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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& j. f, H0 c/ j* p7 L3 |2 V
: _9 V( C1 F+ Q# ]& O9 K( B* Epoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" R0 A- r( M9 U! N7 ~3 \0 R% j大部分是要match4 w( X4 U( t) O7 W2 V
Metal poly  density  不夠6 S: A# _) d% t$ ~. M3 X
加ㄉ那些也較 DUMMY
& |' m/ n3 O* a, {把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& U( S& u) W7 r( i% I7 Y1 D; U: ^$ g8 K+ d7 R3 l- \
- k8 E1 f. N+ K7 X  I
    感謝樓上的大大
$ B# }* l. ]! ^! K: z' e4 o   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 7 f9 X* ?1 V1 K: V

5 r" J' L! Q) t8 u7 P! A5 U* x3 c4 U" r( j
    感謝您回覆的這麼的詳細
9 e8 v( j3 b7 O4 w8 b* A' y1 m您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
- z( D- o; U+ {& i* K# u; V# \
3 N4 L9 X6 _9 ~- N0 I  s不過簡單來說3 c2 r, t. O  y
在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ b3 C+ G; }; j  N7 o7 C而特性就被損壞  u9 `/ D( k( F
( v& s$ r) ]# V  D+ x
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 R1 ?+ d) \+ Y1 `. b% M所以蝕刻吃他最多$ X9 K) ^; n/ C; H- d
主要部份特性就不會被破壞
5 N2 `' N' z1 P3 a/ Q9 n
! ~! z- Y% W8 Q# `2 v% m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>7 O. y  B* K* l7 O* _  k
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ }8 ?3 F  W9 [' g$ |# y( e# ]& c6 K7 _+ p; g8 o- K% G
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 G  Y1 \0 z) m3 r4 [還有電容也要加
8 y  o- A( D7 y3 }6 W若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ f  g9 s: q. h, H# m& y0 O
0 k# `" k/ h! n) [0 w$ z3 ]and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...3 X4 J* d4 K& b" c2 u/ Q0 y3 M* o
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- Y$ L4 m; |# P* h( j; S, H9 P
/ r# {6 ]# y! v7 d9 g  V# J
( t9 r* |( B- r6 _( M2 |3 v( P
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 q' W5 ]7 O8 R2 q$ k) v

" u& S5 \6 G& M) ?6 K- r如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
7 H6 i1 a4 o; g: S: L" V% ]6 M  _2 A! U( W: x: s- N
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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