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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# u8 J# C# N8 K0 I
+ U9 h9 ]. l" {9 S& `# wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
9 T7 D+ |. B  X" f# E大部分是要match
0 c, _& B1 E) }( |" }7 DMetal poly  density  不夠* ?% r# H; T) t& x$ u4 R
加ㄉ那些也較 DUMMY , j3 ~3 R  r; e9 A, j( ~* Q. a
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   W( q' a) n# x! B! n2 u# Q4 }

3 \, Y- S; U0 C" q' P) m+ t! r  ~% W" b$ v# C
    感謝樓上的大大
# C" Q7 z, G) _# Z0 ^! @; n3 {) Z   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 # t% J# M* u; o1 F
4 N& ~2 j, t6 @% p! n

: u" [! m, ?; \0 y7 |3 f    感謝您回覆的這麼的詳細& S0 ?3 D9 K! f4 t# |1 u
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ P! A0 |0 a* B$ _& p. z
! ^, E6 q4 Z$ s# M8 O" X不過簡單來說( ~- ^# t4 o$ w" n  i# F
在製程時食刻會破壞掉你的元件! `' w+ A  j% {' z! ~* [1 W
而特性就被損壞
0 `7 J- e1 h* ?3 v. b  D7 h, a* N$ _8 h. ^) C( m6 X4 ?& ]
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" ?( T2 C! {: D/ U6 d2 s所以蝕刻吃他最多
9 A) z3 \/ j# F: J! b. R; `9 F主要部份特性就不會被破壞
, e5 M7 F2 x( a0 Q8 L2 H9 f3 R0 C! Y8 E% k( {  _1 H3 t
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ N5 B6 k! i. g; {- B$ @5 Q( X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 D# |" N- c; p3 R- d$ [3 X2 w. w2 Y! u; l0 F! x# l- u! b
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 m6 i# O! b+ w" U
還有電容也要加
0 f. b, h1 A/ E" c- ^  A若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ `4 u7 `) e" y5 V+ M) E  ~

) i8 s2 s, Y4 ?9 Y  Y2 vand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
, O4 V/ M8 _8 c. {, {$ a+ tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- S6 R4 Y+ P2 G7 p
$ I( L  K. @3 G; P' K( z
, M" L6 ?3 V/ Y4 i+ C
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; C/ Y* r$ e! ]6 A, {- ~% ^$ Z/ D7 }2 A
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ \- N0 S2 s: {1 V; o: A/ M5 c' C
4 k& b7 }" x, |4 t
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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