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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
% W% ]# f1 }( ~" W$ T: s( f0 a. v8 A( W, }% w* R6 j1 K' V3 `
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& W; |0 T! u( {& [
大部分是要match, v+ E* \2 J* |0 n
Metal poly  density  不夠8 ~9 h* U$ _  b% R2 ^& w9 Y0 J
加ㄉ那些也較 DUMMY ( U6 a) C% c7 k9 V: y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! H$ P2 J, X4 o
4 M( H# o  @9 |7 A, K* L

9 J" C: i8 P6 {8 O    感謝樓上的大大5 K1 R& d0 q6 Q; Q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . i# j* Z4 X. L: U# M# B& M' ~

- Q2 s6 z9 N; S/ h" e* l4 H& J4 q
5 N: R) d+ i' ^! V& i% K8 z  @    感謝您回覆的這麼的詳細
' a5 g. l1 V9 }8 f! o/ o2 m$ |+ Q" |您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: f+ x& d+ }# h0 L& n- _# j

" L. h  L: o  c9 A: O8 _. p6 B0 W不過簡單來說
. g3 Y& N5 p& t4 Z' a; ]" i2 L) N4 U在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 l% |2 i$ I( W" N5 D而特性就被損壞
/ S& S6 H1 x0 V& a/ c1 T5 l! l  `: W9 p# s0 }$ @" }
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 t1 g' ?" I/ v2 G+ ~所以蝕刻吃他最多. I' }& M  f4 s5 c
主要部份特性就不會被破壞
. L" c; E0 a4 N) z
2 L* F9 @& a* o0 _  ^% u很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, `, n8 W! @: r  A) o
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享& q7 \- ~6 o% K4 A1 l
/ K* [- @- V$ o4 i9 |6 }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 k9 _' x: E  `& _  w還有電容也要加- c# t0 ]# K9 E6 i) ~
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 f" ?' V' `3 ]( g/ q. N7 D

3 c" W! v) ]* x  [2 Vand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ [/ k5 x: L! Q7 K- e- Qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 ]/ I# F, B4 @- i# F0 n6 u& Q# d

# w$ |/ B0 ^, y, F0 r2 s" P$ J+ Z# ~/ p9 A! |# H" B8 E7 z/ o
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( e& S; m1 ^4 P( {7 u% _

+ ^* o) c  Z3 R$ X: s$ f' w如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! X8 N. O  M5 p3 B( P' T
  i; Y" Y. Y- V
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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