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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ A5 G/ j  K# J* X

  |8 w8 m0 P- [& D+ e0 U, x# lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% y" N8 A5 S2 G9 Z/ u% g, N大部分是要match9 F- J; Y8 \  a) W; e9 O- X8 H7 O
Metal poly  density  不夠
% Z& {( J7 [( R5 U8 u) |3 O# n加ㄉ那些也較 DUMMY 5 q$ q: o2 L% Y2 {8 a# Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) h# [2 w6 \% L, _8 l) m
; d3 l$ t2 r7 _! M7 a& M+ P
8 W) [$ k9 t% f% M3 p
    感謝樓上的大大
2 u3 U. W9 p: i   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " x3 Q( z5 \9 O

/ D4 `$ m1 r; c& ?0 e' t7 X2 ]5 U. F* d( R& a
    感謝您回覆的這麼的詳細
6 {  B$ N3 }; J* l& d  i9 n% l4 m您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!& z& T( O" j9 r. _0 E

' I1 l! y8 \' c2 ^4 v不過簡單來說
% c& G7 l9 L7 X在製程時食刻會破壞掉你的元件! G* x" k+ n# M8 C7 j. J
而特性就被損壞
! w, c# b! m1 o% ^
: T: F, x: q% p若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 n5 l2 W1 g5 I  X" S/ s
所以蝕刻吃他最多3 ]2 L7 p3 p, {
主要部份特性就不會被破壞% y& O. t9 F5 Q" `

6 F% E0 A. W1 S很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>/ q+ C" T6 k$ [. p8 a, v& G3 ]
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 L5 d  u: }7 H* S5 F9 @
8 o5 o, C7 O. n又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 y* y$ a4 s; O5 E  a: W- D還有電容也要加
( Y' @2 J5 {2 M) L" |* h) a若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 v# Q4 e9 M$ ^! s6 {: W: e* u5 ~0 D9 B: U
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 y# a5 I3 S2 f$ J5 [4 E, zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 X2 [) X# x$ I
9 P2 ~' P. j1 R' y' y4 b3 Q
* f3 o) I: a0 }0 ^    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??8 F$ ], e6 s. h* j

* D' s: Y8 M: Y3 n如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% i9 f; e# |; _( h3 x. S* u7 F! w
. e5 H! ~5 r) ?/ B. T5 s數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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