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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 f0 ^( w! \1 q* D* Q' A, [

" Z1 A8 l0 q+ z5 Xpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 J4 S3 N' h# i  I/ s8 z" y/ @
大部分是要match& u$ I' ~. s. w4 v& d) T
Metal poly  density  不夠* k9 d1 t# g# g! R9 t
加ㄉ那些也較 DUMMY # m* V' `+ H2 r/ W
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* m9 ?4 L. h2 T( I5 V
" K: o. P. `; N' D4 F) Y) e7 b3 u: S; z& Q& a. S2 e/ X
    感謝樓上的大大9 d/ [1 K- T1 l- V6 N$ ]/ U8 _' ~1 e
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 X4 D4 E/ t* F$ k6 {
$ M& t9 ]4 h" ]& s' w" q
0 S: A4 B* L- d. R$ Q
    感謝您回覆的這麼的詳細
5 B* ]) r" ]* E7 C( J2 T您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: D7 |9 p5 A3 ]  F+ p% a# F/ p& p6 n, L
不過簡單來說, @4 i) \1 ]3 t/ Y
在製程時食刻會破壞掉你的元件
, F1 \/ r. H: ~; ~: d. K而特性就被損壞3 K( D. t7 `, G4 X% A$ e9 }  R

3 U7 u& G: g; [# Z若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" M( T9 k$ w' X( k所以蝕刻吃他最多
; ]: M& P2 G+ r5 e; I0 F主要部份特性就不會被破壞- L9 w( Q8 R- {2 E: ~8 C7 |1 d
: D5 E, T$ X; U/ @" T
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
  Y( ?, N" A4 `* i所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 F! ~, v8 u3 q; a9 H6 a8 o  Q* S" N. H) Z$ s) Y  |
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加. O* u$ E/ I) W
還有電容也要加; T( S1 ^3 Z9 k6 ]3 ]
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. E3 J) \6 Y2 R# G/ Z2 w3 r7 v
5 c; Z9 L" Y' T$ i8 b5 C
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .... x3 g9 n' x6 R  M, g2 u+ F  u
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 b2 Q$ ^% i% v
3 G2 l+ M! w0 ~( M
1 c" E9 u4 f( N    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 }" _, r+ @0 c$ j" W, z/ l+ B: H/ s8 s1 Y* U0 B
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ [1 l. q( B) V* |9 d+ `" Z# W* M

& J8 H% b, ~# H; s9 v& f# V5 q. n數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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