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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18
8 t' A! |* m0 Z" J+ U: n8 d
3 z; I! y6 x. g# {% V. F---RUN DRC----------/ H4 p6 C$ ]* P
出現error! z9 E9 M, \! `, K+ E  s4 _

1 V9 T1 P) w0 o5 i1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors8 k  j1 O0 Y1 c2 j5 G1 ?
(OD WITHOUT IMPLANT)7 c5 `- n. S6 `. B; n9 k# M
/ \- }4 m( T5 n* M# U( ~: ^
2.CHECK M1.E.2- 8 errors
# K. T. o* X. [% `6 b; LM1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
2 `# F3 n. F; b2 C+ xC0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite* R2 S5 w2 G3 ]0 z- ~& ]# Z' Y) P
INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)( V% l0 |* \) c5 S) e1 f

& l+ E6 d- h0 x" X8 j3.CHECK P0.R.3 -1 errors
2 t9 f+ b0 X; }' E  F1 _1 F! Q3 C& LPoly area coverage < 14% (exclude application forindactor)& G& p; M+ H4 Y# N8 o
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY, _1 y. d% l' j& _
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print
5 O4 L2 f9 x' q$ D* hAREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)
6 F# T, z, \% [, A/ J7 ?: I  y.. j) [; {6 j* E! j
.8 ~: H% f# x  {
.
4 |9 }/ [: ~: n5 r類似錯誤
5 [3 P- N, |; O8 z8 E" Q2 O8 W
. G8 z- f9 K& G5 t3 C! z, A
) c/ t, w0 h: h6 I4 L! E' c- s0 l0 T

9 B7 k( B+ o  R2 @- G7 U1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,
  F' F7 ~' R; w4 s* [4 f5 D9 f希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?
3 P8 B+ A& q5 o5 ]ex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的2 x6 q* }5 E1 G8 Y- }9 {' K
2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
1 c' M: h+ S( Z$ Q& @2 w都是憑經驗
0 T3 c% K* w! L  t2 w) C! ]
7 J' i# K$ n5 L1 D  Y初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant: f) s! `1 o. t) a- ~( ~* J! N
2.是左右MT1 extension co 需0.0um
+ K1 [! S: O' A& H% ?* K/ {3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)+ }. Y  s7 R# `% c9 I, h' @
我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程
* S) d! E, }$ ~9 \7 S. |( s$ D% [5 y% Q$ G
這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?
3 J$ h9 d0 A- A6 ~* `  v6 @第三個coverage 可以忽略
0 `2 p3 F; }% M4 k3 c8 g5 D要下線時再解決即可
$ R5 o1 K$ v' k9 c  ?
9 G" {4 Y9 M1 [. `0 `+ w# D* qlaker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
0 }! \$ v" a6 N, ^7 V( P  c應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表
2 n6 R& a; [7 }感覺您mos是自己建的?
$ ?1 P' Y6 M) X* W. a第三個coverage 可以忽略9 E  R$ Y$ E6 }; B/ B
要下線時再解決即可: q2 m8 u% }, p  w4 N0 ^/ L1 p
# b4 T* ?# p0 w& Z- X. I
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能.... ^# O& M- X: _. i8 [( d. a1 x+ j" e) C
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
& c3 N9 z3 Y2 b0 A' `

' r1 m- s1 R, C- j  q5 Y' z8 ~8 S$ }8 [! r9 ^
mos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣7 g8 }( U! Z/ C
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um9 z0 Y/ _: ~& W
感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um
, t( m' ]5 h4 `% v! w8 V: M: g=============================================5 l  L3 a( N/ ^/ m: o
今天cic 有開放線上e-learning, J. V" I  N+ i9 B
趕快詢問您們lab的管理員
( P' v7 S  \3 }- ?  ~看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)
6 c" t- W# P/ S0 ?4 s! r裡面有教laker、full custom design concept5 W7 {" L( u' K& h6 T
亦有hspice,都有一些不錯的技巧
5 {8 r  Q. g% m' x: [" V* B要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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