中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
  V: Z( W- d6 B7 w3 @$ N4 ^" W9 ]---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
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一、前言
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
9 s4 m. Z9 P; w# z3 z2 `2 X三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
2 N7 U9 \# [5 l# y% L8 K* D四、實驗結果與分析推論
$ j2 w0 u. @% ~五、結論
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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

sbm81tw

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balam2018

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