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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' m6 G7 _4 B# J* b+ f7 t7 J" U/ F% {/ Z+ d- m- P. E
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 g7 J3 w) {2 ~  X; }- E0 L* O
大部分是要match
/ `+ K, p8 H7 R6 CMetal poly  density  不夠
# y) {' Z2 N! B- E% f8 o* H6 H4 O加ㄉ那些也較 DUMMY
; s, Z1 z2 K/ M3 l把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 L6 l  `$ ~' y$ N2 ~3 U' k2 M$ _4 w& e4 h5 S

( P: J6 f: {: f5 U5 u- J4 C1 @    感謝樓上的大大
9 l. x  I9 L* V8 L   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * a- D% q9 c) K: e

& p( j3 _9 n5 ]  U7 t) l& J+ O
1 x3 U1 y. K- l$ w, U4 S) T    感謝您回覆的這麼的詳細
: u- k8 ~4 o/ [4 [您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ V) G8 P4 z# A* I. N2 w
& M% v( Q+ l* D$ k/ \8 ^
不過簡單來說
. f5 _8 f) @  I# H' s& i在製程時食刻會破壞掉你的元件
. d+ }1 a6 c% Q) `9 J+ O2 u( V而特性就被損壞3 |  z* G) K) J0 l8 X$ m

9 N4 D7 n  H- z5 u  X7 w若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 a% @3 v6 A( o# e# g# m所以蝕刻吃他最多
' k2 d# D8 B6 M: X1 V主要部份特性就不會被破壞) P' m- G, G9 A6 h1 H4 x" H; P

- `1 u6 e" L/ T- D很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, @' f. E" e( I
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
% J( w" C2 p* t( Y, ?7 b' U& G5 _, C& J" i
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 _! i: p. m5 ]6 [還有電容也要加' N. p" |2 g9 s7 c1 L! w
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# V, f1 I0 c" t' D2 h5 S
- v6 z5 t7 y5 |) j
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...& C  z9 T* L# H: G" X6 W+ |/ n2 C9 e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, u6 W) Y/ G9 r& D6 s7 r

% \. y7 d3 b3 E8 S* {6 a! `5 \) c( Q) b# s
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ O( L+ q. k$ V4 Z& J/ q: W3 R! [, w

+ X+ R- T* @$ d% [如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??0 z# A' R, t' j

8 q* l* b) m/ ?/ s9 A% i數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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