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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ q; T1 ^! r1 O! _

& n% {- S# p8 D& Y$ C' ~- h6 [poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% Q6 H4 E8 n5 {* K7 o4 y; v+ `& ^
大部分是要match& P/ }% I) g, U* M
Metal poly  density  不夠
. `& B& u1 U) U1 ^% }5 t* M加ㄉ那些也較 DUMMY 2 _2 L; d* w4 G# t% C) h
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: W' E, r/ Y* }3 ~" u% h  f) J- {
# H% n& ~& k; b* f3 T& u8 [& {+ X7 E* t( X1 f, X7 A
    感謝樓上的大大
  R/ w7 ]1 v6 {1 j   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
! H1 J1 |' U# y: t# x5 C" v6 v. A- n2 w

) \2 {0 m! K# i3 c    感謝您回覆的這麼的詳細
) g( [1 o: ]' Y7 u+ e! n3 b3 I" B您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( y* h2 t0 }9 k; @1 g* S" K0 O: g; |2 X3 ]
不過簡單來說4 g3 y- ?9 ~, p+ E& z9 O- p; w, S
在製程時食刻會破壞掉你的元件. B& _$ ]1 s9 z! M4 A8 [5 ^
而特性就被損壞  C4 O. }. n& y( `) |- e
$ w/ f- d! \2 F6 G
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 b: c6 N6 F) {7 `所以蝕刻吃他最多' @) u6 T1 r% w
主要部份特性就不會被破壞
: O. a7 A4 {6 J  ~. G+ N9 B
, j2 `  ]9 q; @# C% R; `很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: T6 }. ]" p  n  [所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 U7 N( `3 u8 W" ~$ H+ a) g2 e* s5 ]7 c8 a. [
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ O! ~" \: ~6 }7 b) D8 ~還有電容也要加* G! N  p& G' \" s) E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; f- I. W) K! O4 p5 n& L  R
$ y) C5 I" {, a: ]  Z+ Mand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: c9 R/ d& j" [6 F
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 m9 s* U4 a; Q7 Q1 |1 @, _

( K; U% G& B& s$ x
. u1 c; L- V9 u) l    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- C7 U, b: I  a$ O% `! C$ \0 E& D( \2 j* [. K
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! l$ ?. y2 e! q+ Z  q
: n& Q/ l- L1 e7 A
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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