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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias) X- [% v* u7 @. f2 ?) ?
! l0 p0 \9 Q, g$ H  z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 N  k: ^# j1 W; V
大部分是要match( V+ M) E+ L7 g) A& I3 H# K
Metal poly  density  不夠2 D: N6 b7 {4 g$ A) g
加ㄉ那些也較 DUMMY
! u+ F, c8 a+ V' X把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( Y+ u1 K4 V4 ^/ D8 {
. C8 V+ m. N3 K6 g5 @* W# c

4 H, f& f5 T4 a- R! A. S    感謝樓上的大大1 o# M8 T& n% S. Q' I! i  F4 V# w
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * _9 J. ?9 y1 v; L+ e5 ?

6 s9 _: d& o  Z' I: ?  u: u, {  \
    感謝您回覆的這麼的詳細2 c; U. q- d: p* @) J9 _
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ t8 D# Z  m; ~; k# `* C8 u* _. o

# x/ r5 x8 a& R* J不過簡單來說
7 ]( c2 \- i% G2 [3 t. F在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 |% f4 i  {5 c0 R0 R' u% q, O而特性就被損壞; h" h7 C+ B3 D

6 v$ ?! G9 H7 v' s2 Q若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 M( K* b  J$ i; R+ L1 X, S* b
所以蝕刻吃他最多
% P6 M, H9 u, c5 ~: N+ C  _4 M主要部份特性就不會被破壞
! x1 F4 X7 q  A4 u# U- K
2 Q" T7 i, S6 u很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>  x# j5 K, a* a- G
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 v$ {' o8 |& h# _0 g9 W% o" D

8 n7 h  C: b6 Q! u- J5 W$ T又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
! s, v- a/ R/ Q$ Z8 ~/ t+ J+ H還有電容也要加
5 ^3 t' P0 a% |3 f若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 t, B! y2 V3 J* l

0 E2 h! x! N) o! L$ L4 m" }' t8 [and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
/ t% B# l6 z8 O  `+ s% h5 Ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' B" Y& E* {' _4 L& q& b$ l2 {
3 _" [9 l- g; j& W3 b, ]; A

/ l, H3 G1 W- R3 W" Q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ n2 L' q/ |* y, u. _& A" E4 b' _5 e2 Z' M1 ?7 A, f
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: R" E7 O' N, S9 }- y$ Z
, E7 U9 c7 S" F5 C& f2 R1 p數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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