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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias( Z! M+ M1 i- _: n; t; J

# T( T  w9 t2 Mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 Q) f0 `1 a# D2 g8 A! f" j( m大部分是要match
: g6 r4 F6 f4 F) YMetal poly  density  不夠
0 v8 X( ?* t" R: c- z4 ?: q加ㄉ那些也較 DUMMY ) T% N! v# e! d) h# Z+ i
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
) i" T5 ^# B* `2 U$ Q- u" @5 m9 L; S9 U. z$ U
0 d+ h9 i4 z+ B; [
    感謝樓上的大大9 \" ]  Z" R5 f, }
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   S5 R. p: V# Y( n/ n7 m4 a

- i( @; ?! s2 X6 u7 r3 ?
" o+ X* E' `* [9 j/ R    感謝您回覆的這麼的詳細
4 m( M! n5 _$ ]- A6 \! O您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!# d" V  n: f1 Z" `9 S

- s; K* h' d1 I% x& V8 b; \不過簡單來說
$ I9 f0 b1 r5 z/ E4 X( P在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ F, b1 Q2 z% x& N, R( f8 [- `而特性就被損壞3 f' E8 r3 x2 R
. @3 f% G3 y7 H) S' b9 E: j
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; x4 D. C) _* q+ c" i# Z7 N所以蝕刻吃他最多
. Q. \* A; k' l5 [' ^' Q' t主要部份特性就不會被破壞
: Q- z) |. @3 j* I9 O1 @/ }( ]& w
/ D2 W, _1 i/ U8 c很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
' _, L4 S: V. s6 q所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# R7 J, i/ J/ M/ j! Z" v6 \; ?
5 q, c: j3 R* ^( q( T5 b# ]" B
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 F3 V, z! {# H! x/ @& T, B
還有電容也要加
, \  D6 T! J0 m: S若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
5 k) e  q- P; {! w
# ^; i" r" S& ]! @$ D" e8 Cand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 N9 _* [% @: ^; j. b
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

3 ~4 q7 G; `- n' _
) i) o. m. j1 L9 B; @$ @) n8 E4 h% e6 P9 M
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* O4 o# ~& Y( N7 H& V- t% X  U9 H1 O) g- ]
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. h6 u, z& O; P$ _; P6 f
% d& u9 D- ^2 V5 D; c數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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