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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ L% l# |8 y; v8 H( b
4 J$ n4 U1 K1 |+ C2 Hpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 @2 d$ Y6 p& |4 f$ J( h1 L4 K
大部分是要match. t4 a9 O! p/ O$ t6 l+ i2 b! X
Metal poly  density  不夠0 M7 p/ ~0 n( q8 P1 ?
加ㄉ那些也較 DUMMY
8 z. h' j$ T% F, k" q2 O# V把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   T0 R3 }2 v! k5 X# R# R

* m) J% q. t* O$ v2 n* R( Z9 N: s
( D* u8 F6 h( w7 a% e    感謝樓上的大大5 N8 E% g* n, A: t# K2 B7 H0 t
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! I# [- d+ G  C
1 B! h6 U9 x5 u9 R9 k6 K

- F7 z0 C/ n1 d. c' }6 x    感謝您回覆的這麼的詳細7 ~5 I. m, R/ g) D: U& A8 |) u
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) y1 m/ Y) A- r) M$ {
. _& w1 A, B1 W4 F6 w不過簡單來說
& n- a1 L1 J: M& q) Y. \- d在製程時食刻會破壞掉你的元件5 k) n% z, I- @8 ~- t
而特性就被損壞
+ }5 c; b6 g! {5 s* j1 r; `) V
$ g( Y6 z4 w$ m5 P7 W5 G7 q2 j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>' u4 p( T* ~1 H: P& {, m
所以蝕刻吃他最多
3 u0 ?3 n5 ~0 M  ~$ p! u% O* n0 K; t主要部份特性就不會被破壞  ]5 |3 C9 Q2 b! _

9 j2 I; _# G* I  G( ?很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 Z% X5 p4 w+ b0 l% T2 {
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 \) j5 e1 i5 L+ f- u3 M

4 v: g3 d5 ?: N" Z! b又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ j1 N2 J7 f9 W* y2 v  O5 P還有電容也要加
  b. n. Z( |2 s! I& A; P+ q0 }若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* k- b0 ^7 Y5 @
0 |! b3 Z4 Y6 R$ m# z) ~and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 B, _5 n& f. S0 G% M5 f
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ H8 L: ?) ^! L& y$ d8 ?1 _. ?
! f  Y2 l1 x9 f, x* c
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 `: n( E' ?  s6 \" Y
, v  n: `# j# h2 A
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' e+ q% S  M; I7 ?9 p9 O0 ^* b
& |: m5 |" d: w( f
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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