Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55073|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 @/ d- I( G0 n' \5 m+ t8 s# d
+ {' y. \) u  o% r: ^% q  I$ J
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, Q. r7 C2 |6 p9 z5 H/ C
大部分是要match: d( O- w2 x- u: c) K
Metal poly  density  不夠
& _6 J- z* C" r( K" V加ㄉ那些也較 DUMMY - P; T) N# ?" A! E0 u6 o
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ' ?! s. j/ a" ?3 Q; C+ W
+ D, a4 p& i8 ]' M, m) w
0 ^) h- ]# p9 r7 Y  [/ p* f
    感謝樓上的大大+ l9 x- n! b- a, p2 b; k
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   R- E% t" F) z2 m0 M$ {1 a

- K4 z! k0 u- J9 N) @3 J( B
  V* U5 j# K8 o3 v) t* h    感謝您回覆的這麼的詳細5 N" C% b# Z1 K
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!% k" H! L, Q% E5 o+ I

8 ]. h9 D# ~4 d  a; }6 v3 M不過簡單來說0 ~2 s1 |5 ?( ~0 Q' Q3 K( b* @; z
在製程時食刻會破壞掉你的元件
- _$ ^0 d! Y( W, _" s- _而特性就被損壞& L! M$ {5 R$ G! G
6 y/ ]! I% R0 O8 Z
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 _+ w1 d" `+ Q
所以蝕刻吃他最多8 e" J9 H! n- U7 S& L
主要部份特性就不會被破壞+ Q: ?6 H' I* |6 H9 m
$ J9 u, i# a5 F4 p: b  ?
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>- a1 c, T- b) c1 k1 x4 h( N2 a
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. l8 ?+ ?& e. I2 o
4 `4 v/ |3 K8 w3 ]* |% {
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加, }& c4 d' m5 ~& |* a
還有電容也要加
- F9 L; l* C; R2 B* `7 }/ M& u7 x若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% |! }- [' y: R% T
3 p, ~2 u! Y. c6 uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 [( Y0 D7 P  P* R
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- c1 x+ H, M2 i1 `" G9 A' m
9 I2 C/ P) L3 V! X% p' ]
, e. Z6 V8 G' |0 ?0 M    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 U8 c$ ]$ v/ p1 z

( |! s; x: L0 g5 {如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
6 q: P2 [  W; F' s: N" {0 W/ g( E3 u
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 04:48 AM , Processed in 0.182010 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表