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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ S. M/ s+ _) W# f- {0 ]' I  N- Q$ b' Z
5 S  i! ^/ T9 p( M9 W% kpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% Y6 l. \: j6 D3 {大部分是要match9 i2 U. m3 Q; B; v+ W% e. w9 N8 s
Metal poly  density  不夠
" E, @+ c& h* E8 `6 m/ {, L1 _% y加ㄉ那些也較 DUMMY
3 t- R$ ?" ?8 Y7 A2 k0 ^" m$ }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 K7 [8 l, B5 ^

3 f1 n0 S, [' m  l
$ }. k' A2 C1 b0 C0 k1 r$ L8 S, F3 k    感謝樓上的大大4 `+ A( ~, w2 j9 S) Q7 |+ f7 b$ `5 b
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 B+ A2 B8 m. {8 C
: _( L4 |  e" `9 A! T& z) R8 U4 z) c) P- J
    感謝您回覆的這麼的詳細0 m( C- c. f" \; y7 f+ A( _
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* j: M4 \# Q4 P' M. `- k# N% Y& y( `0 }
不過簡單來說
7 |) P6 B! o. Q. F- s' q在製程時食刻會破壞掉你的元件% O: O+ }! ?. _2 G
而特性就被損壞
) }# I& r4 z0 K8 @2 s+ e
. b3 Z# c* v$ g3 }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" x1 @8 j  U8 E: _( f; Q$ B
所以蝕刻吃他最多
1 }. ?& u) }* {3 U. E7 Z主要部份特性就不會被破壞! s8 m* N1 ]& h! w! I3 Z; \1 ~
: J! Z9 Y* u9 D2 `  L) j2 Y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, G- ~# S3 t. _( d& @* _% F& Z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
4 f: t* w) Z4 b
3 B( B% Z9 _0 Y9 y5 j3 ^又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" O  U0 r0 y$ Q  f5 M, P
還有電容也要加) V* k5 w$ {, z7 f$ ~
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 o+ Y4 K6 [- k# l/ B+ c9 U

# Q8 s  d2 z8 c2 J  q) Jand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ D! P5 ?: k+ H* G1 {6 ^' f+ z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 I; Z7 o: |+ U
) M4 f$ B3 T9 Y  U& z% ?
1 U8 h- S, K% ?# k8 P4 I% z
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 c0 _& O5 u9 a+ D
$ p$ O$ S2 ^2 a2 j
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: }% t- I7 f0 j" }  d4 Z
1 ~0 k$ o$ H+ Y, K7 ?) E數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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