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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias) \2 M5 i- h. h: x; n5 ^) D0 r

9 y/ e. f$ s, v' }9 O0 [, \% ^* P0 }poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) H/ f1 R, R; K( F6 |
大部分是要match
. n" t" b/ w  s3 o9 pMetal poly  density  不夠
( t6 i. q$ m& U$ |# Z# G& Q. j加ㄉ那些也較 DUMMY
. e5 M2 K; N9 N4 x. T, D+ j9 N把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat , A/ y6 D$ K) Y4 Z; f2 m' E/ U1 S
' \8 f5 o8 |, I- D( N

" y* x( O1 d1 R8 m% Q( w2 x    感謝樓上的大大+ u7 D9 _% p- m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : v/ a2 p0 |& a2 w& t2 [
7 r9 `; Y$ F7 n; S3 l
1 H7 H0 J$ B( h: {5 r/ q  ^
    感謝您回覆的這麼的詳細  N: M2 B3 x4 b- c% ~0 A% z- k% N
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ r; o* @1 H  t5 S# @9 f

( C) C$ e6 |$ E& M不過簡單來說
- B9 v) u$ q9 l5 v& F, J3 V& {在製程時食刻會破壞掉你的元件) ]% _# j  G, r0 r
而特性就被損壞
, h# r- ]/ F7 H" k7 ]5 U1 I' n4 D' [  [
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" ^& Z, x2 G6 Y所以蝕刻吃他最多
7 e/ P9 ~4 P4 W$ T3 y6 K2 a主要部份特性就不會被破壞' O% i6 X0 j& K8 {  Q9 J) b6 K1 |
1 S' \; E5 o/ Z* V/ U2 D# Q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
+ T9 A* e8 v, S" q0 x& y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* w: ]2 N' b4 a; p; Q/ F
' x# m1 O0 p9 O2 E又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加) Y) r' b5 x2 b1 L; e
還有電容也要加
5 f2 c, u+ a9 [) Z/ I2 \5 @5 o4 w; a( Y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!( F6 Z- D7 X6 @8 _0 B
3 A4 S+ t) |9 b0 z' `4 J5 K
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* v) M# X5 K  d, W
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" Y: r/ @5 ^- _; ~6 ^  [- G! p4 L

3 I/ c. l/ k6 R- @1 T$ H2 h    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  m: `: c0 l1 P: o% o" s0 I' p0 r
4 U2 c+ `: Q6 }3 J3 X+ A9 b如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" D/ V. C5 f' O3 o6 t! i; x2 c* e; h8 q2 ?0 |' f
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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