BCD制程下的基準應該怎樣設計？

lynker

小弟想在0.35um_BCD制程下，設計一個bandgap，電源電壓為4V到9V，輸出1.25或者2.5V皆可。為了節省面積不想設計為純bipolar結構。如果是使用MOS管的話，我該如何下手啊？MOS管的耐壓大概在5V左右，而電源電壓卻是4V到9V。是否需要一個簡單的降壓電路為bangap供電呢？望高手們指教啊。

shaq

因為你輸入電壓範圍為 4 ~ 9v，先確定有無 HV 製程 再來考慮接下來的動作。
1 P) q5 u( p- a0 t: y- p6 b) ^
7 R2 S8 h, R- X/ w. |8 _[ 本帖最後由 shaq 於 2008-11-3 11:17 PM 編輯 ]

lynker

多謝指教！
查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什麽？

3 z' L  M) J' A& R[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-4 09:04 AM 編輯 ]

lynker

剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？

shaq

原帖由 lynker 於 2008-11-4 11:01 AM 發表
/ p; _, S7 j' Q% B剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？

7 d, n, w3 H$ v( N! ^0 A" S
- R) b) W! [. P+ G
DMOS 適合作開關（如： PowerMOSFET in LDO）以提升效率
HVMOS 就是應用在高壓的輸入、輸出端
( ]$ a5 t$ O" x1 \/ u
若有缺漏，麻煩其他高手補足。

shaq

原帖由 lynker 於 2008-11-4 09:02 AM 發表
多謝指教！
' M$ N1 M, [2 l4 J( w. i查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什�？

- y5 ^, C5 @& c. D1 w- ^2 u7 V  v( G有 HV 製程的話，那你可以設計一個　Pre-regulator，將 4~9v 降至3v左右給 Bandgap 當 VDD 使用。

lynker

不知道我這樣做Pre-regulator，是否正確。
我是將幾個接為diode形式的bipolar串起來產生一個4V左右的電壓然後經過source follower， buffer出一個3V的電壓。用這個電壓為MOS結構的bandgap供電。
/ v& J, _1 n' N1 k大家都是用什麼方法實現的Pre-regulator呢？請指教。

semico_ljj

不建议bandgap直接用HV MOS做，因为HV Vth不是很准！还是把电压降下来，再设计bandgap

zorro

可否直接用Bipolar來做，因爲B的耐壓一向比較高，到9V應該沒什麽問題。

yutian

請問一樓的樓主，你采用的制程是VGS=5V、VDS=4V至9V的呢？
" O  j3 b9 t/ |% ~5 }5 G1 ^7 `我用VGS=5V、VDS=18V做過bandgap和regulator，design時要特別注意制程對NMOS和PMOS的VGS的要求，因為不允許其VGS超過5V，tape out出來測試還可以。
直接用Bipolar的做bandgap我還沒做過，有機會交流一下。

lynker

回復 10# 的帖子
2 Z1 x, }5 X& o  M/ C我使用的是BCD制程，bipolar，HVMOS，DMOS耐壓較高，LVMOS則都是3.3V的。現在把電壓降下來了，用LVMOS做的bandgap。
( ?7 o1 b6 E6 L: m7 X4 }" d- J" O% _2 c以前做過一個LDO，是bipolar的，其中bandgap結構如下：
因為LDO要求不高，所以bandgap未做trimming，4V的LDO tape回來，輸出偏低，分佈在3.92到3.96之間。

enjoymartin

最好还是先做pre-regulator,then design a bandgap circuits.这样你选择的余地比较多了，其实纯bipolar的bandgap主要是功耗和layout面积比较大，但精度还是不错的。建议还是在电路中使用一些lvmos来设计bandgap,结构还是比较多的，看点paper就明白了