|
2#
樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
|
只看該作者
提供一個之前用的方法,
/ p+ \# k) v# E, { Y$ J4 {由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), " Z9 v' L% f: m
ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) B. X- [2 L/ ~% A( P& O
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
8 Z- y J o% y' }7 Q% M; r JVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
, i7 V' I: y) _4 q1 w由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)6 G; p* t, e! }$ s; ~! q& z
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]. m6 K. \& _8 ?: P: p4 o; H
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2): t- w: E1 m2 n
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)% K2 B$ ^" g0 @
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值1 c& [6 N9 |+ P3 J L1 C
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]6 D, f) o& Y! p \2 S
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
|