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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, S7 O7 N9 n% A: M- I; s+ `: f
1 ]! x" B* a  J- U- P6 N% X7 g( ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 N5 ^  w8 F; J6 X
大部分是要match$ R' r/ g2 N% C) Q' \! g6 l# I
Metal poly  density  不夠# W5 g: J0 Q  y
加ㄉ那些也較 DUMMY / [0 ?6 r- R  d* C0 c7 x5 Y% F& z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! U+ w0 s3 }( p+ f! k9 f$ a3 u

& g) o' n# Y1 N( u9 S# B9 `/ }5 N" n! X
    感謝樓上的大大
  I- ]- D+ [, X! T# ~$ Z   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 C& j' Z4 a, @" A; V, i7 ?: |
$ A: Y9 D2 E% T3 U: e: U6 t7 c9 E; P3 A: q1 J0 V
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 {6 k7 _, v; ^) K7 ?  v9 Z您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 ^$ K- z) J" ^' ^, ^' U
+ p$ o6 }# Z. k/ C; T  [! ^
不過簡單來說2 U' i( V. V' v/ ^: |+ w
在製程時食刻會破壞掉你的元件1 z, K& ^  Q1 Y* M- ?) a
而特性就被損壞& G! X% E; |$ N
5 N4 v6 Q* S8 d4 R7 L. J& ?
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 ]/ b' w/ v2 m4 M7 n! d9 W所以蝕刻吃他最多# ^- v& H* O* }# b0 S
主要部份特性就不會被破壞
- d1 @5 Z2 i1 J2 b6 a3 _) T: j- |$ L* b  @$ e$ \# \# e: V
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 W8 w; J, w0 b) [. f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 y. H1 {4 p" o; [+ v/ ^: [$ W" W: L( R  H1 l
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; ?+ z. `* x; a1 e( \) }. z7 M還有電容也要加: g+ h( D! ?2 U5 J0 `
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  a3 D- z5 O. y* t! y4 N  p0 J2 w4 ?, o2 Z( B, f8 L$ @. \
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
, h8 C/ Z4 t1 xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& I/ ?/ G' y. [  K9 _& _) |/ ^- D  G, X

' u) [; G  W. M) w) S    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( F, ^& F8 w9 N6 Y& E1 f
2 m( w; a  I( i/ B, J( z* f" k8 u
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) T/ z" S2 s5 g0 Q! g

. a' C" H  _2 a: q. W+ Z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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