大的幫忙

moneling

更正上一則的回覆~
6 M( K/ _4 t- |$ V剛剛去查了一下 使用者手冊,發現有錯~ 趕快來更正一下 ^^"
請版大~幫忙把上一則刪掉,謝謝啦 ^^
. ~# P" T6 M9 b% |- ~/ F( |  t
1. 需要在 spi 檔內加入  
*.LDD

2 需把 spi 檔內的元件的名字加入 $LDD( )
ex . M1 A B C D NMA $LDD(NMA) W=1u L=1u
- t, v" c3 ]0 K5 Q! m1 c! C, Y- T
3. lvs command file 裡也要做改變
以 calibre lvs 為例: lvs.cal 要把 DEVICE MN(NMA) 變成 DEVICE LDD(NMA)
9 r/ I% O! m" G- t4 ]
LVS SPICE CONDITIONAL LDD  YES
+ M5 E, A- e: U2 ?5 u' b/ `' k# MDEVICE LDD(NMA) asy_nmos ploy_mos(G) diff_S(S) diff_D(D) PW(B)
* ?& Z. w6 `) i
' Y7 v5 V% `& b# m' E7 X4.簡言之在 lvs 的LDD元件就是 MOS 的 Source/Drain 不能互換
1 M7 G0 M: s+ k3 W+ ^; E# I: E9 w  ==> 要注意在 DEVICE 裡定義的 S 和 D 的位置 --> diff_S(S) diff_D(D)
  ==> 它不像一般的 MOS S/D 是可以互換的
2 y. L+ l. ]4 g& v" a. l, u( c  ==> 通常使用在非對稱 MOS
  在這邊的元件~也是製程上有LDD (Lightly Doped Drain) 的元件