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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
( F6 M! D/ K3 g$ H0 J3 J( ~/ V9 m! e5 Z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' W2 V1 s- F# z- x0 R大部分是要match
' {, i( H- O- _. u& QMetal poly  density  不夠- C& q( v! D+ i7 r2 `# I
加ㄉ那些也較 DUMMY
( H$ N2 m/ d/ _, g把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & P. n6 I3 ~; @7 j2 b) }
* Q0 F, ^" e+ U$ v/ h8 E. z
9 |! `- s' ?6 |" X$ n
    感謝樓上的大大0 k2 a" e7 j0 R' @
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - `6 ^! k) Q' P' k: P6 L; T5 C
5 r, h3 h& u( E8 s

( N' M/ u' U- B9 w2 c$ ^    感謝您回覆的這麼的詳細
! x. G4 C) i! \( M9 t9 N( _& Y) P您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 p1 K* A1 F( }9 v# I  P9 M$ }) R3 L
不過簡單來說) d* k# w+ G) y7 e8 u# G# |+ t8 z. D" f
在製程時食刻會破壞掉你的元件
( e9 D& _7 F2 j6 ?6 P- _. G而特性就被損壞
' B) S) d4 @  e9 v# j0 T% Z  c9 H9 W9 a, Z$ T( V/ ~! k
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 a2 h" i2 E$ \$ `- ?; w) m
所以蝕刻吃他最多
1 Y" {: X* _7 u9 s/ q  V2 V) y主要部份特性就不會被破壞
. J5 h; a- L( s# z( ~# a: o6 G, W' L2 P% C$ b
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& p( i1 W5 K( b5 z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 V0 z4 R4 _" G- S4 o+ T

8 i* Z/ a5 d+ t4 R3 Y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加; a7 X9 h6 C: g- @# d7 G
還有電容也要加
7 U$ y6 X/ [% Y8 {2 l7 M4 T若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, D( N% _8 u# l3 m( X! j4 Q8 o- m5 M; b1 r$ u4 Y2 I
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: a5 ^- H5 P, W: a# R9 O
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( c  W' r# D# D

8 K$ k* k1 u; o3 i( I1 R! l) q( j* U# n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??# m0 q5 f& e' C0 [- D
, L& M$ t! A5 w6 a, A
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
/ e. O3 C5 l0 s! N2 y
; h) ~; @2 F& {6 W$ F數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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