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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias# J( F4 f# C7 U0 b: k" J; e5 N7 l

: x& u( d8 t3 e7 M0 ~poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. q$ Q$ B3 i. r  s大部分是要match
" E9 x* |9 j- J: nMetal poly  density  不夠
& k- i0 G5 |1 y. W7 N7 h; j4 K+ q加ㄉ那些也較 DUMMY 8 ]( X' n. W3 A
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 y2 ?  c1 ?$ K
; Z# u, ]0 M6 \( C, C( P6 P- _
/ F2 b) c2 }% o
    感謝樓上的大大
/ j; O0 h7 |3 t7 j4 f   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' t& u8 h9 W' C1 j. k
( v3 f# W& J+ L6 H  s
7 l1 a  _. b3 t! o( C, D# a
    感謝您回覆的這麼的詳細
* Q" F. b% j+ B$ W  a( r! Y您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: M( Z3 f% a. y) r& u: Z9 Z; {$ T4 F6 ?1 ^
不過簡單來說8 ^, Q- E8 D; o; _# G1 v; r9 @+ {
在製程時食刻會破壞掉你的元件
: H+ o  N/ V; M而特性就被損壞" `! X& y* i$ T- S( w7 k/ j

4 n3 h) c7 l% v6 t. D; p若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- i  X  G/ c8 _/ t) U/ ~所以蝕刻吃他最多4 V& N) M, ~" g& G# `% I
主要部份特性就不會被破壞
# P/ k! B$ D( w9 b7 d+ A
( J) C2 \" J* R6 b9 i很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" w! \: X# u! h* r4 M5 [所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; e" W  e" N2 N$ {) o
; `0 v7 b8 x4 O$ h* B; N又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 K& }- z9 f+ n% v5 a5 n7 O
還有電容也要加
3 T) [( y' q& {7 f若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ a, R# d; ~5 w+ F1 B
, s) R( V: I2 B% a' p1 \. m; G8 uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! B4 u* f! ]2 V% o+ H  P5 J7 xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 O- D( A  ?# E9 P* ?3 P: M: r# N. r; O3 n2 R3 n; l( \0 W
2 o1 R9 W( X, _  u+ [; f8 E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: Q$ ~: m1 n+ Q+ i6 U
& A) `, }& a8 L9 v5 M, B
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( I& N: I5 F$ z3 E6 i- Q9 }, y/ K
; ?# g* G) F  E$ b  C
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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