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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
- P; Y& Y" b' V; m8 f1 q6 d" i2 a
& P3 [  r# }  w0 W3 O7 `0 rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
& v2 e( i  D# J8 M大部分是要match
7 O: u2 H; A0 Z( n, m& PMetal poly  density  不夠( g& X" j0 i! B# b: y
加ㄉ那些也較 DUMMY
/ i( ~  s8 V, Z& i: W把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' o7 `  E: m. C8 t" I, A% v1 P! P9 {. `! K$ }# L
# {+ w4 X1 p9 ?9 e
    感謝樓上的大大
' f1 \$ a0 u; ]% P0 d. ^   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( q7 H! s' |" L( Y' E7 s6 S6 |, M9 w3 q3 k% @7 ~

! d$ u5 X6 [5 O0 j- e& f% B    感謝您回覆的這麼的詳細
5 V0 M; ^. \, F' [您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: ]# a! _* c- n4 Z; X$ c) E) P- g6 B4 z  K

/ s% s% i: O$ u' O不過簡單來說
6 R$ b( g1 Y7 ?& K4 F3 S在製程時食刻會破壞掉你的元件9 F6 k# I$ b: I
而特性就被損壞0 G) A! i1 N4 r3 \1 d' g: t
: T& s6 ^$ b% C" Y1 ^$ ~3 u/ p
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. T) E  i; P, V2 G
所以蝕刻吃他最多/ I" f  _0 L# K3 ~2 a$ M
主要部份特性就不會被破壞
8 v7 h5 R" a' ~! N$ H% T7 V6 K+ [
' P, E4 z# D# E8 t# ]很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>- ^* |3 t7 j9 {- X, A+ x/ h
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 V4 e( J: h) B8 j7 O$ j1 r+ e& s0 a6 Z

: h" D$ G( i6 q! ?/ U又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 I) @9 ^! S7 |9 n% z
還有電容也要加+ x# w1 U- w" m
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 V, W  t: K+ `* ^5 {
8 A& c8 ^- \/ sand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) ?$ V6 k  A9 d$ e. P2 ]# T7 Yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! D$ ~; H8 }. S/ E4 t) g2 \. D, k
6 J$ S4 z1 y! W, l3 o
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* J0 G- i% B' c4 H: U0 h% ^- C- n" s. n! F% W, P9 i9 c
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 `( V- r; T' Q8 F, K

+ k; u  ]* g, [: r5 j數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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