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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias# t+ [' H. w* g, `/ B& y- {( H4 P

4 [) t! @0 u; O" Rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 {# n& X' P; _8 @4 v1 u+ H大部分是要match* \& t' a: u4 Q3 `2 B4 r8 M3 L
Metal poly  density  不夠/ L# k2 J' |; K$ C
加ㄉ那些也較 DUMMY ; Z5 S) K. }9 g+ ?& D
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
; j- y! T9 m" J+ y( e( z
8 W$ B) k, z& d8 T1 X  @
- o/ V9 O" a, C7 A    感謝樓上的大大3 q. I7 G# i3 J  Z" N: @
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' X6 {8 \/ e3 _
; }% Z- c8 w* [8 [
9 J: Y8 i4 i* J6 R& A: R, \
    感謝您回覆的這麼的詳細( _: v( D+ V2 r
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" l/ W1 E7 J" X8 f4 U6 w! A
& \( i. I7 M5 }& N- z7 \不過簡單來說
( Y8 A* s: M8 g$ J1 N3 x7 E1 @在製程時食刻會破壞掉你的元件) Y3 p5 Q4 Y- q- u
而特性就被損壞
# T7 f4 H* c$ i! e+ I1 ]4 {1 R# x/ y) U6 Y, v2 V
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處># y9 s7 G5 n( N5 N5 Z% v- w
所以蝕刻吃他最多
1 r" \* w% y; _6 s. z' G主要部份特性就不會被破壞
& i. {0 F2 f+ t, ~+ {: w* S: @
  U/ n5 E& Y& b$ Q8 s. L8 s很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: q+ L/ J/ l; L* k4 A
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 ~8 t2 M7 e$ q3 n8 z: w. n: f. Q1 Z' Q* `- c: c
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 z  H& H! C/ a& k* K
還有電容也要加6 U5 `8 h+ L$ R
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; t3 P" a4 T: f/ Z+ `; o# \* ~: \0 h9 g& @1 c/ t. d
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 {6 v" j) _5 J0 u9 ~  V* Hvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 N$ B* P: ?5 ~% d- m

3 ?- @, c: h/ n: q9 u9 Q0 o0 a  d$ w5 T  l3 m5 [% n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% [# s. y' m/ G* [: f" E
* F$ I' o' q5 `' b$ w
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??: ^( ]7 r! K" {# Z7 j

! d0 |  K$ J/ g7 H& C1 b數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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