有個FLASH的問題

dysyase

[20奈米NAND Flash大戰引爆　三星、美光、東芝全面較勁]
' z. I2 [$ D2 ^/ q) E# e這是今天再網路上看到的一篇新聞~亂轉不太好所以就沒轉上來了~
9 W0 `2 P3 y7 }4 g! d: O/ X我的問題是~之前~45的時候不是說~會有讀取次數減少的問題嗎~那~20不就更慘~為何製程縮小會造成~讀取次數減少的問題~

Nobody

因為 floating gate 電子越來越少   一點點的干擾就可引起讀取失敗
( {4 p1 F8 N- vfloating gate 電容 ~  1fF  
一個準位的電壓 = 3v
( N& F5 r7 O' h9 n  o* DQ=CV  = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
' N1 m$ O5 s5 o+ _; g- D( N& ?6 Gfloating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4   個電子
- Q4 g9 n& i8 f  P/ L. p0 n" _如果偏移了 10%   , sense 可能就 failed   ,  
讀取限制在 100k 次  , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到  1.9x10^4x0.1/10^3
( }; z, h& v3 u2 A* \5 f6 q9 A1.9 個電子以下   , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us  
+ v# x. Z6 ]: |& O: p( ti= dQ/dt ~  1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6)  ~   3 x 10 ^-14 A  = 0.03 pA  
7 m) d# w; |+ i7 Xnand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重
8 v, e1 _# E" a; N只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補
可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰  科大文化出版 一書

likc

Very Good!! Thanks for professional answer.