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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 R' Q. |: s" ~& t
) s1 ^0 O$ o' {/ p) f* r% l
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ O; h$ f; Z+ u2 e6 g7 e大部分是要match( ]1 P  Q9 b; `; Z2 M* S* o) D
Metal poly  density  不夠
0 {& r  q8 y$ S( R  V: @+ O# ~加ㄉ那些也較 DUMMY
" a) C2 @4 F# |  Z  m2 O把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# ^- n. T: d2 Y- j8 g$ P4 X7 X. z0 L3 e

( g: y- t5 O8 S# F- M    感謝樓上的大大: j+ ^# ~* e) ~: ]- A5 l$ d2 k
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : P. d* l% y/ I& D! o
6 c% M, T) O' A7 m6 Q! q2 B/ H6 f
) z7 p. v4 e) F5 {5 h: {: e
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 M. p% K' T- M& D$ D您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!- q  s$ \0 o# ]

& {3 A% M6 o3 C+ S不過簡單來說: i$ E  B4 P2 o) b- q/ x
在製程時食刻會破壞掉你的元件! k' R1 R$ [9 p' r; f* y
而特性就被損壞
& z$ n- S/ a- k* a4 S) B, u. @) d% f% f
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& r+ K; T3 x$ {- v! Q7 V8 T  `所以蝕刻吃他最多
1 r  M- q1 y, ~5 |1 t* R主要部份特性就不會被破壞
7 @2 y# t% A! Z9 Z8 x: r
2 P$ K" D& f8 e3 F- a很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) H" a: T7 {  T! g7 h所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 g/ }, W" Z6 ~3 b9 g* }0 c9 b

# u, ^! w/ q/ y$ C7 y. [又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 n4 ?: A5 p7 N! r. M& o
還有電容也要加
' c+ \: L, \* o* e8 B; {% ]若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% Z' `, d$ f* j& I+ C9 ]! U- w& P4 L! Z% U! O' G
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...6 g( e; Q- P) y  ?
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; u( X& T$ W1 D

* S! @6 m+ ~. R6 \- f
$ Y0 z1 k: D+ k' m5 f    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 O. D) N5 l! f% _/ s' S9 H* O
. `) G+ C' q7 E( v. L4 Z( [如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; c6 F7 K/ H+ c+ _  h+ k! [: J6 ~0 i$ L! c, Q* o% E
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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