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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
( m! M  {7 ?: s" V7 i$ Y
" m8 l1 Q" ?; R* epoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 u! J; ~# S! A2 d大部分是要match
$ s: w8 a# U2 N% S. ?Metal poly  density  不夠) t3 C7 R, F/ d0 P! c' a9 x4 ?
加ㄉ那些也較 DUMMY
  l; h4 w; S% H2 g# L把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" N0 R  |& f# C4 w' L1 i
8 D' y9 R" R) P* o5 T
8 D1 p. S& A- g% [. K    感謝樓上的大大
/ z6 {, G) P6 C( M   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
% i$ V7 t* P6 r6 V; D3 C; \, W7 D2 I* `- G/ e' ~
4 n) H% L$ G/ E  H# |4 Y" I
    感謝您回覆的這麼的詳細
9 B7 B( g+ R7 w/ a% A2 T% B您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!' C/ ~& g; I- K, U$ v3 L
5 k$ ^0 [+ K* `3 v) {8 n: K* ~2 ?
不過簡單來說
$ D  K! U! l2 r5 z4 A在製程時食刻會破壞掉你的元件
. V2 w! C6 K1 b2 m  o5 z; ?而特性就被損壞$ L; P0 }8 H/ s" \/ n+ A' I
. S% s  @5 [9 R! y
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& W8 K9 I2 p+ `7 E8 k- i+ L0 o
所以蝕刻吃他最多! S( O( ?3 `+ ~7 |' P& V) u6 D
主要部份特性就不會被破壞: [* u1 j! [  V3 K7 d4 S3 j) Z; e

6 u% g: Q& L) n+ l' T$ f, q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) A4 {+ a3 A9 V+ |所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ z2 N- _( y7 ]% p. H

  F8 m- A' {8 E' E- S% [$ {又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ t* I/ L( S' }  |  u  ^8 ~還有電容也要加7 P; K# L3 l6 I; k0 e( s% V
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& ~3 E8 B$ Z% e0 ~0 k4 ]
) s" L# h3 U3 A9 J7 h4 [2 O: hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) o& s( i* K' Svincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

3 r% C9 Z( e3 M* D0 \8 Q1 ]* }7 B7 N6 E' J9 x& x0 y

7 d$ j* i8 p$ W4 G: G7 K    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
& y1 A# m, @1 x. `% J) d
# J( J" r5 s) g如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
8 N2 q! p3 ]! m1 \5 K
! U: j# L% x* }, G; M數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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