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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- I! Z, h6 D* O

1 D( v( n( k1 p7 Rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ ^& V5 X" J3 T5 }大部分是要match8 v$ E, @2 l% ^/ b9 D
Metal poly  density  不夠
$ |2 _2 Z$ R4 E' i! K( h* R8 q  o加ㄉ那些也較 DUMMY * y+ ~  q  q1 ~, R
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# ]+ ]$ {4 ]- K3 N
8 r9 Z3 R$ N, `* t/ q3 `
' l0 A3 M0 u) H: j, l- }    感謝樓上的大大, v# {1 w, F! V  k6 u
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 O1 S5 }! w( C5 r; M% W6 B5 R: J% c% ~6 \! A8 u

( b% ~4 U# n4 F5 U    感謝您回覆的這麼的詳細/ i8 H  |  b, p; X* B2 _
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 s' |, p5 |( R. D
; @7 M4 y5 p3 e# Y
不過簡單來說
5 K' v6 `) M0 S  J在製程時食刻會破壞掉你的元件
# ?* a$ y- C& D+ a而特性就被損壞
8 g: f2 B" U& n9 b; j& S, B: F4 l" f+ \: J9 B
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; u+ m( r# i% A* D9 u6 n0 _所以蝕刻吃他最多
- S$ c( ~  e$ A! i4 f/ T! Q, x主要部份特性就不會被破壞7 J$ V# [/ J+ U# X! O6 M& x. {9 Z
; b- \6 F; k- K1 P1 c" U9 J/ y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! M5 q6 H: ?, ~; x3 ?8 o, O8 N. L所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 D5 b$ P# \0 O. ?  K
& v/ _# v' r7 Y! k又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
8 Y9 @1 F3 U. G  ~3 w& i$ j還有電容也要加
+ h$ Q/ W. d, _# P' ?. x若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 }5 ^8 I) i% d! c: ^0 u' @
. H6 g4 b" a& j. ^2 i$ a, }1 B4 U4 i4 ^and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 Y6 N. k$ T6 Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 V0 q0 G! k2 [4 e
: ]$ l. A8 x' V9 A" N/ k2 I, n/ S* `- X
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 D- z9 J. G  H2 m' P
' y1 C% O  N3 ^7 ^如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ o+ ?. O, }$ D2 B
2 b7 D1 r0 r" |' `$ D數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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