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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
4 Z- x4 s6 a, K/ `1 V: B( c7 s
8 {+ A5 h. ~5 P  \) X! [7 L; s2 |) ?2 rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' b& h6 {# @' K3 z3 J* \% f大部分是要match
* C& Y: g1 i' L4 z2 `$ C  }$ NMetal poly  density  不夠# U& s* s- Q4 G4 t2 [
加ㄉ那些也較 DUMMY 5 `* o7 u+ K( }* h6 z1 w4 y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - k$ q& Y9 ?' u; B! F+ G! w

% q, A. E5 n- w) ]' z) U  M  r8 r' F* i, t' A& E
    感謝樓上的大大
6 |2 p) v2 J0 F7 W9 T3 f9 @- Q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
7 t0 ^+ h- {6 H3 \$ P* x
2 W& m: B) D# ?* j" l) D9 E( j) {0 v
    感謝您回覆的這麼的詳細3 ~" q% M& Z" V5 M+ S- b% T
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 Y% D% B& ?4 |

* \! j8 ^2 Y* ]不過簡單來說
$ f2 O9 Q2 Z0 e在製程時食刻會破壞掉你的元件) P+ n8 Y8 f/ z1 H' @
而特性就被損壞
$ ^9 D; H5 u5 h8 ~; x' g' @, m. W" W* f& f' r
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; b; E; k% N& H, n- e所以蝕刻吃他最多
+ T2 k0 c/ A; h8 L0 h) l& t7 e6 O主要部份特性就不會被破壞2 {+ X7 R" X/ S# v! C
: x/ K% g( T1 c: t7 u1 V
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" g$ k8 u4 W9 k. i- L( G' l所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* C/ I$ p9 n0 ~' P' u$ ^$ c) g1 M$ C; i
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 x) x2 j8 q# U/ M, F$ M9 S; n+ ?
還有電容也要加! h  ]& P  f* W) `6 e3 Z" W
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 s6 I" r8 W: ]& f% f4 @  V1 j% x% N% H9 w0 w
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...+ G8 n# _2 @5 C- w% S8 p6 M
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) N3 J2 j; {6 b' M  O. n9 _2 z3 k
! m: c3 a+ y; {5 g1 h  T' e6 b* ~) m& o/ L2 C9 i2 O; {. |- S$ W
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
$ {+ O% x7 Z4 R
% {2 k$ S5 }, G8 _: H+ V如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 l( g8 |1 H) Q3 x4 C
3 M% s$ f- R7 Y6 y數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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