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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; a" _% S8 T& z9 \
0 B+ o3 U4 q5 q2 k5 e7 p5 npoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
1 g! F' r% t) z+ y大部分是要match2 O, s" Y# V1 Z% ?$ b* P7 B5 F
Metal poly  density  不夠- I9 }0 V. E" N1 B
加ㄉ那些也較 DUMMY 0 ?9 T  [* j! }  A2 }
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - D0 s# r. T% G, x6 W4 v5 @# ?4 }
; ]% Z, `  W2 K, j4 i

- s* K9 r$ o* d. J) t    感謝樓上的大大( c" U  f6 N2 ~% V( K# p
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* ?. U+ P& k/ a$ {4 N
" D/ `; J7 s- h, g& E) b. I% L$ Q4 r& i" D
    感謝您回覆的這麼的詳細
' [+ U% W% B1 A0 x! A0 s# I您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& E6 e6 b- l$ g4 t8 n8 s( f8 K
; _5 ?- l; a4 g1 ]* g不過簡單來說
' e- w' I, u: P4 B( _在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ @% l* m, ~: W1 t) W, O而特性就被損壞" q* J; U9 F8 a- O( A: _

6 ]- J+ K) I  P. M' n/ B若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* A* u0 Z  \/ l$ d3 Z
所以蝕刻吃他最多, r' B9 x. `$ s4 r+ m" ?; ~
主要部份特性就不會被破壞
  r& Z6 I& b0 Z: B' w! x( M
% Z. J- K! g  j3 ^很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 J# w( s( C( i$ |; K所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 J* ]9 I1 K4 N% F1 j3 v  w
6 u1 V& B& V& ^; X! e8 ^% S  u
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 O2 {! |; e1 }, s還有電容也要加# A, p4 y- G3 o$ b# D
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 e% A6 K# U) X1 {( z/ A( @! n1 H% Q  g& i. T& k- e% D% Q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
7 v" l0 q  [" u( b* r$ gvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

8 y" a4 t$ s7 ?; v
5 m4 M* K% G7 X) i6 Q. K# j" C6 }) |7 l! J% O/ U) E( }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ [# d* G+ Q1 V3 j8 k" B
" k! m+ t' E: A0 q! P8 V3 ?4 W如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* A) n1 V- D, q( V+ F/ s
7 E; Q4 c$ L4 y$ h5 t$ a) I( Q
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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