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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias; ^9 G7 H8 A% D; l6 A' Q9 K* Q
% C" M( F8 I  M
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, e+ h+ N% A) ]% K8 \7 r
大部分是要match
; x0 {, E! m. f" l: yMetal poly  density  不夠
( ?6 S3 V1 X* ^, h: S加ㄉ那些也較 DUMMY
# q( S( B& v" j1 F把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
  @( @% s# a: b' B7 x( f0 G" f) E4 s" ?, g( n

/ N; E( Z3 J# P2 t' G; u: E0 o" K    感謝樓上的大大
' A8 P' m! J( P9 ^3 ]# V' Y   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 [' }6 M9 ]2 S4 o& I
2 ~! p* C/ J0 `! ^3 v' V6 ?: R
/ r' G3 U; \8 s/ Q% P8 k
    感謝您回覆的這麼的詳細9 q$ T) ^1 |( a( D7 }
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: r) L4 n' F% j0 y9 ]1 i! L
' l. E/ m8 D/ e: z- G/ D# N' v不過簡單來說
) L; o. L3 O+ [在製程時食刻會破壞掉你的元件9 Z' D4 B( T6 I  O4 j6 S6 L1 T
而特性就被損壞: S! Z3 M0 ]6 ?1 g3 Q# n6 |; ~

# F2 v/ W! d! h- n8 V5 N) j, E若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>) Y2 K  b# W, N' u; ?% w
所以蝕刻吃他最多
$ G  }6 o, ?. L' t2 _主要部份特性就不會被破壞
6 E/ V% h2 c6 l- g6 u1 [' I
5 t& U- J: Q1 D+ o很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 c7 q4 F6 \. H8 a* d9 t7 g6 w
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: z5 R" q3 U$ I3 r1 j% w1 t6 O* S
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( x  {* \4 w6 w, Z8 E* [3 T還有電容也要加3 Z; w6 U% V& t8 T. Y$ b+ f, `
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; m6 a4 t: ^7 k+ \& Y
# B/ z6 o! l8 H- F$ ~
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& ~9 |6 g- `. `% B+ @% X  Qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) z: N+ D$ P. `9 {4 I
# Y) a# A8 h+ _7 T# \3 \- S

3 N. Z; y, U7 q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
) j8 |* l7 v, E8 E; B5 q- _# o
$ w% U+ q* z0 Y  p, ~如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??: V4 f8 q, t. w* n, d

0 {8 l0 d8 @/ I3 q. y3 h9 o  m數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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