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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% r( r; T1 Z" |
: }: R' L' D; K( y7 _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# p- Q1 h, m8 M" \1 \" ?, m9 \
大部分是要match6 \. e4 I+ `4 S1 w8 |$ }+ l$ A- T' w
Metal poly  density  不夠
/ [- r  B/ _4 r3 m加ㄉ那些也較 DUMMY 0 S2 o( N" u* y" `4 b6 M
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: w! e0 Z% Y9 M* }- E& J' J2 e! j

* M0 {2 b) u& J& G$ k" n    感謝樓上的大大. u% k. P6 d8 Q. X: |( Q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* S' D. N' ?8 |4 Z' n2 i$ ~, f4 J0 I$ O7 o# D+ l  Y: C& ^

, O" k0 O+ D/ m6 A1 V. x3 l    感謝您回覆的這麼的詳細2 |& d( Z% {6 h) _* g
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' ^' I! b9 N4 Z. D9 i4 E
) h6 E: C5 Z2 @# t不過簡單來說
9 V! H! j- v- A. F& h$ X6 \在製程時食刻會破壞掉你的元件- D+ v8 s8 V1 F* W4 e8 e
而特性就被損壞
& f/ x5 I/ A; B2 O+ Q4 F
# V. I* N8 b9 Z* m4 E* q# x! {若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* c4 Y; W8 l3 a* ]2 b- N5 B1 N
所以蝕刻吃他最多2 C9 l: B) _  Y6 Z) Q
主要部份特性就不會被破壞
  t; C7 c  l/ U& _, B
$ S5 m) E, X  H) i$ ^, m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. w7 w+ I4 q5 K: O( W# `* j! D所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享* C  k' w8 `1 n. W5 S& E, j
: S4 w* V6 n! l" a) v6 r
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加& u. D' w  S# ?3 Y6 J* ]4 Q9 T
還有電容也要加5 f; r8 ^6 e3 ^1 F& V
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!2 \6 y( \3 I$ x( m

- V3 ]0 ~; O8 G& q) X- b" a8 tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 @8 Y* Q' @; N; |/ L3 Y- o! p7 _
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

8 V, e2 G0 S2 G, p9 E4 S
( G6 M: F% F3 ~( Y* }7 p  }% T0 d6 e# r
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 _. H- |  I0 W3 p/ o
( o! m% s% O5 U7 m& _. ^/ k
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??& U1 B! T7 S2 X* m3 d  M1 ?5 r! i
! @* {% d, {" w- L' Z% U2 |5 m
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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