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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* b* @2 n" }  K3 z9 G1 f. Y/ m4 U/ @
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 O& I4 t! A( E& h0 s$ \
大部分是要match
- _1 R' |7 P9 D$ p9 TMetal poly  density  不夠9 s% f: a7 K% ~
加ㄉ那些也較 DUMMY
: w( ?. H, \' g4 E; f) K  q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! W" q5 h* l' m; Q. f4 Z4 v
/ y  J7 N8 V( h& X3 ~1 O8 v
/ I  n0 l7 `+ ?( }6 D7 U
    感謝樓上的大大
7 |' \& c* b2 E" \, R" q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
- e) F4 q& G0 N1 p, e. Q5 k) X, p+ f2 M9 J

2 Y. W/ v3 z8 W2 U* k# o    感謝您回覆的這麼的詳細# L$ ?) Q3 b! W. A2 b' Q2 T  `/ K
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!0 }& J2 ]1 R: W) I; S9 }, H% ]
8 u  R' d1 T6 H/ F9 I
不過簡單來說
" H1 {& ^5 y  I7 |( ^- n在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ a3 V5 ~) N7 t而特性就被損壞
2 C0 Z  X& m0 @& `
) i! d( s, F* [+ s% K若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- \2 k# X% Y6 @9 j
所以蝕刻吃他最多5 E( Z$ C3 W7 M
主要部份特性就不會被破壞
# u; k5 Y/ Q7 J: [
7 n: t. S) q7 [2 r) k& U很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>* \8 H9 ^; e& D: o; ?
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
  M; ]' y; l$ d5 S% y/ I8 C1 Z6 j2 \3 j5 F! P6 i5 s8 {$ z" F
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 H) L) C; V' l1 a2 ^* X
還有電容也要加1 k3 v+ a4 X- l! }+ u2 K5 x
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 p! N1 b5 e7 l+ q! f  \# T+ z; E4 W. {! \2 ]: c+ L0 L
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 L9 U8 Z0 g; I+ ?7 P
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) A5 W9 _1 H; W1 R$ D4 U3 L0 S

+ @3 O) e6 E/ b' u6 M$ B: J9 Q, v7 m/ A
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- m7 k0 l7 K" R( S6 ]1 h
) ]" u8 j& @$ X/ V  M  \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# g+ r* S$ b( y" S6 r  H* q3 v/ n
% }  \/ o6 C0 ~! H數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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