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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias; X/ ~% A* a/ r1 [

! t: Q  E3 R2 R/ K& \( J8 O% [poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ `' `: M: V9 A6 }
大部分是要match
( z6 m$ \/ |3 V$ d( j$ LMetal poly  density  不夠$ G7 }# o: C) U& d+ w! I- N2 j8 I( }
加ㄉ那些也較 DUMMY
* ^/ P. [: W2 U! k6 {把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat , x8 r% f) }' C2 H$ s
, [  `5 o% u, @/ c3 s

* ?& ]/ U2 s- F7 n    感謝樓上的大大) s; S8 m7 C% Y
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" y! u7 S" {3 n* {+ [" S
& f7 v) a/ e; X4 Z+ a; c5 B6 _% W1 l* P& _( k7 g1 P  v, u
    感謝您回覆的這麼的詳細
3 F3 Y! ?, N5 M您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!( d6 l0 B( \' P) a& l; G

3 G; s" t5 o! N不過簡單來說
* v7 K- `' a5 y0 ?' h在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 Q: y5 i( v- L2 m  V而特性就被損壞
* ^* T. N- E! {2 k! D2 y, h0 K7 ^" p" E
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
$ H# |' w3 }0 n1 M' E1 W1 K3 V所以蝕刻吃他最多
0 v5 P. J3 l0 i7 W/ `主要部份特性就不會被破壞
& E" t9 z6 y$ }1 W# h
, W$ R# ~, B  }很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* O$ R1 _( A, X" b+ ]# O' k* L2 A+ w所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
4 x' l% V: a: {6 l5 I8 W8 P+ r
, d. u8 m$ [2 _. ?  H+ ~& p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加' O/ `' J- m& s6 X6 l
還有電容也要加
5 q$ m! V) t5 f& E6 u; f若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ `( ^8 j  [- i6 T3 \; B

, j8 j7 H, r+ ]: ~and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ U2 u9 o3 x4 H! O7 P5 s/ ^2 p+ h4 ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( l" I1 |5 d! e% W; x* Q: O

; q( k* ~) i3 Y& z8 j; A4 w' R0 m( v$ Q  Z( Z* N
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??8 ^$ b/ @7 @# {1 M/ }0 n

, G5 C4 \& M8 u; {# E如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 _$ v# d9 x8 U# w" z% |

: F: N" W8 R7 X1 H數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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