Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55320|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 ^. J/ m' P) ?$ ~9 O6 _
- y1 K$ F* A' R  D7 b2 T7 }/ tpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
* h6 t. ?, X; ^' z$ [大部分是要match
" q: V; N; ]& a2 X! JMetal poly  density  不夠5 V0 L& R0 F% H
加ㄉ那些也較 DUMMY ; p) R  f! P, f/ B, o8 D" m2 Y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! f) m% o: N) \
: x6 n" v& w  T$ d
) X1 _! v2 M+ ^# l
    感謝樓上的大大9 x* ]6 a$ J" r' X2 [$ E: U* z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 y- S- @% k& [! v3 b
+ i) G9 C* ]( m3 S5 o

) P6 r. E# I$ W% M6 z1 J    感謝您回覆的這麼的詳細/ ]( D& R! ~$ Y. \3 b+ T- @. o
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 e" `* _2 U6 G" u7 n# E! T1 M' y8 I6 C/ C% m
不過簡單來說, x. ~& ?( J/ Z' d
在製程時食刻會破壞掉你的元件
( u+ t5 w7 {7 D) j而特性就被損壞
. I! D% u* A  ~
" J( x  D  f3 q/ W- x) }6 K若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 E3 w/ f1 A7 X7 c& ]所以蝕刻吃他最多5 `8 A! O! u4 u% w. v
主要部份特性就不會被破壞! S$ A" z# W' J" x& m
; c, n! `$ ?8 \6 W
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 O% ]3 S: v. ~# ?; P  B& p
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 t3 Q* q" y- ]# {8 N& T0 e) B9 r
7 E) x3 @- `! n% J又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ j* |+ W3 e, y/ B8 {$ O& e6 \還有電容也要加4 q( [, k4 W( f4 Q+ j
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% g, p2 o- c6 o# M# g
3 \& `: s: l* q5 uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...! k/ D# E! r7 A
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- v' B6 ~4 u: e) S: Q, J' |' T5 c5 w$ i! s! Y; n

" j& K4 z4 E# T% d2 h7 X# u    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??  W% @& x! W  J/ E! G7 K2 P
5 i+ O  j( t: `; |$ g
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. D- O$ e0 |2 E  v1 N5 `, n/ m7 r
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-10 03:09 PM , Processed in 0.192011 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表