|
|
我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時; y( S+ N4 |9 _7 D3 R
; ?- C: Z! ] e' T# M
發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well
6 W1 ^! ?5 h5 B6 t \: b* @" M i% a$ s3 b5 T4 S
我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地
+ C1 H& b+ W. B6 W# A$ }4 \# d r% E, I2 S% _4 ?% T& a) V
而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它
( A5 l0 s/ |# {+ r- D& [( h: |; [* D* {+ R. \/ g: }' y- D6 M
在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道5 j6 A& F# R) K; a8 p
A/ {: I$ ^) r, C6 \
它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地) Z2 _4 i( I' P2 ^+ h8 ]3 H9 D) q: w
/ f3 }% T7 i; z0 D* m+ L
那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電! g! D- A% r8 A5 I; w' Y8 W4 O# I
4 }- k+ r/ [& c2 }
路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？4 x' A- i& N0 f4 W4 e! p! f
6 ?! W: W' D" q: m
deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer5 k/ z* ?/ ~6 k6 Y
5 l) v. V& u3 m' D7 Z/ O
一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？
+ j1 x& w) k( W% g: T8 b4 P M: e$ [2 z7 D! o8 z% L0 [
那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)0 r+ s' r8 z9 _# ?1 P
9 Y+ c/ l" {1 C; D
3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？( _1 r9 V8 f2 \9 j4 T4 V8 y
5 B* U( l4 I A) Z, d" k' U
而我所使用的是.18製程。 |
|
[複製鏈接]
IP卡
狗仔卡
發表於 2009-8-26 23:14:37
QQ好友和群
QQ空間
騰訊微博
騰訊朋友
收藏
分享
頂
踩
分享
提升卡
置頂卡
沉默卡
喧囂卡
變色卡
搶沙發
千斤頂
顯身卡
sub隔离用的