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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; o- B; _4 W, z- c- Y% B6 E* R% j6 P# E4 q9 i/ o2 a+ d( R
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% e2 J. M3 L- T
大部分是要match
, G, n$ n* H5 eMetal poly  density  不夠
2 ?) Q' L4 g" H% Q$ @( @! \, B加ㄉ那些也較 DUMMY
2 K9 a0 |% f! k) Z% u把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) B0 B4 a* O5 G0 Y; D

; ], K5 w* \& ?4 b' j4 M5 S
) A: C% N; n/ u+ I! ^    感謝樓上的大大+ b; j% r% C- E( W8 [
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , g" F( E0 H+ J0 A" m
+ J6 I" _' }% d% m% y6 c

& I; M: p  ?/ c: ~! T    感謝您回覆的這麼的詳細
: |! H1 p7 ]& F+ o4 r! D您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  h* R' O; p; c9 R

. U% c2 ~3 f2 G- _不過簡單來說8 F; X3 V2 u( o; J( t/ i
在製程時食刻會破壞掉你的元件* q4 `9 `( E: d1 z7 d+ Y; r) {5 i/ i6 G
而特性就被損壞, M5 L/ S: s* P7 C3 u

# G  I* v( v4 s5 {# t3 m( J若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" S6 [( U/ ^, O! w# m9 D所以蝕刻吃他最多
+ N0 F9 }- p; \- T4 }主要部份特性就不會被破壞
1 p9 E$ E, Q6 V8 A& {3 Z8 B0 Y3 [# |! C; i8 n2 j
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& t% G- x: W  t
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享, V* U/ ?2 D9 Z0 I' s/ e& R* @: q

& P: B2 {% \8 r& y7 i又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 ~( r2 {3 A6 x& |, \! z
還有電容也要加8 E# P4 [! I  Y
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!8 \6 [' I& D% R) J+ r$ {
9 S7 ~/ @5 \2 c/ d& @1 ?
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 Q% D- e' s5 I6 s+ Q) I9 v9 c. |vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) S4 d2 U# y, b2 V

, S# i5 S1 ~$ H4 `+ u4 y) y; p" N+ f+ m2 o; ^! X$ X
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 D- F5 r: u/ y+ j9 t
( V( w  h5 Z' c7 i9 d* E
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 p* R/ X3 l) L# g

% J& H* z/ s8 K1 M- X( {9 O數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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