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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
  |6 }! Z2 [/ ~' k& E! k% h) `! q: q- v; g  a5 D* }1 v
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% @) e3 T) p. _: z! B2 w大部分是要match/ o! V" }) }4 W& ~" l6 m
Metal poly  density  不夠
) y0 |0 }4 k+ l- Q加ㄉ那些也較 DUMMY
7 ^4 C, B& R$ C8 t& a2 ~  y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 P8 k+ ^1 K6 K) t/ b" D2 l9 n, f
& y, Z, ]6 k, U% h# g1 P
5 E* W- y, O) ~0 E
    感謝樓上的大大$ u$ K/ U& [3 Y( t
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , T* a  r5 @9 X& g# j' e& w
! M# a' Z0 G  m/ n' @; S& o$ ^
: ?* [, q% P; j( [" f
    感謝您回覆的這麼的詳細8 c0 o+ |2 k$ g" l0 u& m
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 J$ h7 K+ o: Q$ q1 u7 S
1 s4 U( s1 T( S2 t* e不過簡單來說
: ]3 N; P' |% ~. L0 I5 Y在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 i, ]& T! ]' f而特性就被損壞
( B  b8 _: R5 Z1 @9 t
. O) v: x- Q. [& N1 f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 n  m2 v% |$ X, z所以蝕刻吃他最多
; D1 K3 J, H) M5 T. T) x2 ^主要部份特性就不會被破壞1 F! U6 a: |5 e" N! _+ c

4 _: }! |3 x3 Y* i很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ }0 o# r: |7 o! L6 C
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& w4 s2 |5 |8 ^
5 h) r& Z9 d* T2 u) H) C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 I. M" t) x' T6 p還有電容也要加3 K% M3 ?$ ]( }4 [$ n0 l
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 Z3 c2 f- {3 {" c8 _2 v4 f2 d! Z
; z0 i' c. y; X0 \4 X  n( h& Land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..., R* ~# {. }. ^9 P7 n+ y5 k
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' j  U$ k8 \1 o5 a3 h9 m
$ E$ R4 I5 T+ E4 k6 p$ s

1 I$ z9 G, f( Y- |) J1 c# Y% j    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 t; [) |1 \" T2 ]8 z( @
3 L/ [. b; W) E$ T$ z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% c! e2 I- R& Z8 |" F9 {
5 a7 @" j" h& [* s數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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