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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 b. J5 [; S' T4 e! F
  u2 R& E" ?7 |poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 ]1 _2 Q) d" x! z5 @大部分是要match" f, _8 L' R# u4 p2 R# b; F
Metal poly  density  不夠- }/ Z, J1 ?& [
加ㄉ那些也較 DUMMY
& K* m& h" ]& T; L1 ?把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * i; \9 H0 \* F: `/ J, L6 S

+ f: d( U: v! c
8 E; X1 c6 v5 C8 v4 Z" r- `) J2 f8 p    感謝樓上的大大3 k& R3 H, }) y  ^7 K) f( R% L
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . |- w" f6 ~) X# ?
! Z% }2 |( q* k2 a6 K2 E& P
& C. a0 [( o1 Z4 K& N3 f7 I
    感謝您回覆的這麼的詳細. ]6 u8 |4 Q7 r7 `  D% ~
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) w7 \* ~" H0 G
! |% b8 h. }, c; q9 ]! S1 s- }不過簡單來說1 g+ F. S8 h' \, s
在製程時食刻會破壞掉你的元件- ]7 x- M& ]! Z8 e- p" T) I
而特性就被損壞
% V9 u* F( R/ C# Z& Z% k3 U) ~- l4 l$ \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# |! w) i2 ~6 K' z$ Q所以蝕刻吃他最多% z" a; l3 k, m) ]( Y2 C) s) ?
主要部份特性就不會被破壞% P0 q5 N: _7 _& m5 \
( E, K. E+ O# v5 ~1 M
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
( B( N* h; k& i# T所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享" s& L) c1 b" {) x$ a

: x1 Z% m. P* {5 T又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) H/ g0 O# O$ _  o% m8 S2 u還有電容也要加
" f2 f0 T* H( h4 c7 _若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: P5 U* w9 u4 O* O4 Y% z$ V  [. P0 Y/ J% v5 q' k
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& S5 I4 X$ E6 Z( b- Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" i* t2 n1 K) }- r# n
6 o2 I2 C+ K3 G; s. N0 Q4 [
( \# E: _' S3 o. y5 p: v    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
) C3 {3 `) v1 I1 d7 I/ f
7 J. K6 v  {4 T; A; S/ w, z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ v4 q/ Z6 G5 H% h& M# o0 t* j4 C
# F( W# n" X( N數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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