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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, J% y9 U. }' A8 ~# ]. P) b
: M, ?7 q* n  D. X2 a+ Opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! m4 w6 L- n9 ]. Z大部分是要match
. p& z2 A& t% w7 |4 `% b- JMetal poly  density  不夠
3 j# u2 ~0 a8 K: Y' n) X, a6 @, P加ㄉ那些也較 DUMMY
. t4 d, o8 ?9 F7 w3 G8 h, z把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - f+ s* _5 F1 q. G3 a( `- a
8 I: c" v4 h9 e0 g$ @1 B: V7 K

( ?- \. A3 d2 N' Z( d    感謝樓上的大大
# c2 W" n, d' q! R% @$ C3 q/ g   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - G9 ~- W- C0 _4 J# T' ]" ]
0 B3 v' z) r' w4 {3 q
/ U2 N) {) g7 X( V7 S
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 T4 C+ [# H2 U, D7 T. s4 m您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!- B$ S% R+ _* L0 Q4 H+ w( I

0 W8 C. B, k4 X4 h1 ?不過簡單來說/ K- U0 O) G' ~1 }  @% y
在製程時食刻會破壞掉你的元件( H% S" E9 y- _7 l+ [9 v1 z/ T: Q
而特性就被損壞6 S( h4 {& @* B; s4 t  }

; S: _, z7 N# ]8 F: @若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; o: B9 D0 w- E" |: M; M  i
所以蝕刻吃他最多0 i4 g4 O5 T( Z0 \: V
主要部份特性就不會被破壞
2 T& p) g/ q0 @5 \2 R+ L0 i6 F7 C: g1 \
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
  m/ q7 J$ I" M: f; S所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
% U1 P% c- ]' W. ?. a0 g, h7 u! h, ]8 `+ y
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& o8 n) Q0 R1 j( {+ o+ p還有電容也要加! K7 ]( W; p4 ?- q) l
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
/ `7 s& p+ x! c) A
* D* ~2 X% T. C/ @and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..., J* o  P5 [# B/ ?
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' _; m& y- |& k4 U# y+ K' }  J
; s/ ~) @1 f, J, B/ U
- p* ?4 x5 L" S6 N6 e4 |    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% V7 ?- j" i* C8 e

3 @8 H) x, f! g8 u& D3 C如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% v7 T9 t+ w7 u9 [. B0 u
' _, e# l5 Q. j8 a: g# Q; y數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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