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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. F* f/ U* `6 S% ?0 p

, Y: k) y9 f: x$ q2 y8 g/ R' M  }poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, l4 |5 i: f; @% X
大部分是要match
( s8 M! B4 y* Z' `4 JMetal poly  density  不夠
9 j4 Q/ _  k' [- k6 G加ㄉ那些也較 DUMMY 8 S9 n* m3 O6 a$ F5 D( {
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
3 N9 s7 e) o8 `' m2 r" k. x0 u2 M! m8 \# W2 {" N& T
7 E( R& o& c1 w( A* q
    感謝樓上的大大0 _6 D% _: e8 U. Q$ d$ B
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& v0 S1 j9 K9 `0 ]) ]* f( j9 |% I/ `; o! {4 y
  b! z/ L& V- {) L7 \
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 V/ m: K1 O( X$ p8 w( Z% U% b/ E% w您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( p0 V! L9 ~5 t. b6 Z# `1 |
$ I6 x7 u; Z! e; x1 b+ A不過簡單來說" R5 A4 D8 C; j1 v" M, R9 G  t
在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 C8 d+ D9 }7 z而特性就被損壞
+ H5 b% k2 [0 v0 V' X" ~2 D: y0 J# x9 v  U) n
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; a; X* o& Z6 h所以蝕刻吃他最多8 Q: ^- M' y6 S8 R; w; z4 v
主要部份特性就不會被破壞9 `' t* C, ]' s4 p$ Q8 x, ?
8 v% u# _6 U6 x$ l/ J$ K' \$ [# ?
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># K' D- p5 @3 {& {- A
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 d, T0 X  M9 C- M$ m% q( d! e$ E* Z; n/ }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) t6 q5 _+ X& S還有電容也要加
: w* @/ ]: p* a1 ^& F若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- j2 x( S( I3 G. X! O' n
. o, V2 C9 ?: |+ o1 c1 S  Fand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .... }' M% a* e6 I
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ k& t- W) U5 Y; O0 C! `3 ~
! R. j( M% _# c' l% N5 F8 v! i
5 M& m+ i" M0 A5 v
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  F5 _% J7 p  d' Q1 l
! |; Z, m7 l% T/ _; y8 g. G如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 a# H% T4 d$ O9 d: _2 U
, T5 F/ }9 o0 S! `. |7 I9 f數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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