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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: O% O5 Z+ x7 |: ]+ G

3 G( B4 ?5 _( n# \, Kpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* n$ j: }5 C3 J2 m
大部分是要match
; z% l* H8 ?. O8 e1 xMetal poly  density  不夠
0 ^6 ~+ h8 \5 d, \( D) q1 _加ㄉ那些也較 DUMMY
2 E( e* c2 _, H8 d8 e; o+ N, s把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 R7 \- P2 w! L  w1 Q5 ~$ Y6 p+ ?5 k6 b) @6 x- n
$ g1 P. K0 g' {& E1 U! ~
    感謝樓上的大大
- B$ N* i7 D6 r+ O0 w   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 $ |+ E! y6 y! @& Z

7 W2 @( Z! t% {9 {: N% m+ P: @* J# H, w; l* |1 N& H# D
    感謝您回覆的這麼的詳細! `- n; U- f. o$ C; U
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' z. B, J/ @; V1 c- e
& a6 Z" e2 G# D; Q( a$ A% T2 q不過簡單來說, P4 l6 r- }: ~7 E; Y$ J
在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 \3 \# n8 m. ~5 `. j/ b& K: b而特性就被損壞
/ x( e% |- m% `$ A6 |) Z) o# m6 M. o4 x1 _+ \' @
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% L+ |5 @  V3 m* D, ?所以蝕刻吃他最多
5 m# n9 v& p3 j5 ^, I主要部份特性就不會被破壞9 p! N6 Y! v0 L6 g# s; r

( i9 m% V) Y4 J; y! Q) b很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. U' e  ]  S5 }5 O5 y# R9 Q所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! Z2 ~% E' i8 x' N0 |% q9 b& t  h' v2 y( d, B# _( N6 }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ l- c" h; S1 c  [' m% c. c2 g
還有電容也要加8 O2 p/ A5 O0 \; Y4 C% o
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!+ B8 Y9 c. _* q5 o5 I; a

: X- s, j' {: }; t/ W4 [and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! f+ v( G: c1 c8 O3 w, [3 ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 ^" P4 G. E$ \# ?/ K( a- V0 @5 ]6 w; ^  F4 _# A! M4 {, H  C

/ V9 o4 n  ]2 B/ ]3 O1 ]+ {4 b    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% G# w) @) v2 `% |) r: j8 b; m
0 m. L$ i% u* G如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 q9 a% s+ e. I8 H
) B* R0 L) C6 W, Q
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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