|
原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表
' v/ A! G4 d5 K4 ^3 k% V3 B至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有5 z3 T7 a" ?( ~! a! {! i/ m
{. {) U M* U/ X0 w# e6 t" L再回答一下問題
6 E5 E! `5 h" y在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了9 u2 Y9 ?5 i9 n" N+ i3 u
再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧% {- C9 z. {* L! F& s9 \, R
, W5 ]- I" X% t. ?3 c
最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的
$ ]3 E/ b6 i; d+ @& w2 e: M
" x3 ]$ C4 a4 X* W
' R4 B6 F3 A1 @; y R關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過
, _1 w: f4 Q2 I% `) C比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重/ V+ e+ G/ H7 P2 V/ M) A. a6 d
在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100
G! L# P5 v9 X/ G2 ^) E" R) O8 B在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:64" z8 h4 m1 o/ n4 N+ ^2 `
0 E' Y. V; q( L
關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size
- J" r) m3 Q' Q" K6 ]如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何) w- ~& H, T& y3 P/ N
7 A% N) l4 X5 Y; o3 e
至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應
1 J; r; J" C' I2 {. r. {4 `因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的
% ?5 _3 d( H4 c& w- u- B' w! U
9 s' o" p* q; E至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設% J- k2 A* A; {5 i% w
只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
|