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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* L6 X2 s* I1 b& j' R/ c  r7 ?
$ {) S* i: [9 }( N0 Mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密' [5 n2 X# D2 u" ~3 U3 B: Q: S" `% f
大部分是要match
/ N7 H" `0 z# |8 u8 Q$ tMetal poly  density  不夠
* O$ }/ H4 [$ x! N- F/ {2 Y0 K7 ^% e加ㄉ那些也較 DUMMY
5 ~2 Z4 i( W  x, N. c" h把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) m+ {% Z# H" K$ M: f% P  W5 u

/ K( |' }+ F# T. l4 u% d# l; w2 ~1 ^% I# F3 ^4 Q! m* Z0 x
    感謝樓上的大大. }3 D4 {7 m1 x/ s
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 # R% E+ ?5 Q/ y
& x* T0 i: t* c2 R. P
# G% `3 B" X4 f# \2 r
    感謝您回覆的這麼的詳細# f$ {! k* b3 |" l7 h4 z6 b
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
, b$ x2 y6 |6 D& M1 |
" A) o0 H: }- F/ K* G* K不過簡單來說
" |$ a& ?; ~' l- H6 V: v7 i在製程時食刻會破壞掉你的元件+ s5 m# U1 a5 e* h) E5 `& d; r
而特性就被損壞- u: O7 g2 y! V. i% H( E* A3 O. t

7 t$ I, D* C: L6 j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>7 Q+ g- `, L* a4 p
所以蝕刻吃他最多
4 s. Y+ _0 T+ x/ J主要部份特性就不會被破壞
+ |0 @/ `7 g/ M  l5 L$ t6 T% B: j. M% ]5 L- s
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' |# I  a/ S( @( m5 E* W
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' @, t6 Q; z; R& b  h- ^
$ b8 P& Q; s  K* x  F  d又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' A% X  N  A/ ?0 |: L9 G還有電容也要加* L6 }+ k1 B3 B# n, X! r! U; b" [
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, l. B; F% l& S5 p' h: @6 i9 f" h( j# v' j
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* {1 B0 g5 J( j: c
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; v' u4 J  P2 `7 V& L* I

) A7 Q4 |! z. C& B: s3 r
1 Q. U6 X" E% {& A0 _    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
( i; K, |/ m' u" U( k, q
1 N5 V8 l" M9 V3 m. t1 t如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" B4 [& D9 r2 R& i

( u4 U4 ?& z, Y2 E7 M% c數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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