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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. ~% D& \. N; Q6 }6 }# m: D
  t5 f, s' Y4 H+ ]5 Jpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) }) h! A* L0 @; G/ }7 S
大部分是要match
/ G/ D, D6 q# {6 v4 k2 q8 PMetal poly  density  不夠( Z, j& d0 e- v2 e+ ?8 R
加ㄉ那些也較 DUMMY 2 c3 ?% l4 ~/ R: N. v* u9 Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
. B" Z2 C! `% P) g' J
9 o# ^7 l- r; W) i% U' g) V% b9 W% P$ z' L* y
    感謝樓上的大大
, G4 Q* z% x. A8 ]   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: I2 |4 g+ H$ z  d4 c2 M3 C/ R! {& a  i( L1 j- d

9 e0 C9 }+ a" b9 g, k' T$ L    感謝您回覆的這麼的詳細
- }. x5 i6 I/ ?6 o1 }4 D/ {您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. \% F+ ~$ A, G; I
: [6 D9 A0 Q1 R1 g* j8 P不過簡單來說6 @# P$ [% ?+ ~/ H+ M8 [
在製程時食刻會破壞掉你的元件3 J0 h, V* V  X  Y! u6 Y- g7 o8 C
而特性就被損壞  j3 d' c0 v% ~; d) E
" C" _1 ~* G: K2 v8 L  y8 K& \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
* w8 U  V6 p% j  C4 h$ h6 z所以蝕刻吃他最多; Z/ Y; O1 \9 D( ?6 h' ]
主要部份特性就不會被破壞5 D$ O+ \4 K2 {4 M7 ~/ m

0 u% ?3 O. M# h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& n: g1 n% f" j: k4 f1 ^! P, T所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ \5 i% v& W0 f& E: Q# S
5 \* ?/ b) [! M
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 \' r! g6 l) F: O. [+ U還有電容也要加6 n+ ^3 Y' f" e, L7 w
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 V, r; b' A! N, ~: j" X$ N6 ^' @* Q# C: ?
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...! k  k! k1 y2 P5 [" e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* V- m0 b) A+ X; ?

8 C' @% a. v0 K7 V" o* e! Y4 @' ?
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' V$ X1 N- k/ s) g0 u- K
* D9 K! B# W, ?3 x; Z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ `8 P. Y& ?4 J# e

8 z- k! U2 q0 I5 R" t2 Y* s7 y6 n數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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