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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias/ N9 z6 H9 p/ _8 J2 Q, o  c+ e

9 H8 c. y$ Y3 I; Tpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. D. \) P- j3 G; p
大部分是要match3 S; f! z: w$ n
Metal poly  density  不夠
  q2 y. s" p- w! A  V加ㄉ那些也較 DUMMY
+ e8 D7 n$ ]" B; [# l  o, w6 r把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: V8 m. U3 q% @; A3 V4 s8 R+ p! w  m; u- s7 [4 C& l! p

+ @0 P& A) y5 G+ O    感謝樓上的大大
( V$ ?6 R3 E& p0 I5 U   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; R( M+ A1 W9 b: q* N8 h6 a7 K

& z+ W( ]1 ]& v2 d3 D7 i9 ~! p, \: Z5 s5 J! R
    感謝您回覆的這麼的詳細' U$ ~/ q4 H( R8 J
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ I& |$ ~8 E1 p+ ^& M4 K0 m) S: O( O1 d1 G6 d& U
不過簡單來說6 e) `0 v+ f. m. I' I, m
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 ~" ~5 J, J+ E- T( ?而特性就被損壞
" @8 ?+ f* V6 c: Q: g  w1 Q" H1 q5 b' m1 L
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; C* w" Y: B+ }$ P  c5 c/ t所以蝕刻吃他最多( W; K# o9 N4 J7 U) z. g! t
主要部份特性就不會被破壞
+ B9 _' o1 r) r5 d1 c' u8 q2 p- e
. B( W) e2 ]. y3 l很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>; [; s( }5 w: K/ Z6 c$ x( u  e
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
0 q+ _! S$ K0 f7 b$ O9 b- [& p% q& h8 D& i4 D4 S1 M9 z5 D: x4 A
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( j6 R. h! q4 ^2 k" v+ e& Q& N# h
還有電容也要加
* E2 b) a; G2 @6 I1 Q4 n: w$ s若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!( e) g2 x+ }* A. S3 Q

  t0 A" S: J( v7 S  V' a8 d  F4 U3 v: m9 [and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .... m3 Z" p) k. D" v5 o
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ J. Q: u1 e( K

. c" o9 ~( h5 B2 e" a8 s$ J9 P+ F+ w) n! L, ~
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
3 o; t) r) P3 |* B  g4 V
( a5 i& U% B2 U. N6 J  ~如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ r3 ~* J( z9 [+ q6 n

6 A; ]; @$ W$ J& ]8 a0 `! K2 P! ?數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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