mos的導通電阻要如何求得?

averyer

各位前輩~
) L( K, K7 C1 s6 d, o! M% a
我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?
9 h; ^. H1 _* _7 M
我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?
# \" u: Z8 t9 c
+ D. [) M& N4 G; i) v  k2 Z- a因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
' t; e; o: `- q& D
print指令是要如何下呢?
7 o, V6 H' p& o; C
* g  l, A/ T+ {7 ^/ z4 J0 `1 N# E5 k麻煩各位前輩幫幫忙?

skiptoo

一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
在Hspice中也可以利用 Expresion来做
. g* H+ H; T/ F9 |" w& n我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来

finster

舉個例來說吧
假若是用P-type的power mosfet
! ?8 [6 m2 u! c$ d2 N/ e那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反
如果這顆PMOS取作MP1
: f8 r8 g- ~! O0 J# |/ ~則,要計算它的Ron電阻
.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')
, r0 R- Q5 C- s/ e- k% R0 A這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

averyer

謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~

jerboa123456

請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確

finster

原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

* X3 V1 n4 Q6 j9 \  h- R6 s

3 k/ H2 i6 m# W& e, Y( G使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
: o/ x1 C% a" m( a' l如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈