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樓主 |
發表於 2008-7-25 09:24:25
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本人找到的一个方法是在LVSCHK[OPTIONS]这个命令中,在options处填上【X】选项,这个选项可以上比较进入到晶体管级别。个选项解释如下:
6 S$ F1 z6 ~0 U( l L' [A:合并串联电容。例:两个为1c的电容串联合并为0.5c的电容。) j0 e) B; E8 T; I* u
B:合并组件如MOS, LDD, RES, CAP, DIODE,但不合并并联BJT晶体管。2 V* R8 j. g# l8 M5 E% R
C:组合晶体管形成一个整体器件,如INV, NOR 等,但不能应用 X 选项。只有被指定为 或N类型的晶体管,才会被识别。- v7 s& Q3 a5 ~8 o# `* Q) h
E:匹配器件如:MOS, BJT, DIODE, RES 的尺寸。
v( \4 q6 t& ]" MF:过滤没有用到的MOS器件。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。* @" h( @3 b$ k/ C4 @5 q0 N
G:对schematic 和 layout 应用相同的规则过滤。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。" r1 e, A0 w9 p5 \/ i0 j
K:保存器件并联状态,默认为合并。例并联电阻,并联MOS器件。(注意尺寸的计算。K选项将会让B选项失效)3 C6 J4 ?1 U7 `" Y: p6 n
L:与C选项相似,但不组合AOI或OAI器件。(L选项将会让C选项失效)
+ Q6 y k2 o8 }) EO:组合并联或串联MOS结构。默认值将不会组合SMID或PMID结构。该选项打开,LVS可以识别BiCMOS结构或门级层次。使用O选项将禁止打开X选项。$ m; a3 D2 \; O
P:识别CAP极性,极性端反接将显示错误。
' e- e* G) C) h* eR:合并串联电阻。/ S! a: [5 \0 y& ?% o4 g G; d# L% G Y
S:合并分列式晶体管结构(假的并联结构)。# `. ?* b- L" s: V* U
T:在匹配时,将sub 端作为一个通常的连接端来匹配。4 [- S9 h8 w1 t. @; H3 u- ]! q8 ^
U:在(.lvs)报告中去除多余信息。
, Z3 b3 |/ i- rX:比较将延伸到晶体管级。例:NAND2两端连接会有顺序。/ J6 c ^/ @. b0 p) G: h# o" @
Z:过滤没有连接到P/G的器件。 |
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