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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. W$ t* p) Z4 d* i$ U6 ?
: P6 [$ q. X" X7 G
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
2 C% N& X8 Z& y8 |# `- d9 q; O; Y大部分是要match, [* i# k3 t8 `! ]; V$ ]1 g4 k
Metal poly  density  不夠0 ~8 [+ N/ {# a4 T  F
加ㄉ那些也較 DUMMY ! F  m+ u& D3 w( K5 m
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # ^3 M3 I8 U% N# ~

# L6 t5 e9 {/ K8 h( g5 g* D! a' k3 r- t3 t+ z" \. t8 y1 S
    感謝樓上的大大7 s- ?1 g; b0 b  g5 D% ~: q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 # S2 R& u) H( }9 I  F

0 E( u: M$ c& G& U, Q1 n) O! H- ]+ Z
    感謝您回覆的這麼的詳細
4 w9 w2 ^( v7 @/ z* M您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 I2 g: J8 v( b

' b  L4 S# w3 Z2 `不過簡單來說
0 k: E* Q" g# R& K/ U在製程時食刻會破壞掉你的元件
# R% y) P' K3 {! ?8 X! ^而特性就被損壞
, O3 E1 O8 I. |+ t
* X& ~/ j$ ~' Z3 ?+ b; R若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處># q' h8 w  N5 M
所以蝕刻吃他最多+ y" f+ \+ b- ?% n
主要部份特性就不會被破壞
( [) x+ k" h: d, \; K5 t( D+ k( F2 G+ k- i/ @; n6 d; V9 |
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% N+ L* U& K6 s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. Y4 A6 |' P1 B! L) b" v! p: A, M* a& y' \5 A! |
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 J# O) L6 ]+ o& Z: R還有電容也要加
, D9 X/ M1 f5 }8 T1 H8 r若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 a8 z( M+ O- `8 Q# \3 i  j0 a& U7 h5 I$ s# R
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# F: H/ z& A; U+ f: K
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

% }- d( ]* r; t0 `! }' ~& A) r' M4 L- ~* R/ }9 C) z1 ^( @# }
1 q: E' X+ q% A" A! g' Q* y+ Y: i1 ]
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 l/ s0 H" {- O. ^* @8 B# c1 n2 V
& D$ ~2 u* m$ e$ Q: m
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 l' C5 |% T1 ]% Z0 B2 P# O+ k8 F6 f9 c; e; D
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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