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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* M7 c, T( I  {9 M8 @& M. o9 c. [
6 K" l5 i* x' H* o- spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% y) a! f: m. Y; }& R大部分是要match
5 f$ z2 B, o! B& W2 ?1 o% FMetal poly  density  不夠& j% d- o& V% s3 G
加ㄉ那些也較 DUMMY
5 Q/ I9 d5 n+ }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
  I7 |" }( f4 D- b# ?* N7 G4 D3 \% O( _6 i3 v
; d) Y" D9 T1 |) c$ }0 L
    感謝樓上的大大  ~7 a3 R' |2 i
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 }, |+ f8 P/ ^4 s) W

+ {: E: X8 O" b( b" g. A
3 r# F6 Q9 x- D' V8 E    感謝您回覆的這麼的詳細
1 ?* e7 Q  ^" f+ v( d  A您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! Q( B" r7 e7 E) ^
7 ]4 J: W0 S- j1 a
不過簡單來說" K. j9 T* q7 O
在製程時食刻會破壞掉你的元件
% {1 K# c! G, ?2 R而特性就被損壞
% F0 l; S" E7 `; M) `+ W& b6 b2 a# o' {9 s# y" x
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 N2 L* c9 m, F) g6 }
所以蝕刻吃他最多
* L, F; ~6 ]- d6 ]( j主要部份特性就不會被破壞) r% D6 g/ @# G, w( f; y) g
& s( O3 p- ?0 K* j
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" b3 b. b# A% S) {% s* O2 Q/ v所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
$ S2 B% s0 S" z: D4 t; x7 n: E$ j( c) S" N' z# Z5 i% {* C
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 ?9 j+ T. V  T4 r2 W$ P還有電容也要加' _) J* O0 W1 Z3 k9 w
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
+ {5 I: a4 u( M) |1 Y
- n( |/ c  n2 c$ X0 X5 iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* }; ~! c; r- g* M7 jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 o+ k/ K, C2 t0 a4 i: [4 [

+ M( q: I  D4 Z" e& g' f& Z5 Z9 M. M3 E- L
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??8 a, @4 K* W% O8 {
# C; r. j/ [4 s: q& m, O8 y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; w; W: d+ j3 G8 w* @% U- I

' D% z8 ^- l% H0 h, {$ @6 T3 u3 f數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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