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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) o2 l* J  u( O& [1 C+ S6 H3 R
" e2 G7 D* H" b% l: opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 Z1 Q7 n& _3 L. ~" o1 q大部分是要match
" J5 l/ r+ ~. G" h; `Metal poly  density  不夠
( ]6 L3 d4 h, h/ m. w加ㄉ那些也較 DUMMY 0 F" {5 N# p! R# j+ o
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 g; _$ i* [, J2 ]6 z: t7 ~
7 C2 P- _& x5 f2 t. Q

7 W9 d/ D, Z6 t7 L1 y# b    感謝樓上的大大
( g" O& j8 l/ _3 G2 N+ q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( w  c/ U. j8 B2 E' Z
! g0 x& U. W* g8 X
; o+ `. U% J/ d3 s* H    感謝您回覆的這麼的詳細
, S9 F1 W0 c1 x' k  B" [, ]- Z您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ D% z% y7 Y5 z9 ^. w- U8 C; t$ Y+ L6 T* p* Q( b( y8 @) t$ I$ M  l! `, N
不過簡單來說) B/ u0 \6 j8 G; A1 X: B
在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 R) n4 M' b3 v- R1 q0 \而特性就被損壞6 I' k# j; B# i. l' e# i: d: y

& a. S% s/ E0 L" ?" _, [若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! O) e' ^6 \% ^+ V3 K5 o所以蝕刻吃他最多% [' t$ l' d8 |# d' x- s
主要部份特性就不會被破壞
; s3 l6 Q6 q- B. S0 D9 q# O1 R) I
, p. a% R" j+ J  O3 {) B) B很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
% j, h* ~5 V; U所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 D9 j1 C- M1 g( r

3 a, N6 A. K) Z$ Y% D" H$ [又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( M3 f9 _: t& o6 B
還有電容也要加
: C4 e% T( l! I/ m/ E/ }若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* |  |5 Y& K1 `$ G/ U( ?- C& v1 q% ~/ |' d
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 A+ K0 F9 \* xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' h& G3 O* o0 W) j5 ]0 t
& |8 a! ~0 y* U7 w3 m$ D, |" t7 O# D. K) t8 O$ {9 z( t" S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; A1 ^* H3 h3 q+ y" L( a* t' _& {  ^( u/ B+ W- c1 F  @
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 I' C1 |4 {& o" `

# N" Z  ]" _; W1 K' K數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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