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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ F; D9 y1 F& k- F' u& }
0 h. j- B' o" _  z" b. I" n) |8 [
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* Y1 \! w' K6 |6 l3 E
大部分是要match1 p" s1 z1 b4 {! w- [5 ~& g9 e4 o
Metal poly  density  不夠5 x4 B, D9 o+ C/ ^3 T' y! U5 h
加ㄉ那些也較 DUMMY ( r; D9 G6 C* y! Q" {! k! x
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 3 |: N" r$ b  R& Z: [, A. f, t

% b$ s9 r& G, E& z  O4 Z- ]! n+ J! X
    感謝樓上的大大. J* K+ d' d. L! ]3 }4 t; s4 D4 ^
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' j  {! s5 v& a# N- p
9 k& e- _. {: t5 ~; _  ^8 M: F" {4 q/ n. I8 ~$ p' X% j/ v' t+ }
    感謝您回覆的這麼的詳細" T5 m0 H" o8 y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 ?* a) Y% s! n; N/ `# a! U
- o4 _. o2 K6 {) n
不過簡單來說# f  W# g- P, N" y  v* p3 |; \. Q
在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 {' j" ~: D  H; K$ Q+ Q. k而特性就被損壞! {1 H; C5 J' I% o
% y1 P$ X0 {6 l! l. I; R# ]
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" J: w/ D2 ~" S
所以蝕刻吃他最多
3 G7 c$ \7 G4 c5 P9 ?1 C主要部份特性就不會被破壞
7 c' {: Z: {3 k, g* F4 t( Y% R2 P% C6 x7 F% g& |5 q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 Z1 k  s+ Q0 x# U: F# |所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. [+ l5 u( G$ l) o

7 N, Z5 j8 Q, @0 m$ W4 m  e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 X' U9 V/ \& I1 [$ K* n' S4 c還有電容也要加
7 }, F- w7 R0 |5 p) p; A$ p! T若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 M4 y, X( p4 f# P2 w2 o9 b& J5 G" Q6 ?7 Y" S  D2 Y, E! v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
, B  `4 ^* s7 s6 M# ?' Nvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; t, \& p7 ~* B# e& e3 ]* ?
3 L: h; t- w6 O2 N9 i$ D
7 s' U, x$ ^4 p" m. _3 c, e- ~  G
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 r1 {! F0 o$ ]6 }

$ g1 R" L% j3 q+ W0 O如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
7 P( c* T* [6 i, G3 D9 w+ z% F' P- f( q! k6 c5 X, Q9 y3 g  K
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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