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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
! ^9 ?9 r& [" {: a, q& N4 c* r# \9 \# y' n; T* {9 y# P
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
& ~: q/ |% x' O! B4 m大部分是要match& i, T& f, B* d
Metal poly  density  不夠* r+ w- q9 z! }, p: d( t" ]6 [0 Z# K. ?
加ㄉ那些也較 DUMMY " y& F  |( u) }! O5 ^$ h3 A
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 U3 R/ J$ [# l
- J$ c% ^8 o5 g2 G7 C
# e! x! @( }2 x- a& ~: `    感謝樓上的大大
8 S5 m% H  g2 Y$ U' C0 F   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , u* H. [8 H# P
# y2 V- o1 F) T+ k; c
# w+ t; x, z! _. b& r
    感謝您回覆的這麼的詳細
# a7 i3 Q: c  o! c# G3 U您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ {2 A% W3 R8 m' m# j: c* |  R1 o8 a# }& V& ]  j
不過簡單來說: l* r7 Q+ t) L
在製程時食刻會破壞掉你的元件. t: u! ^! q5 N. g3 K  v
而特性就被損壞! Q0 J2 D9 g& ^' Y5 o

' Y2 }: n; S' V/ n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 U( e6 p( v# C
所以蝕刻吃他最多
+ M" W, J; q; p7 O+ l, L主要部份特性就不會被破壞
: Q* I: R, q3 n7 W: J( M1 U6 _3 Y1 y7 _, z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) ?# q6 n5 T# n- }" ]) M1 n1 i所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享* w0 y* @. V# v. |; J) r

$ P9 I$ @. ?2 }* S( i又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加- T" W& W2 J' p) ^* x3 Q
還有電容也要加
8 S5 _5 ~# a% _5 L/ X若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! H# ?# Z6 O8 X) y% u- f

7 O- s# u' Z; c% E& ^/ c  y* _. i% \and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! |+ Z5 H0 B4 A, Cvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ Z  q: p2 i- f1 @( F9 o3 L: B8 |$ b" c4 `6 M/ \5 H( ]

0 Q$ S0 M4 g3 L/ x) K6 W    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- l0 o9 i2 J& N

( l1 g. ~3 m+ p% Q1 y6 B2 D如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 O% v; P' [0 a9 i

! y6 P( Z2 t1 f6 S; {5 M( S9 {數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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