bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
op db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
不知是OP還是帶差出了問題??
+ d4 Q9 c# d/ @' v! h3 o請各位大大幫忙


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* R( B2 q/ V/ w如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
& C2 T+ B% _$ x, i( C8 U請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
/ K1 `6 V% ]  G2 [$ S2 j6 y/ |- [' cBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
* X% v' Q# F- m: c  ]/ }! ~  `/ G1 M8 o
4 d9 S1 p  A7 J+ u! Y# b( R

( c* C- \& i  W, f; S[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
$ H+ J" A* R) b& v# ?似乎提共正溫度參數電阻不夠
: @  U9 ]9 p. ^+ D6 c  A: R0 M+ I至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的

如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
' w, X; `6 e3 C5 X7 M, i% d我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
! {' {+ g, \- I7 X這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
( x$ X, f& H' c: X6 K' b# n# e+ q; A我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
1 G- X. D+ y  c1 S3 N
你還是秀圖吧~~

+ b. J( v+ ^/ F7 _mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:
7 _+ h( F8 n  y
帶差:

大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
/ a' T, o9 D5 m. G確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
6 a' w; ^* K4 p" q$ l
4 j/ O! g( r3 a5 R7 z, Y但是我的OP增益卻下降到很低
* S" e+ s0 Q8 ?2 c+ b: L3 Q壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
請問大大:
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
% r9 j$ W3 N. Z8 V! b0 ~2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
8 K2 S2 ?3 F! @! o: T9 j6 l; p) p
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?
; p2 l' ]" \4 J- I6 Y* i+ e
5 j( t3 ~( p5 m: u$ i下圖左半部是幹啥用的? start-up?

' w' T0 x  m, a如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?

如果不是...還請指教是幹啥的...
$ ~/ r: w% h8 Q' p3 D) y" }
你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
6 ^# y; U0 H2 u' _% w2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
3 l) V3 r2 f: z. q下圖左半部是 start-up
* i. t1 A6 \( o0 H正常工作時可以使我的MS3在截止
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
7 s2 X& _- Q) N8 K(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的
" q4 w1 Z' C( H* y+ R: @
回finster大大
3 G  _( S: P( q% Y! P0 _我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
9 z4 ~: ^  M  d: L以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)

. I5 |! P% D* H" V+ j我的bjt顆數比為8:1
% B9 e5 R$ C" ~- V- @0 [我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u
1 _) K. b; t( D6 Q9 j- n
! t+ D1 E3 ]- q/ J0 ?' b[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
3 A9 M: g/ [7 y& t5 ~1 {
4 d4 r; |! D3 j3 _+ r1 X3 q根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻

此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

5 }2 f9 s/ U7 U- f2 s- T9 d3 |$ i所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
; k+ T7 q! L% P0 j
因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差
3 }+ T; i7 Z: N- R' h' W
0 f; ]; m" B& l- O  k2 {% A加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG

也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端

BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫

- i! I; q; ]* o7 J$ n* m建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

# o" i; A2 b+ O/ r! [- T- n.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩