带隙基准PNP面积大小如何选取？

zhuxiaoqiong

在CMOS制程中，縱向PNP管的面积有10*10，5*5，2*2的，我们在做设计时该如何选取呢？

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2 n, J9 T( P: H9 N2 w) G" b

5 z" o: w' k9 O4 }
8 `  Q' u" C5 Y1 m4 m% _& i4 `[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]

Oo海闊天空oO

在CMOS製程中的Bipolar Transistor中
% _2 I; P! E- v3 L- S( l10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!
面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~
且Vbe=nVt*ln(Ic/Is)
6 B4 b* B+ P: L/ \Emitter面積越大~~Is就越大~~
9 L6 Y/ N. t( J( b( [相對的~~VBE就會下降~~
* h* n3 p# s# \; b但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,
! `# @; _4 W2 l7 {" j! U" M  H都在0.63V~0.72V間~~
" r. o5 N# s/ x3 A' F. H因此就看你自己的需求了~~
! {9 r* G' K& s
如果有錯..還請其他大大賜教^^"

monkeybad

建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小

zhuxiaoqiong

Oo海闊天空oO，monkeybad，謝謝二位的作答。
) g& F1 y! U- {2 S. l9 j  ]' [
還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好，是什么原因？三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2，但beta又是2*2>5*5>10*10，這種選取是基于這樣的折中考慮嗎？
4 o' P4 p6 D1 |4 `% R8 t+ c
如monkeybad所說，我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。

jerryhao

no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it  just be used as a diode.
8 {( l( i  j# ~but analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.

tony9211

比較新的製程有提供mismatching model後
) [% M% ~& f& O8 M4 }2 B8 [BJT mismatching沒有想像中的大
4 V# h1 y4 ^: k- R也許2x2已足夠