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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
+ ?0 O: n) A0 {9 `- f
- G9 S( V: Q/ s' B. wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
$ i' i; i2 d5 U- x) g& S' d大部分是要match( v# }( m# B: ?. |5 c2 L
Metal poly  density  不夠$ a8 W* K2 B* `- b
加ㄉ那些也較 DUMMY , x4 M* }, i' R. h' V: `
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
  t# V% J: _+ e/ L7 d; [* ^7 k- ^* R' G4 P: ?
9 N$ U7 M3 c; e
    感謝樓上的大大
) N/ {$ ]5 d: I/ O* P5 K4 Y! W   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 7 K8 Z+ F; m0 S6 D# y" W

1 ?' s7 c. D% i$ E) ]3 z8 J% k3 ^5 Q" B8 V" }
    感謝您回覆的這麼的詳細
( ?- d0 G& n. g* E4 v/ m您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ c& z1 R! y5 ?) N. M3 O7 s5 }+ e& s! t  \% I8 H' ^8 e
不過簡單來說
1 E( R! q7 e4 V1 A, a0 f在製程時食刻會破壞掉你的元件: ~6 k3 D0 x1 T
而特性就被損壞
" j+ u' c& I; [/ T6 N7 {
5 U2 D1 Y% ^- S  }! d$ c% R若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 X, ~- a) R( O. V% n/ W所以蝕刻吃他最多9 L8 F+ g9 J9 X
主要部份特性就不會被破壞
* h" Z8 x& [  i2 W; W; o* s. @+ \9 U8 ~/ N4 V+ ?. }. _* P
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>" |* f& c' A8 e$ {) R: s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) a7 C0 `, F% [

0 i8 z. s8 \! ^又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( t5 n5 K# ^5 y$ q還有電容也要加7 z$ O. |3 N' `0 Z- Z9 m: l0 `/ ^
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
" L; U- P) T9 r6 k3 O: r1 n- O$ P5 `
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. c% V$ i$ B# |% `vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
! |' C, k3 t! D9 T! C, o8 P
$ y9 \8 I; h* x: ]( |  T
( U7 c+ {7 ~) \/ q4 d
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' W; N7 a0 K  L& z! g# t4 ^0 Q* H+ _, t) x+ L
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 f( x5 m) h& B( d# w
! k1 [9 ?: R8 x$ `數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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