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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
: i7 P1 j7 @+ C8 t  I# R  `1 B3 a6 ?; E6 O2 Q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, I, ?" f+ |, Z5 r0 w! X
大部分是要match
" b* o& Y* |# RMetal poly  density  不夠
- h. s2 d* V( h3 v加ㄉ那些也較 DUMMY
# x# u3 F8 D1 X! P8 ^# _9 E) u& M把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" k. d' O* B2 w1 r2 n. r" \3 R" o' e+ J1 l/ H' _

, Y8 ~/ }% z' o/ A! c, m    感謝樓上的大大& ~& r# \/ l$ c8 O9 G
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  K% q$ B% X8 y: [( F# o! s8 \1 R1 ]0 Z5 M* K
% G8 R# X$ r  i' G( F- X5 {
    感謝您回覆的這麼的詳細# ~0 p' \9 x& L  t0 W- P8 W7 M
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! `6 u9 {2 s9 W. C! w3 `
% |: L, \, I; V! C) M( [0 |不過簡單來說
6 M7 v2 s+ E/ Q/ o( X8 H在製程時食刻會破壞掉你的元件
# R) A, S) m" y; o% L9 G7 Z, _2 S# o而特性就被損壞" k! n6 O; }" N
; ~- q& ~7 y. Y
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ I- _* x5 U5 b3 a9 R所以蝕刻吃他最多
; y1 U/ K  n* K" [, g主要部份特性就不會被破壞* p. a3 D  L$ [5 g
2 f9 u1 b9 b) |! w) F
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" K4 K" d0 K, t7 O# u4 D所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* U( Y  O# a2 O- C- c( f
( {3 c* Y0 y6 Q& {. N: `1 q# C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 b, e0 I/ S6 P5 l
還有電容也要加
9 X2 V% v$ Q: E; b若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' C, b3 @! U6 e+ g; P& D+ u/ M# @  ~
8 r$ r2 z, R* h. e
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# a3 T* b* ~1 U, t) kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- b: T9 [3 r3 ~: H/ N

5 V2 R2 X+ z* ?% n) k4 a) i* j1 R/ a6 X6 G' l8 K: x% ]. z
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 }0 c* l) @( ?
- h  t: e( x9 a1 j" X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??/ b% J. q- F3 m- y/ Z9 H$ T

& O- A; H6 f( R數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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