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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias/ _3 ^$ p1 o) Q& J
( J$ E' V' S! ^1 r
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  @1 Z0 v# ^' Q/ [8 v* O1 F大部分是要match
  Z* L0 N; w% v3 K- Q7 v2 B+ h" TMetal poly  density  不夠; S3 \, X+ e, X) W
加ㄉ那些也較 DUMMY
$ G5 [3 M5 J& I: k7 |! @把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* x" I9 ~9 d) o& C$ P  j
2 a% u; q. {% G0 V2 k9 q4 o2 P" P: O0 P' u9 V
    感謝樓上的大大" M# i% b, a" @8 I  b4 i' E0 b
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : _+ F# `1 ~- p! I# P

' s" ?, t3 V9 Q) Q" x
/ ^0 A/ @( {0 O1 o! T, @& I8 t    感謝您回覆的這麼的詳細5 L3 s4 m5 k. ]7 d* ^% {7 d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( |% q- j7 R$ B9 X# g1 Y. |4 \- M/ F5 U" F
不過簡單來說
- \1 H! {( b& V- u在製程時食刻會破壞掉你的元件
& l+ E. a6 D2 j( T  |8 ~0 ~而特性就被損壞3 r' ]$ i! D' q, G& w5 L$ u% q
5 T4 d( j* S! W* f8 `
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 f: C6 L: Y3 Z$ b. E
所以蝕刻吃他最多2 a3 ~0 ?9 f1 ^6 k- R. \% z. c
主要部份特性就不會被破壞
& J; J, D8 ]* B! K
; s8 L+ ^; n; W- Z很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 i& M2 ?8 S8 b所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 r  _3 }# c! P9 e
* w6 z: ^0 c6 Z( d/ c' d: `
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 F5 v- T7 ?. f& \, K0 n1 F還有電容也要加4 x$ Y9 q2 U. O6 S* Q
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: i4 D+ }' D9 ]

* O+ e; L) o8 \7 M. \: yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." N0 u5 o! A  q6 [. `6 N+ ~
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

; ]. V2 ?( H. q6 V, A( i: e. D, x& J$ F
' X7 D0 Q9 K  U$ C9 l0 E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 b7 i; C, K6 ~' S! m& q4 X8 E
& w. U) g( x5 n, R  [如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 k  Q" d, s8 k$ k  N# v& K% P4 ^& z& B' O# o7 T
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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