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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* B( @" e9 ]/ h. l
* f2 y- N9 w  m: ~% v  u2 ^4 M
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
; t$ X1 N0 C9 S: _) \! J0 Z大部分是要match
: B, W# v8 j1 r' R( P' k: f2 p& zMetal poly  density  不夠
: }4 K0 Q: z; ]8 A5 W5 Y3 ]0 \加ㄉ那些也較 DUMMY
; g' A- G+ w, c$ X% ^把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: D8 ]" w& t! i$ p& f' r. {- G1 [

+ D: k) {) v" Q+ k    感謝樓上的大大
0 t5 L7 _  a& Z& Z, Q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; J, K/ H7 f1 l9 L# [. D0 t
  N; o: O6 M$ F

5 ]& v$ y: C+ q) g2 i  A9 X    感謝您回覆的這麼的詳細
5 Z, B0 n0 N. j$ {! Z! a您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! k) f: D) X. h! x3 M- k
0 G) ~  I' G5 c1 O不過簡單來說0 k3 Q7 F0 `5 L) R- F" B
在製程時食刻會破壞掉你的元件* W4 `/ D+ M& q/ o1 C! l% {
而特性就被損壞
9 T; D( d- _0 h+ j, M2 p
  |8 J: s1 _: I' J; F1 a) W  ?) w$ a若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
$ @0 G1 N' V8 p1 T. s所以蝕刻吃他最多7 v7 G9 n3 T8 k& w1 K5 H
主要部份特性就不會被破壞
: N2 ?0 M8 B5 k. R
7 x7 ~& e2 q0 |很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
+ B5 a, S0 A5 Q" Q5 z5 i所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% |8 V$ e" a$ g0 T  ~, v% k2 o
% Z- T! a+ e5 L$ n# _
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: p. J* y1 _. K, I9 c還有電容也要加8 m$ z4 u7 M! o* y3 q- ^
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# T+ G' m2 i( T

- g6 B" l  m" ]) O9 K7 t2 Pand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  e9 k: X* M; L/ z/ }vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 o0 H  V2 I/ e) D2 g* q
( ~/ V6 u6 Q( l9 ^4 B
5 O) \, d3 `5 T- u
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* U/ d! \) N' `1 G7 p' s3 L
# D) H8 N: ]1 w" }  K1 c, X5 X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 M: M: Z# W3 p
2 b8 }# |8 H9 L8 S! U7 N數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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