LC-VCO MOS選用問題

apiapia

想請問大家
一般做LC tank VCO時  
8 R* F8 r2 i8 t5 I+ \通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???
$ Y# @) S8 x) E" ?2 H
+ J% @9 C% `5 u雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好
# W  r6 r/ W" q/ X9 q) t想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)
% w  W4 `8 {9 E) P
4 `; j1 k2 o* p, h想問有經驗的人
8 g' t0 h  l9 ~5 p在各方面trade off  後  
! O8 K4 T0 \; \喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
                                                   謝謝指教~  Orz

[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]

macrohan

为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢？

tom918273

你可以參考IEEE
1 K: |# `5 J2 t8 ^& |  H7 wA. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
他有畫一張比較圖在1MHz時
% _6 `/ |( ]1 R; v, ZPhase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).
# K7 q: y' ]' @- j* d' h6 o8 xNMOS：看起來約為-115dBc/Hz
3 G$ ^( W% o7 L% f6 D/ pPMos：看起來約為-120dBc/Hz 較好一點