Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54863|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  Y! {4 j* O+ i' ?/ {
  S9 Z, e0 n) m; h8 _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 m7 ]9 o( U4 _' q8 h# T$ w
大部分是要match
. @& a% p& @* ?8 ^/ v* }Metal poly  density  不夠
& ]  }6 c* M0 M# E" `加ㄉ那些也較 DUMMY ) ^; M2 K% V# S; a; _% r; [1 s% n" X
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + K+ O6 q& |3 P- D9 i4 N
( X0 m3 r1 v. ?% r4 ~

, q1 R" W( \3 l) u! h) L    感謝樓上的大大
7 T" N, W! g% u1 g   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' i6 S  p3 ?" @. G; g
+ s5 `; m$ x; z, N# o

) b1 f% L0 R3 w    感謝您回覆的這麼的詳細
: l/ m& x2 m7 p" r您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 Y, f6 f9 L; B2 J
. R3 R1 s" W" z9 ]! E( a6 ~不過簡單來說+ _, d: H9 c4 ?3 R8 \1 E
在製程時食刻會破壞掉你的元件6 k, p3 [2 n( j# {; M7 I
而特性就被損壞
* N' j: p/ n* {2 s# T6 h+ u) ]% J/ F* s. H9 v7 r+ o
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* ]; [! p7 y* `3 _1 i
所以蝕刻吃他最多
0 f) E0 T$ j6 F主要部份特性就不會被破壞
9 P7 {7 {8 w# g4 C9 S- n- `5 [4 ^( S% S% M& d
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 a; @  x& ?$ q所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
# S/ w# T# z( X0 b9 S% x% m3 y" {; e. \1 }7 y
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* d/ W2 R- z' T, d  p" k2 Q還有電容也要加; W4 z& g% L8 h1 l: r3 u* X! V
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' H% H- ^' w  T# N- d, z& ]
! C! c. Q- ~7 o, c3 N8 i6 a7 J
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: o: X* v' T% O
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 {1 X: D  \$ y/ u6 u" d
# n/ t$ h0 ]& W3 n: R; [9 R
7 Y; R$ |# L* Y7 q# `
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??, V4 \" j+ t' q, e# O
5 R. x$ H8 `7 T2 i  [" n; m/ J5 G
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, n/ K- ^6 i- A$ A' h0 z8 K
; G) j8 Z; g8 H0 n
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 11:31 PM , Processed in 0.201012 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表