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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- q8 u( z1 C6 z* S5 Y( x
/ O. g4 B2 @+ b  N
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 i) l! d  S) L0 {0 w! V
大部分是要match) {* L' C: A) U2 J) I
Metal poly  density  不夠
; R- D0 \) x) d3 T) d- J加ㄉ那些也較 DUMMY % S0 o/ S8 x. O+ _8 B! b" i# _
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# R( [3 h1 E, _3 H- V/ S
4 a! ?/ ^( f1 c" b* g
0 D& ~' D. B% x3 g3 W    感謝樓上的大大
6 Z* c2 w" J( v( K   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) `1 h2 ^% J) \6 P0 I
+ Q: v. H3 y0 Z/ L, V$ p- ^- j% i# z. G+ S' H
    感謝您回覆的這麼的詳細
' @, S4 a4 {$ z8 [2 ]: n您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 U& d# V0 b8 F* g

5 A1 r" k9 X: T# A" |/ j不過簡單來說
# |: ~' x+ P, ]在製程時食刻會破壞掉你的元件( Z8 C# b; O7 x, O0 t# W" {
而特性就被損壞6 R/ L# r5 L3 Y  |
6 Q, c# P2 _1 z7 Z
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 [  a) ]  A. n+ L& u所以蝕刻吃他最多( P! Z( z( ^- h
主要部份特性就不會被破壞
2 c: O; A4 k% |- w; D4 g
5 G. t7 O2 ?7 Q# A3 Y5 o很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 X7 V2 A. z' H. B* f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* g4 Y1 ~7 v4 p8 ]
) E& I# I) Q! I2 B" D又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加' a8 |4 Z& ^3 V5 h3 g+ w' o
還有電容也要加5 \! y: i$ j& @; I7 a5 W
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 F: f& {6 h- K! n
! \7 Z4 U* S/ ^9 L0 l7 L) iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
' N0 n2 |) z5 o, Lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 m1 ^6 J' Q. G3 H

( \; X) E: S" z5 C  F2 Y$ p
! @/ R) j( }; z8 C    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. b* s7 N8 }+ s% O' ]) o2 e2 Q. M# D- l, |8 e
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( C. z6 {& M, ~" ?4 z4 M9 n( k' Y! g3 U6 R; o" b/ u4 V) U# ?& q
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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