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板上的各位前輩好..4 a8 Q' s1 E/ S: A
3 }: [3 a. U+ X6 z' J7 U我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。# O; u" W! Z0 R, h! N4 M* `
也把他的流程圖都畫出來了
" O' ^* J1 p% F1 e
( x1 O) B! Q2 Z0 O但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
8 ?' {' y9 t+ l只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
, d( B& m9 \% V- k D9 t舉個例來說
$ `1 I( v1 o( B' K! rHOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
6 L& I5 t; B3 g! \$ z" }正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
1 P0 d/ G0 f6 H. r r四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????
9 E3 d+ n: B) B6 P不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
% H& w7 M8 j9 [! [還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?
+ p _4 s8 C+ F7 J% Q/ b& t; t" v1 F
我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM
# c5 L! j# S. ~! G' j4 e( k型號是HM5216165TT10H
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4 s, w3 o, Z6 l- w5 d不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?+ r6 U$ v4 O7 L: c$ ?! h/ E0 ^* H
能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒....% v+ I- L' I0 E; T; K( j% |
. k5 Q5 G& |% L `* G4 q {謝謝 |
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