sdram控制器的問題

ian77316

板上的各位前輩好..
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我現在在設計一個sdram的控制器，我根據著datasheet去設計。
也把他的流程圖都畫出來了
8 M5 L2 E8 W6 u) F, ?( b
但是現在有一個問題困擾我很久，我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
6 L9 O' [, q* Y) D' B舉個例來說
! [) l/ I: ?4 H4 D! B# C; ^% T, cHOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
0 W  f! B2 U& i- w正確的結果應該是讀出(1,2,3,4)，但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
四筆讀出的資料都是第一筆，不知道是發生了什麼問題????
不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
: U+ H% ^+ m& {- j: D6 f還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?

我用的是Elpida（hitachi）生產的SDRAM
型號是HM5216165TT10H

不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
/ T+ q6 f5 j2 _# u+ v- X能否提供給我一點意見去解決，我已經debug一星期了還是毫無頭緒....
7 ]$ _) E1 ?' A
謝謝

tommy123

如果可以提供你的程式碼以及模擬片段，這樣比較容易幫你Check。

ian77316

謝謝tommy123前輩，
) X. S+ ?# p, H* ~                 後來我用波型和邏輯分析儀已經找到了錯誤，問題已經解決
# B' w- ]% O: H% k. K/ O7 Q: c& }                 似乎只是command沒有下在正確時間輸入正確
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& X+ Q+ l, X& O3 s" c  n                 很謝謝你的熱心幫助