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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- c9 ^0 C3 W! E1 t* ^& [. X
7 t8 R& S! C! f5 O( ]2 a' T
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 l2 S+ O$ |- ?' T3 v5 V大部分是要match
- Z8 L0 Y: L$ X/ N/ QMetal poly  density  不夠* j# b( x9 }9 P0 q
加ㄉ那些也較 DUMMY
2 @, g8 ^/ A% h- K' |/ J把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   f! v9 r" g% L. p* ]! B2 L

: ^8 P. F0 C- Y0 w, b" D% v0 p& ?( L' k& ~9 V, o7 h
    感謝樓上的大大
# N; k1 P2 x3 m   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 H% b" o) ?3 k4 n9 q% Q" Z2 k
  Z3 W3 Q2 m3 b7 l6 o$ S4 n+ f* r/ c) w  s2 ?
    感謝您回覆的這麼的詳細$ Z; m' ^! w+ X5 X2 U$ P
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 y- U9 i* ^: V' t+ G
% `2 }7 @, Z. I3 M+ H不過簡單來說
2 ?% a$ l; `9 X在製程時食刻會破壞掉你的元件- H8 Q$ ^% R0 G# {& @" d" k
而特性就被損壞
" h- y: l' {* M. ~) M/ R, J
! a% U. X% ^9 L0 G9 F若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ I0 l# l& {9 l. r% T, g
所以蝕刻吃他最多
1 d( N* h; D: ?+ Y  \9 g3 [. X主要部份特性就不會被破壞
8 P2 u# Z1 \: e7 W
- a' x7 n+ B9 j9 F: Q& Y很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>6 r" ~! ~# c  G+ K
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- |, V$ J- _- [4 ]  F

$ z7 H6 z9 Q! G0 m5 I6 G9 L# l又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- V! J# y9 S7 c; s% F% y) \6 }還有電容也要加/ E9 e0 ?' `$ q, o9 a! b0 D
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) {* ^- q  l/ g/ ~; ^- I# X& Y
1 P+ W3 E4 U" t" D
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- o5 s, Q- Y- Svincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* Y" P# c$ U2 H* E; a. g
* X+ n; @( f8 \, M

8 {; ?* L! B7 b# @$ D, j    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ a$ ^; @, D2 \2 D$ M; L, `" Q5 d* ^5 q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; V# k% A( d9 y6 G# d
* J# b8 d  z0 s0 }0 }7 t( v
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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