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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% U6 e: s7 Y: x8 G+ ^
0 H* K! q5 H6 R
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! N' T7 [# t+ M# A& c5 R. y大部分是要match5 [2 A5 w. U2 r* ?4 l& B6 J
Metal poly  density  不夠* v9 @5 G5 g$ P; G! }+ `
加ㄉ那些也較 DUMMY 9 Y3 X/ A# F: ?
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* ?; `. e9 I9 {: y+ G) W" v% Y2 G

0 |$ M2 b$ m$ U9 J+ Z    感謝樓上的大大
& B* y  E2 z1 B+ r   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ h* B0 Z# a+ b( U/ [+ I* e5 J) E1 H  U- Y( H: k

" H% u( E5 N# k4 N9 y    感謝您回覆的這麼的詳細, n  O1 O1 e( \* B7 z( }
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; S4 r+ P+ F& m1 P- h" ?# y5 J

( x* B8 s8 n5 Q0 ?7 M0 ^9 r不過簡單來說
/ v- _7 O/ k$ R- ^0 P在製程時食刻會破壞掉你的元件
$ ?& G0 N, `( b0 U9 V而特性就被損壞
1 f5 G; x; G- g8 ?5 {3 E( e5 G* R' Q) V$ r% K9 M1 F
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 [( I6 d6 c9 J) G( C: o所以蝕刻吃他最多
1 b' G+ }  X/ N( l: i( G4 x) W/ h主要部份特性就不會被破壞
2 m, G' D* o$ a, H, n% E
' h" ], p( \9 e; f1 H7 g) h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 z' K9 F9 _. s- ?- _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ ^& r8 H) F) {* F8 H# O) F* u6 \! V1 @& u  `9 \1 T
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ ]5 h/ y% B! r% W- |" B' i
還有電容也要加
+ O% X5 G5 H# v4 z& D若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 ]# Y/ o/ l6 a' H$ L7 T
. y1 Q+ h. p1 Q3 Y& _* h% u3 iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 X7 V/ W1 e4 W! ^- r1 U4 @7 }' U
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ ~: x/ A. u, l) S4 q; e' q. ~* ^
8 j9 H9 ?$ _' Q/ y# V) q
  P+ E: g: c& n2 V- Z( w6 I! y( A
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- |  m9 p8 j4 r- B2 X# b4 m8 S5 A, N' v2 t5 V
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, e$ Z! U1 d, y7 ^
5 g6 Z; L& l0 G$ H' m
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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