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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- m5 c- z: r* m$ S/ o2 a' b

0 c" u/ l3 m: ~4 ypoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 D6 R5 a4 b8 `$ w0 k, W
大部分是要match" g' M' ~2 M' y- |0 R9 ^& l
Metal poly  density  不夠
$ f7 y0 o2 X3 A3 C) d1 {$ a& j& d* [加ㄉ那些也較 DUMMY
2 A2 N6 y4 w* G1 e6 f把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & b0 F( I* `) L/ W& I) B8 q
" |+ e# u6 D" s" Y. l+ x1 v

4 a9 o- n8 h' C" N8 Z1 T1 e  m    感謝樓上的大大' }' i8 m9 r# ~) Y3 ]
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 F  Q, d4 c: r4 ^/ Y

6 W' \; ?9 ^7 p/ ?: O7 n3 ]. L
& p: m+ j0 g9 m8 ?9 }+ J    感謝您回覆的這麼的詳細
0 \- b5 X# r# X& ^, d您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 q+ b* U. v5 t1 t

% b1 H4 V% E3 I" z- L# w不過簡單來說
& m: m8 h% [2 Z0 ?0 f# H% U在製程時食刻會破壞掉你的元件5 P4 p* @. |; c# B- P3 }
而特性就被損壞
2 X* @; u$ a6 H- @! \
0 J* [3 L* Y& @6 M- D! G9 Q- i  g若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 o8 x; X$ ]5 D9 H
所以蝕刻吃他最多& Q/ O, Y1 ?: m3 Q( @' r4 r
主要部份特性就不會被破壞
# \8 L+ G  y: W" p' `
- p* b$ Z! N% }1 X+ H9 L  z# q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) I# W: j6 ?( I8 b2 W3 h所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( \: p! Q6 \6 Z8 \/ b% H; A
4 O+ w6 |0 {( ]1 ]又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 W1 C* j1 @7 ]9 k- s. M
還有電容也要加7 a# ^4 o# c7 D' l7 P: h
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!& ]! g( n4 t1 d4 l0 b
- l$ u( W) |$ O; t9 _! M
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
/ P5 u- D8 L- ]/ R1 \9 b% z& n. lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' d3 K: o* f% E. `6 z: t$ O+ p
1 K, S& v( D9 Y4 R
! F0 t! V5 f) I$ C
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
& `9 L: n/ |; @" d2 F& w! v+ p- O. a/ M$ V% S& W' }
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
8 ~, }% |2 p* `7 E- s( p& @3 ~7 u3 R9 _
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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