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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias6 x6 p# s$ j( \0 B2 F% J/ d
5 G0 a, R3 ^+ r4 i
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 C$ q/ l; @" [) ~
大部分是要match# T5 Y+ I4 B6 Y$ m  x
Metal poly  density  不夠
4 A6 F  }- x5 s加ㄉ那些也較 DUMMY
3 k( C6 M; z: h7 ^8 @. o把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! S8 O+ m( j4 Q1 q0 k. P
' J; ]! W4 B' x6 J7 p5 F- A
; _9 U0 ?* h3 C- E
    感謝樓上的大大. T0 c3 P% e# C2 G& R! j7 T
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 Y3 L! G! e' l, m# E
' C' u) t7 P( U7 @9 m* N+ ?
3 _3 P. a' q5 E2 b    感謝您回覆的這麼的詳細: w) t: s+ W$ x0 z" g
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 P8 n9 h' i+ d3 F% Z+ {) S" K( D  @# Z  b0 V1 N% C$ {& G
不過簡單來說$ {1 g+ W' u' |0 ~, t4 p9 T  I0 c
在製程時食刻會破壞掉你的元件
. _( o" N  Z0 F  ^7 \而特性就被損壞
% c+ g( t0 E# z( ?7 _: b. C$ ~# E2 n  o' `: E0 [- t& b
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- O3 ~/ ]3 l: y' f% N
所以蝕刻吃他最多
0 m+ t6 c' u2 B; N8 l4 J主要部份特性就不會被破壞$ g) L, d0 d- d! L$ A
) x* u" j) L6 L% n
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 ?" ]4 ~" [$ V0 s. e所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ z/ ^9 |0 a$ R: i& s$ y6 F+ v) A+ X
: m& i' I9 }1 A. A又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" G* e& g6 f1 _8 e- h7 T
還有電容也要加4 d1 D- S( T4 F" y1 m9 m. K. [
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!& R+ @1 F- ^! P2 D7 g& l" z( |

" h* F! N" X! B, T, U; O, z; oand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ `  c' U: \# B
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 p: z$ `% L3 _4 H6 v5 S, p# E* C5 Y  _5 |5 }% X" h/ T

* o+ D8 y( N+ z2 I5 d. C' b4 T    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 e. G$ ~( `. o. m

7 p4 {2 K* E. v) O( \6 |如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??2 h" W9 p& {! y6 F8 ]
' l/ C" K  Q  l8 ?
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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