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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& n! x5 k/ ^) [( S! G+ _8 R6 ~* `" e0 A
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! S" o1 `' g) i" g, m7 {8 N& ~
大部分是要match
5 x0 D* C# U2 z* I6 R, mMetal poly  density  不夠
4 Y* K1 O& _2 U; T) U加ㄉ那些也較 DUMMY + j/ c: a/ ^/ x  g% h$ L, T
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 B% W. v7 u4 z1 i2 `6 u& t& p& |+ o4 n& o
& j% N. S& ?: Q; O6 v4 t
    感謝樓上的大大# P. v0 T- R! C: x2 B  `$ y
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( {5 A" r7 m; I! s% G( r
( \! ^0 t3 r9 ?4 x

5 W" H$ |, ~: Q$ e4 M- {& U    感謝您回覆的這麼的詳細
$ S- ?7 j/ L: H您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 [% _" ?5 b, Q9 ]' N  @
6 H% P* @5 L% @+ e7 b0 g3 t
不過簡單來說" @, P2 \& _3 N  q) P
在製程時食刻會破壞掉你的元件4 P# i" U# d+ ~% L- k
而特性就被損壞# e6 q. w- A6 [% I4 S

9 n* V1 o( Y3 ?8 F* h+ t8 d若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; c7 o: G+ x* v0 S+ L. t所以蝕刻吃他最多+ u  c0 p/ T6 d9 @
主要部份特性就不會被破壞
/ ~1 T% v  @1 N# d
$ W/ \1 {8 X, ~7 }1 g- C* l8 t7 j很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! L: d! X9 w' Y, _
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( K$ A$ p$ k" K' O) [

' ]" o1 ]2 r7 p: F" K1 q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 C, q+ l9 Z4 O6 {
還有電容也要加4 c; z: w5 q7 L4 g' o, l0 T9 K9 A
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# G  ?# E* u# ~* q! N8 b
8 r# I0 d# L! j& U' V" Q5 b: wand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 r& q3 O5 l* S6 Dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
# Y  A3 Y* x7 O
2 [: j! ]8 B* `  c
+ b, `# |% }" b5 z" i% v4 P
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, g' x% ~0 r- A2 w: V+ g
6 h2 w, {# H) f! R; v如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 J9 u5 D  i' L( b4 ?7 ?  ]  B/ w1 N
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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