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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
2 g% Z# U& X8 a6 B6 F0 K5 W2 q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# G0 j2 }' _. Z/ h: e大部分是要match
$ P+ ~* k7 ^+ q" s$ v, d3 m$ W7 CMetal poly  density  不夠6 }$ W6 w! t) a2 n
加ㄉ那些也較 DUMMY
/ N7 w% e0 d8 s* H7 x2 Z; {" r把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 t: S  Q# G. J3 Q6 ^, R6 E  h, f3 g

9 ^# Y- {# U- U7 r5 Y4 Q
8 l% n! c0 E! K1 i    感謝樓上的大大# x0 ?8 Z' Z5 J6 M
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / S) l7 c, y' u& i* |9 q3 Y* }( d
, w% Q- k2 D: R  m( q) ^

, e+ T8 K: R0 ^; J    感謝您回覆的這麼的詳細
/ K) ]4 n0 y3 W3 t0 d7 I/ J7 Q您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ m1 i9 j: C$ x, E$ t6 B
* j, O! M# M, w8 R: H  I) M
不過簡單來說; ^. Z% N+ ^2 f
在製程時食刻會破壞掉你的元件
, S/ k. V$ P# S. k而特性就被損壞* @: G4 D- y1 P
, X+ ^' `+ b! ^) E5 }. {
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 n! e: D) a, _
所以蝕刻吃他最多4 o$ I7 c) O* V+ G  u. l
主要部份特性就不會被破壞% F# Y( m$ ?. b  N1 v2 q
9 J& q0 q! A: F" x. H! L, b6 z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>. j! Q9 C; ]! Z0 }1 W8 B5 G
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 e/ G( A3 b7 r' k( d+ W+ e

* Q; |: s( Q: b8 }" {又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% D# |% I/ t) l
還有電容也要加
. _2 o0 ]& G' u' P# v* w若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: q% a( I% M; T& I4 k3 o4 a1 f+ e) C) v
8 N) `! D7 p8 V* z
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...$ N1 Z9 z. h& u- X/ e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 n! X" e6 n/ u( o! _2 S& M" k, a' M- ^/ @5 K8 G+ S1 H% s
8 M. C( |, N) K& s* ~* k
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! E+ y+ _/ U, L  C7 v4 l
7 y4 o. E4 s$ m3 V; |7 T$ ], m- l如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; ~1 c/ A0 V" p+ n# q
; E. b2 K9 w: c- h- d& M
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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