請問一下BJT的導通電壓?

leaf1989

各位大大我想要請問一下.35製程BJT的VBE導通電壓為多少?我看它裡面的參數值都看不懂哪個是關於它的電壓~
, {! d+ S4 B- d請麻煩說明一下要怎麼看?我指的是PNP10、5跟NPN10、5的兩種情況。

corsair

可以直接畫出來阿
% W" X* O% D5 j. B- @; M4 f" ilx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值
另外在p-sub standard process中
PNP不需要額外的mask，但NPN就要喔
10跟5應該是指emitter的邊長吧

shangyi

看不懂問題....
VBE不是跟電流有關???
; `1 A$ [/ e& x印象中 VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)....如果沒記錯的話!!
2 B- n1 l2 B' j6 ?所以你的導通電壓是指??

leaf1989

VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)這個我知道~不過製程裡面有IO嗎?我不知道要帶什麼值進去?
大大 lx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值?可以說明詳細一點嗎?以下是參數值
.MODEL pnp10 PNP (                               LEVEL  = 1                  
+ BF     = 6.35            NF     = 1.01            ISE    = 2.95E-17           
+ NE     = 1.9             IS     = 2.95E-17        RB     = 71                 
: c  y, A" K) R, \+ IRB    = 9.5E-4          RBM    = 0.1             RE     = 2.35               
  s' A+ l! L( c. b0 k+ IKF    = 1.95E-3         NKF    = 0.549           VAF    = 300               
+ BR     = 0.01116         NR     = 1               ISC    = 2.95E-17           
+ NC     = 1.1             RC     = 21.08           IKR    = 0.087818           
+ M& H* v$ p! K: Z. I8 E+ s( I+ VAR    = 7.8             TBF1   = 6.7E-3          TBF2   = 8E-6               
+ TNE1   = 9E-5            TNF1   = 9.5E-5          TRB1   = 3E-5               
2 w- u% b' Y) `9 g" Z7 j3 w* n* c+ TIRB1  = 9E-4            TRM1   = 9.44068E-6      TRE1   = 5E-4               
+ TIKF1  = -3.5E-3         TVAF1  = -9E-4           TBR1   = -7E-4              
6 ?! Z$ S1 c- F! M; g' w2 a+ TBR2   = 9.5E-6          TNR1   = 9E-5            TNC1   = 1.50731E-3         
+ XTB    = 0               XTI    = 3               TRC1   = 0                  
3 }5 Z- s( s7 U# I+ TIKR1  = -3.9E-3         EG     = 1.18            CJE    = 1.55101E-13        
3 n# f/ N9 B  H9 g, I+ VJE    = 1.23623         MJE    = 0.662557        FC     = 0.5               
+ CJC    = 3.131405E-14    VJC    = 0.552774        MJC    = 0.32993            
+ TLEVC  = 1               CTE    = 4.87874E-4      CTC    = 2.63294E-3         
/ B' X' H! d1 s+ TVJE   = 2.16319E-3      TVJC   = 2.955E-3        TREF   = 25                 
+ SUBS   = 1               TLEV   = 0               )

8 ^+ C( T' Y3 b[ 本帖最後由 leaf1989 於 2009-7-10 12:27 AM 編輯 ]

shangyi

抱歉...我上面的標號用的不清楚...
' i* Q) Y& ?& f! Y: b因為以前BJT都只用在bandgap diode的使用上
正確標示應該是
3 {; M: M2 v9 l7 wIc=Is*exp(Vbe/Vt)
6 G" h7 M: O+ P9 iIc = collector current , Is = saturation current
4 h0 m# H2 m8 ^, r* y. p$ e' J/ w怕我講的不清楚(功力不夠) 請詳看Smith bipolar章節
另外model 參數定義 可搜尋關鍵字
8 ]" e- i& w7 j' _( G8 }1 b"hspice elements and device models manual "
有文件可下載 或上mosis找找
: o$ S% ?& C9 F  s1 x而lx0(node) 為Vbe, lx1(node)為vbc, lx2為Ic  lx3為Ib
lv2為initial condition Vbe  lv3為initial condition Vce
想知道其他 lx lv 參數定義 可搜尋關鍵字 "hspice manual"
+ i8 l. k1 W) ^* j9 s- K下載官方release 的文件(只是是舊版的)

leaf1989

我已經解決以上的問題了，謝謝大大。