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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* u- J5 {& d: a4 R5 m6 B* [1 _/ b, m3 |6 K6 d
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密5 j* p* N/ R1 }$ S- r1 I
大部分是要match
* F% D' F) X7 t* c/ p% hMetal poly  density  不夠
2 _1 s0 E; G4 s* _加ㄉ那些也較 DUMMY - Z2 p1 ]9 ^8 q$ ~
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* f0 C+ \# ?! h) ^  h9 e  E& J4 ]0 c3 a3 q1 L

- F4 M9 K4 [" d    感謝樓上的大大
  R/ `# _( H6 n9 t' q0 Q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  r5 e+ V% i8 o" i5 X" Y( P/ {* B% [6 f2 a( ^3 r
$ V. q- d! {+ a6 I' {( {
    感謝您回覆的這麼的詳細3 o& E3 [8 M- [+ i( J% J1 k& s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' i5 M( o$ P/ U7 K
9 I0 d0 V1 u. u/ o( r不過簡單來說5 e5 j4 f6 P% S7 {: @+ ~. @5 }
在製程時食刻會破壞掉你的元件
* Z/ X$ X% c2 U9 k而特性就被損壞
* v, _3 c- f( e- ?0 C+ L; L  S; p( h7 Z8 U9 |
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>/ F- Z& a: |) E) f0 R  e4 H  ~
所以蝕刻吃他最多
/ k" h1 E4 ]) |% c5 B* f主要部份特性就不會被破壞/ d6 m9 v# f) _9 T
2 ~7 u. c! t( A8 z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># d+ e( z# D5 q; _3 F
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享, Q8 v! u# }" D  u  i0 H6 `7 Z
  g9 d) P5 i+ P4 B1 V; t8 M
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" a8 h* ^3 _  R, L4 O
還有電容也要加, v6 T3 l; F; o- p5 h  a6 m6 m
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. h9 v3 i. u. V& W. i( z* n: j/ X& M8 x+ v, T! m
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& _8 @5 ?( k) Q5 y0 \+ }; kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 Z' R9 E) y3 u3 a2 x; E
4 E* v' c" {( d' _0 r2 F) h  p7 v+ W, f
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 ~0 b5 S! d3 C, C! T: X

  m* d1 l  Q% t: w) V' i- C0 `( m如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" \3 A2 w+ N( ]) H% o, ]
! n1 S& o2 Y5 P" e數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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