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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; P6 W. T& Y+ s/ t$ ~( ~/ F4 @
5 _4 v: z1 t& B1 ?! G; S7 e$ `poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密  F4 ]! o  b4 x+ G
大部分是要match
9 r) J# d& U6 S; {# u% WMetal poly  density  不夠
8 z8 V: ?$ z; b6 d加ㄉ那些也較 DUMMY 4 c+ ^  K# t: J* @3 U
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 8 t6 c9 }8 S4 @* m8 F
! X0 K1 o$ z, w# w- I4 s

! k% W$ i& [* a9 p5 D0 j5 T9 w- Z, ^. B    感謝樓上的大大
1 B$ [( L; g8 _$ F" `8 r  i( k   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 @  b3 }/ Q7 g

7 o9 s5 F: y% {  n$ Q4 D/ Y  `1 D- K& O0 ^* d, V
    感謝您回覆的這麼的詳細
! d6 _: r7 ^; s您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 F6 D8 K6 o# l1 k6 b* H% c
1 X2 q9 `9 ]" a% X  K5 u* r
不過簡單來說0 b: `( s7 n( ]
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 U" P7 e4 E5 r+ h8 v而特性就被損壞
8 [2 p8 Z) `/ \' h  V0 O
/ B3 a8 z/ L* g* @: M若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& S$ A1 D+ ?+ T+ J# a  |# y! g7 V
所以蝕刻吃他最多
4 L. n& m% s; |. b主要部份特性就不會被破壞
9 H' O2 s/ h4 T* y: g/ w, J1 O* h7 |0 _* g. u6 n; M  `% w1 y* r
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
; ?, k, F0 P2 d7 [所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享* A$ @% u3 W# K( H
+ k1 V1 L/ n! k% H
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 G2 \. w7 N* j$ z; w還有電容也要加
( N0 [, V8 I$ r! J若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 ~8 `, D& o; C: h1 @& C( a+ f2 S$ Z9 c# {2 w, h) N" H6 k
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 B5 a9 R. C+ n5 K; A6 fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* D% I8 Y/ ^" q- c  C) q: S8 q! V+ P

! e# g/ p5 x; \! h% o9 M    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??& x* o9 f! I' Z# u* b. N5 k- R
) \' [( O; i! r% M, K
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??0 w' N6 t( A( A+ x" X* R
! q% y% E" @9 @0 ]/ E9 p: Z7 W0 y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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