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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
9 R; i: J& ?7 x; r* q& [, j& a: S9 }
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
9 I( q7 _- C) H( V! N' P大部分是要match
! N/ }/ @5 y, T/ u7 G; hMetal poly  density  不夠% \' Y+ r- F! e- z# \
加ㄉ那些也較 DUMMY * f4 e8 U: h0 u+ H& E
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 Y9 G2 t6 x3 p, c/ s! b. t, [/ Q* f) ^. I  t

- r1 Q- L0 b/ g    感謝樓上的大大& H0 ^+ j$ R8 r) `# k' V9 j
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: v, d# y0 c; j# f4 K; [
% t6 H* r8 K. b3 z8 r
/ W2 X* o  i, c$ p) T7 R( ?    感謝您回覆的這麼的詳細
( p) L( {$ e  }0 h; _您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!' W  f) u$ F8 J8 q) p' K; n. l

+ _; Y) U8 W% ^4 D) W2 q  M9 @; [8 Y不過簡單來說
5 o# f" @  [2 B6 Z在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 a& B/ |6 ?/ y而特性就被損壞$ p* A% j9 Y% v) m. m! R* V( s. K

  @1 H! S( q: \& X* V2 Z, }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. t) U" v( J  E2 g0 U. T; k2 C2 c
所以蝕刻吃他最多7 d; E6 Q; a, G7 L8 G$ L0 e
主要部份特性就不會被破壞
6 x# d; u3 x$ U2 b' _: Y2 ^7 w' F0 E3 o
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 c. z* V' G: c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 W9 C/ w$ W) r  L
3 L" G$ ~: j$ f
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: v. L" x1 e0 }7 h! }8 F, L8 x* V
還有電容也要加
9 x8 ]. u4 k. D* a* s; J若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! j# I# O& N+ _9 b7 }, V! s

. I1 r; {( y+ a7 Y. z6 \and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' T" [$ N2 r* U( o( x
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 m3 [9 U) R; ~& ~

9 j8 o2 L! D; @( i3 c( z' n' _, l& U0 f
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 J- V2 Y: H* K
! j0 N: q+ g. N0 X5 g如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! N9 L9 W# J2 H) f( m1 ~) s  U: V
% s% K% y- R5 y  T+ x1 I# `9 B  m, ]& E
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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