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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 C9 t  Y/ g' g$ N6 g
" U. x; [  h3 v) [- z9 N  Bpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 [+ \# Q* c5 Q( G
大部分是要match
2 j: A+ I: c  B: f5 aMetal poly  density  不夠
8 N4 l' d& J$ {+ M# Q7 i加ㄉ那些也較 DUMMY
1 G% q% Z5 O  O* a! M5 ~5 y5 y5 T& P把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 3 y0 G7 n+ N3 [4 ]

5 g) v1 A, S, a$ ~, L& n3 V* W1 i+ a0 [. |, p% ]3 r
    感謝樓上的大大
5 G& O6 B& v8 S  K: e6 Q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % {( S' I4 P( J! j2 R
7 A; }$ ]7 v, D' m3 }2 q
$ A4 h/ A  ]* A+ r# G9 i/ L
    感謝您回覆的這麼的詳細3 |$ u5 \" G8 x8 u' L3 ^* \/ S
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 g- Q4 g' ], [. Z
' f5 A; B8 Q3 l7 u3 j
不過簡單來說
* C2 m1 y# Z* {0 s在製程時食刻會破壞掉你的元件
# p/ {/ C  H# k而特性就被損壞
  n* t; a2 u/ O( h8 x% U* n, w8 X" n* Z$ b
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! [0 Z* L1 i' Q
所以蝕刻吃他最多' Z/ _# F8 H8 @
主要部份特性就不會被破壞2 F+ R# `$ x+ q5 Z1 Z

+ H2 }0 B4 R+ F很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 \( W8 t, G4 o/ Z# A所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' n. w9 @6 P( k% @) N  e1 {

: O$ G- g0 x- N% h, A9 \, q- {! Y3 r又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 U8 ^! R2 O0 j! q
還有電容也要加
7 C$ |2 [# g' B) c" q0 w4 C- G若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* n( ]# f9 ]- r6 m/ C3 `: f

9 g0 t' ?6 J; S5 o0 {0 jand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% x. K$ s' T* B+ Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
0 Q1 ]( [) w7 T. ?+ G! `

' ~8 @' E/ X1 @2 @/ `1 [1 ^
+ f" \* M& `' R- k0 ^9 E4 W    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 p: i, d" Z# ]3 |$ h0 O1 K; ~2 D7 S
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 x: V0 m" P3 D7 t& [# l4 l7 l% _0 v" ~
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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