mos的導通電阻要如何求得?

averyer

各位前輩~
. m7 `$ N7 M! l+ l" s
我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?

! G! o! h& f" ~我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?

; O+ c: l. V7 D. l+ Y. g- p! v因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
1 x$ M' ~/ ^9 u+ v- G
# D5 l0 T7 |3 Gprint指令是要如何下呢?

麻煩各位前輩幫幫忙?

skiptoo

一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
/ J4 x- v( B/ T. t" ~$ L7 i: @在Hspice中也可以利用 Expresion来做
我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来

finster

舉個例來說吧
* i( F. F; J: Y: F( ~9 A7 D假若是用P-type的power mosfet
那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反
如果這顆PMOS取作MP1
則,要計算它的Ron電阻
7 K. v$ N4 Y" Z.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')
" J/ d( a  o# [" x這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

averyer

謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~

jerboa123456

請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確

finster

原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

9 H: Y: v& R1 K, V& `9 N

! |7 r+ z6 l; H% `. _使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
2 q. s( B7 x: n如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈