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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# t) ~1 K/ l( v- H, u: P$ }4 U# _. O0 e# U; I: J: t- _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 a: \2 ?; Q; ?9 ]
大部分是要match
! p/ x, O" B- C! I$ E0 ]Metal poly  density  不夠
# n$ t! U" K# W& I9 Z. \0 a. I0 r& t加ㄉ那些也較 DUMMY
+ Y* W# ~' p' z把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 ^6 `; R9 ]) Z2 x7 L# k! r
" D. Y  i" A2 d4 ~4 a* w/ N
& p/ z/ ?' k. B: g6 W
    感謝樓上的大大
0 M7 ^: t5 s' S, I$ `, L/ c   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . T+ G; i3 {; T: s; ^) @4 J

5 E' [' S# z4 p+ B; P0 z+ B) s+ ~3 M% x9 j: n# F3 m+ P
    感謝您回覆的這麼的詳細+ l+ w6 F) @9 q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!7 ?/ E) E4 {% A: ?

; @' |# W3 O, V不過簡單來說
5 Z8 i4 _5 ^7 s在製程時食刻會破壞掉你的元件, O# a) n. [) P% G) j
而特性就被損壞; c0 S5 l& M+ B. |  m6 q4 q* Z
1 d0 c3 @% o6 _& r7 O5 e$ @9 l; u
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! Z* r( X" N" d! ~) l- y8 ^7 y所以蝕刻吃他最多
+ U+ e2 O( I5 K! L) `/ |主要部份特性就不會被破壞5 u) ^- |# V9 S3 P
* [% n/ t& P" [2 n4 R) u2 z4 s. Q2 n
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>7 \1 w) K7 n' Q+ {: H0 Z
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 N5 j7 g6 W& z, A5 X
' b! i0 B$ v: P" A  V又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. c6 d. p& E/ f. \還有電容也要加5 Z) y! g0 I( z- E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; g/ V- ~7 y$ u2 N$ [: p6 d3 U+ y; }2 _% d( J: P! D7 \/ F
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( ], e3 _) N2 G/ ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% \, W1 W$ f/ N+ p3 [; c
, W0 c5 V0 l8 I% v

( J! D* Z: H: s! V" G& K# R4 `" v    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- E* G9 y2 w- @( Z7 I8 U

0 u4 W& {3 ?& O  `7 N如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  U) V4 o( U& }& k
; r1 v; F: l/ v; D6 w  M
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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