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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' c0 r  m! e  W/ T
/ m; R1 I8 u8 e  b7 U; b# ]poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 m" k8 Y# t/ K5 h) a大部分是要match) C# q  ~1 I# m) D- ?( j4 T) [
Metal poly  density  不夠7 x+ R1 J$ z/ N* \: q
加ㄉ那些也較 DUMMY
/ N! ^3 ]6 o$ }/ s0 T. Y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ' k' E$ d  c0 ?0 o" l9 {

, h  r. h! g7 L6 a% {" r. `' Z! `8 v  ]& k2 O4 U1 n4 O2 Z
    感謝樓上的大大( K, E6 A2 ~0 G3 r! g: h
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& n0 X6 m. V7 {0 ~
! y! s6 t3 P: ?
+ ?5 |* W/ w/ f. M# M$ ~* j- y    感謝您回覆的這麼的詳細
1 |- h) D& L5 O3 H' C您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 D- H5 _$ W2 R$ R+ J; N) _
5 Y7 \" ]  O6 }不過簡單來說
3 _) S9 B* W: L0 V9 `, [0 K在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 P* Q1 M. N" V6 T) d: f' O而特性就被損壞
) z8 z2 s+ h) }1 F/ I; i+ p0 O8 Y- M- L! u0 `" f% O7 i" x
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 `) [$ R- n% v( ^: h; H- h所以蝕刻吃他最多% n5 k( T& h2 Q4 y
主要部份特性就不會被破壞& }; }3 Z7 I: }  a+ Q# D* H; Z
9 q  R4 t& U: }4 q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& q$ e0 j0 |' B+ q. K/ `: z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 |" M, K( Z% p- P! V
" U$ r+ j' g9 n0 S1 {/ u9 r又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ R4 ?- F+ `: l) q- t9 A' R) V還有電容也要加9 e' w5 Q' {1 F9 a. Q: h
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!" W( Z: [% x; T
9 Q7 _" N8 i1 i
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 @. N/ O8 ?; I# A  S% c
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& L& Q$ N2 Z% B4 i( Z! a# Z$ Q& F$ O0 J  ?8 i% {; Y
- W& Y0 w3 h+ V( }; y3 h, d5 G- p
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: v8 \1 g. T, _' H3 N! \9 A* t
0 C8 b# h0 \" B. {% c如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ W6 g. W: p# L- ]

$ ?& \! [3 K  g+ Y- B數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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