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樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
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提供一個之前用的方法,
; l, V, m$ i* Z! `6 g由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例),
! Q+ I& W D; r4 s) ~# C- l+ Q. ?ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
! _0 `: o# E# `$ F @% U在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,0 ]* F h8 [7 y" C# \$ y- W
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
; R2 ]1 L5 L |由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
8 _8 g, j' C \在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]" D& H1 g D- E5 \
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
% m# V" I- E& z% T% j故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
' \( r; P5 e% ^( A3 P& `將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值- M8 [" v' l" t6 l7 {
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
8 x( j7 `& \8 a( D/ ?! Y1 t = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
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