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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 M, ]' P: ]8 C! d$ S  |9 @' M, l/ V0 O9 q  q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% ]5 v; U- i5 ~8 v+ Y大部分是要match* X; |. p$ h% Y" K) V3 V1 @1 J
Metal poly  density  不夠
; c9 O2 n' w/ r- F加ㄉ那些也較 DUMMY 4 j/ r- P! ^2 U; }
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# q5 K$ C5 s$ t& t" s  k) B! R: c9 ?3 n' |
$ \, N; J: K# p- _
    感謝樓上的大大
* M$ h4 ~, ?& r9 D7 W   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 l" V/ y+ K) @9 ?" V

7 S9 E7 r' A0 @: |& B& Y% I4 F& i3 s( F2 h
    感謝您回覆的這麼的詳細
( T: Y' @( P  y, ?2 z您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 R6 D  O* u- u& J$ i
9 @5 j/ {& v, h9 i
不過簡單來說" s  i- M' G. e' ?6 t' o3 t+ l2 Q
在製程時食刻會破壞掉你的元件6 c5 O" Y( L2 _) r
而特性就被損壞: r  `* l! O2 h$ G$ L# r9 ^

: @% V( G# W8 ~4 |# ]& \% n4 Y) q若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 ?' a" o2 C9 |+ e
所以蝕刻吃他最多& z2 k. ^) R. k* D. t' e/ D, {8 A
主要部份特性就不會被破壞  }7 _6 |( I" J' t8 q* }7 ]9 N" ?
* B" Z+ \8 z* g4 w% O2 l
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 @# J. }. u$ i; r# `% \所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 U  V- b- v! v5 @6 u
& d9 m7 W2 w9 q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 J9 L1 y9 B% i3 W+ ^
還有電容也要加
6 @, P8 I1 G+ u! o若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  }4 x/ l5 n: j- I! f! q' q" i' p; @' O9 I* x- t$ v7 y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
3 S8 U) P+ n8 j2 U: h3 t, @5 kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 ^+ J8 C9 W  m7 C+ @% w  N* t7 h3 J! v
" n1 m" m/ }" Z$ g( R1 }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??, e5 S* n6 W. h8 Z6 n* e$ L3 E
1 v# T* n" K- B: [9 |
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 A0 E2 s! a0 k1 X- Z/ {) I8 R) y% e! ^) k
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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