Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55083|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 f: n+ W+ f" g6 E, b0 k
6 m7 O- T# c! K7 {- {: b5 Bpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" _( K" Q/ m3 K: i大部分是要match/ P0 c; w$ K# q+ |% n
Metal poly  density  不夠% _7 p3 V9 c2 P  \" ^$ g
加ㄉ那些也較 DUMMY - m6 a2 [% |3 w4 \8 H' [5 r
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- s! o4 A4 g3 a% d7 @7 w; C0 r* a+ m$ C+ t& e& f

# v1 U# E/ M" E6 x" V$ `6 Z    感謝樓上的大大
- F" K4 u( _" h$ D( H9 r8 ]   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & w$ y% g- V. Z6 z" V; G, w# C/ M

- _; Q' V1 U+ L8 Z4 r9 T) y2 M. u
" e2 j) w9 }( P    感謝您回覆的這麼的詳細/ n9 i" i3 z/ y& C0 h9 @6 m
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 X2 x5 X+ `) V, V' m& d

8 K4 Z3 [0 B' m0 ]4 P. k不過簡單來說8 w# r/ U' j! L2 @3 c' q
在製程時食刻會破壞掉你的元件
: w  ?! [) X2 h( t: h而特性就被損壞
2 q9 L% y4 m5 z& Z+ _# g6 w  Y/ s  T) w/ H6 g, P' r; |
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# v0 D" o7 N: U6 P) _所以蝕刻吃他最多: c( ~; G* s* A& a% e
主要部份特性就不會被破壞+ @, @4 N6 W- `/ Z
2 G% q# C7 y: H% r9 `5 S7 n3 F
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
$ w" h2 J2 F( R' r6 D# r0 A6 C所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! [* c% d; C* \% W' o
7 i! |* |8 Q- ]  W! S* g又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 E: x) ~; v, L+ M4 f, a
還有電容也要加  {& q: ~0 B: F8 e( a- ]8 v/ J4 b3 x% t
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 O5 {, ~# u% o# L/ i- Z+ {
, j/ b9 {/ y# J. B7 s& b- gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  [2 U, I  v# A" D. _: @( T& ~# T% T
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" ]- j+ k  p+ ?( A1 P9 O' N8 N; Z4 ~: ]0 O6 ]! Y  O
4 a. t) Z: B$ y5 A( j, F
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: K* Q* p! V/ U* ?6 m# h9 e
  Z; K3 W3 I+ ?, y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( K6 h+ _; j8 {2 f4 t5 H

/ h( K3 \+ W/ u! n+ P% n數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 06:17 AM , Processed in 0.192011 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表