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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; r$ R% f0 i& }  i7 W; t8 F! E9 M" n% F3 Z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. M+ u) B; x: T. l/ |" y+ l- x4 E大部分是要match6 Z- F# b0 p# @% h% S) @6 X8 V0 M
Metal poly  density  不夠
) r& C: Z1 T: c6 v9 G7 D( b9 l! z4 v加ㄉ那些也較 DUMMY 6 ~1 J3 A$ G" w* @6 O) t
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . q2 z  V+ Z/ \

, f" G( O5 c, x1 d1 u, c& ]4 ?  m" u* ^0 A0 R8 R
    感謝樓上的大大$ Q2 s! b: H' s$ r
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 P( e- L# V6 j8 T, L5 t" V: L% L6 J/ e$ _' \9 I) U( G+ y

/ A) Y7 ^+ m; J( b    感謝您回覆的這麼的詳細
+ A9 F" s) E1 T5 B1 u% J8 l您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' b5 I3 H4 d, Z3 k8 k* M2 H+ Y4 C, |* ?8 D& q
不過簡單來說
0 r7 K- j8 h& X3 G. K在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 m# [: a* u0 ]. e2 p而特性就被損壞: x# O3 f7 \+ j7 ^8 N' o
( N$ ^4 I6 e) k4 n3 S" d& u9 B
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ j* X9 X. C: a1 W/ O1 a所以蝕刻吃他最多
1 C; |. l  L- v$ r+ A# g; ~主要部份特性就不會被破壞" m) a( ?! m/ w! q
3 D- K; Y4 A# ~
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 {( m) w" ~& P所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& b6 b' P1 e& \5 J: F/ K& j2 y
* [; [3 W; _3 g/ X8 C) ?* k5 z又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
# [* c( v( ~) w# r/ l) y還有電容也要加' @: A4 K/ r' V5 K5 v
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& O5 D5 b% w' V) o4 _; z* @
" A* H( u- \+ c$ |and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...2 p/ r, e! ]! L4 c2 B
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! k8 C6 m/ W% q+ m# l0 P* B
' K  {8 s5 w+ @% [! T
  p( M5 t) `8 X' H$ @! ?    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
) }9 x! |: i- T" N- \0 _
9 _' C6 n9 [1 @7 W6 K/ v如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. T; {. e/ r. M+ }/ v; E% R) g$ x1 d. R9 J. L4 t9 V/ l. c% y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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