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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias( B/ |" o2 s# M8 u
; [" j4 _$ m4 S% J* E8 a# O: J
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. b, a4 p9 K8 b9 ], l- f% K, Y
大部分是要match" A" j: Q4 o0 c+ m! V. V, J6 R! }. E
Metal poly  density  不夠8 b, @9 [% Z. k
加ㄉ那些也較 DUMMY # ]$ g* C1 o% t
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : Z0 P. i; ^' C" W& R3 ?, O5 L8 R
8 X# `- H: r/ A6 y7 F
% H- R% j% t5 z% p
    感謝樓上的大大3 h" @7 c  M( |; I/ Y( w
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & G: F) W( i6 E, ]9 x) c

, M8 U* T: z, G  F  I+ @- r; D# N, Q$ q
    感謝您回覆的這麼的詳細
' \1 g0 `: D( _9 k) o! ?. S+ }您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 d  Y  s8 L& n- C
7 L, U' s1 u$ R5 {2 d不過簡單來說3 N0 ], k8 R  V* A9 p
在製程時食刻會破壞掉你的元件5 K- \8 U/ O# k2 V
而特性就被損壞1 f, z3 g# G( q9 _) @3 p) l

! A' {% P( n5 U- Y% F$ {- l0 Z3 P1 W若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>, J% t. Z# m6 h( `. h( a
所以蝕刻吃他最多
4 Q& p+ ^8 j' |6 G1 V& J0 x: b主要部份特性就不會被破壞: L, @: L) B0 [5 n- z4 i9 d$ b
% d# b+ @2 |9 T5 m* s3 s' D
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* g3 p# |% I6 e, T所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! N# p6 w. X: c" S
8 R: X0 c2 e( I又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: h6 z( g6 m1 |+ a' v$ f, P
還有電容也要加0 S+ L0 `7 Y+ u5 ]9 z
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
1 l0 ~' M1 t! I$ t2 B2 v2 Y& Y' h5 J0 h8 `6 T
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
3 W( L. h3 s% w, C8 _1 P1 evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

3 l$ [2 ]# ]! R! w/ b) V; z6 ?& P5 t+ O6 A" [' J; p) ^$ F0 W
, q! v! R- v- y" ]- a2 q; C9 W9 n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ P* b; K4 q8 z' [6 g6 J% s/ K1 w* x. m1 g* C6 X$ b4 G! X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* S% t' {) S8 \+ x# J6 E( ^( U% B- p
+ b$ B9 [6 x/ i; M+ s. Z  c, R* |
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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