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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* w: d1 U' T( G1 |4 `. S% W1 e1 Y

5 i$ h  p. l6 b& R! w: e7 U/ U7 apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
: Z$ D( J; x+ @( y# n大部分是要match/ j8 d' l/ h8 C: Y; }
Metal poly  density  不夠1 V8 ]% @* [" i# t
加ㄉ那些也較 DUMMY ) P3 |0 }9 C2 i3 Y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # b1 T" z/ k/ {. h* e8 X# q
; [# D+ H- c1 W) i4 D( ]8 A) T

5 U0 [3 c# r6 P& L4 o! h, W    感謝樓上的大大* }9 P$ ^/ q' g( R3 f
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 f: e  t# D" u2 U' t2 t

  a% V8 v5 I- P6 z5 ^# k) |4 d# r# q9 T/ y- V) j$ q
    感謝您回覆的這麼的詳細" P6 \+ X1 v3 p+ u
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
5 |- i+ @7 ~& P. A* s0 q) }, _+ X/ p  _2 q# f6 Q. ^) i( ?# `; T
不過簡單來說! H) J3 B4 h# _3 K
在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ s. G1 O6 V  O% @0 C而特性就被損壞
$ N* O. {# w1 f1 v' `; V1 t
6 P# n) w1 a% d* w7 B+ g% P3 t若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>2 |) O7 S! W+ K1 s
所以蝕刻吃他最多
4 A% f8 R' W. ^0 l主要部份特性就不會被破壞+ h9 ?3 a; I7 i: v5 J' f* ^

2 L# s4 _1 \* _9 X- g很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* E4 a: |* |+ c5 d所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享, v- g9 l. N  V. f

( T* A+ j9 B' f( C6 ~又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( T6 X; q2 l. W$ l0 \3 e! u7 V
還有電容也要加, J: Z0 U0 t) ?: M" b
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
5 C! b! I4 G0 N' E: b: W0 A
4 L6 n  w9 i  ^) Kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 A! X+ \. m: d5 p, dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
. t( w  F5 R" z

9 q- v% p% o2 q; u3 _) w4 B3 g
; {6 l/ U3 D5 [/ I0 o    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 b3 N. W' e3 a
+ o: Y9 ], c2 f* `0 \2 e! A4 _如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 c: x# u% ~: E

" m+ C$ C5 S: T: @數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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