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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 h) F: }9 c4 K- N  s7 p
+ I% t4 ?( m) D
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
( w+ R. E4 ~' [7 X" a  ~2 c% a- ?3 ^大部分是要match
  }; P9 z2 u# k) VMetal poly  density  不夠
' ?. @; P- |5 q) d0 E/ I) V加ㄉ那些也較 DUMMY & s) V% t1 J/ j" y3 [! Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ; k- n" l. w9 o2 c: F2 d2 A

. V/ }# G  h4 d0 k: u# k/ _8 [
/ C6 t- T" U1 Z    感謝樓上的大大
+ k* o( }( t# a. S$ {   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 }+ Q! Y1 w6 R% P  s; B  ]) v
+ f& I8 Z3 v/ m3 F8 W
0 D. |! q+ s/ V9 v: B6 X
    感謝您回覆的這麼的詳細/ o% F% g& p- k% x/ h; K
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 d5 j5 v8 l7 o2 _& a5 G) F* Z
$ N  e! q+ H9 w5 X4 q8 Y. B不過簡單來說3 M- [% \& {9 p3 n1 o0 i: w
在製程時食刻會破壞掉你的元件3 {' X; }  y  ^# Q$ |& w
而特性就被損壞
# `: q: U& z* P( V, Q1 s1 p% K
! s3 d- ~- r- A% i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* |! \0 R$ e7 M" j5 n* j5 G
所以蝕刻吃他最多  f$ x( l$ E2 ^& N; l9 J" d
主要部份特性就不會被破壞) q( s- }+ |# x

, w% I0 G- x5 |8 i- c5 \3 j  [很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, @( y8 Z" v6 g5 @( B5 L0 A所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' o3 y! F- ~8 s
5 r$ F2 j7 Q: |, a
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ @& }( e" b! ~+ X/ I& N還有電容也要加& [$ C- h8 O9 @. _* s; R! o0 u4 q  }
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# k( V! u: }) {6 S& @5 P9 S
8 R* K2 @" M5 Y, \+ ~and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  W5 x3 V. T7 i: F' i
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ b* t2 u  b1 k1 c; n. ~& _: f0 H
  ^* `8 i0 y3 @0 o+ p! r( L$ g* @; {
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, P% l# _" W6 u
% Z* u2 z* {) X; Q6 k( }9 s如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??# g6 \7 z8 J/ o5 Y9 K4 e6 S5 T

) L1 I- Y! w8 ^0 O9 j數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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