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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# C7 {8 U  Y% R5 f0 n+ e* X2 c7 L
# X1 G6 m4 @. Rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% C) k6 w6 O1 M5 b大部分是要match9 g1 N9 s, m5 W7 a) Y0 f# O
Metal poly  density  不夠
6 _0 I( l2 X( k, P加ㄉ那些也較 DUMMY 6 E4 X: J" I5 t1 f( r
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! _2 y: j% c: u$ T- z' k2 H* V5 m& O
  s" Q/ N! D5 ~- K0 U
& u. Y" v" ?0 \( }5 f  @
    感謝樓上的大大3 T1 G+ x, t0 d6 U7 B/ \
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. s' L) }0 y8 P
3 X; [; p6 i) l7 a% n9 m
, @& x: ]; ?5 b$ s    感謝您回覆的這麼的詳細
, Y2 y  |( D) P1 `: Y您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!. w7 P' w& G/ B
' s8 L, R7 Y3 T
不過簡單來說
% K# M. F$ x. c% F7 {! X% e! e. Q# q在製程時食刻會破壞掉你的元件% F+ m6 n5 @; \/ z( @8 N
而特性就被損壞2 K  P- y0 k+ h

# r' @- b0 D8 o若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 x+ E7 R& o. u. W, j  X; s* [所以蝕刻吃他最多) i- s* u  w7 c/ @$ r2 g* |) c
主要部份特性就不會被破壞
; n$ ^. k# a0 q, E% @5 ~. _
5 B0 q: [$ Z! i! I/ |% m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! R: x/ T+ P% z8 I( y' N* c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ x  q; q) b: T( F

+ G/ F4 v; Y* A# V又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
# Y- Q) S& F5 }( L) A  R: C還有電容也要加7 l! V6 e" M# U+ V: q
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) P8 p" V4 r/ i4 Z5 @1 H. \

  l% `" @2 _8 [and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...; K* ?; K! W. d; ?
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 P. Z( t; x# W3 ?" ~; w. w) o3 x6 M( {4 @( j5 m* M

. ]5 s& R! I' f) v8 Z7 }9 r. b    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- R1 M+ P* J( o5 b* {! w
# e- e% A: ~- E; c1 z2 l# M5 f如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??/ C! w+ |, W1 o! u( G
2 n$ j  O- P8 n: [1 P- L
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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