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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
% T- S3 r! x- d/ y8 P5 z' x8 z2 q" J$ b
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 R$ H; {4 M$ E$ u$ M* n$ P% ?6 D$ O
大部分是要match
& v0 t5 c! k$ XMetal poly  density  不夠" z, X" L# S. V4 @
加ㄉ那些也較 DUMMY
' l) _* m+ [0 Q; D/ M把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( X* S/ E8 e6 e& k0 V9 J' N$ _! C- X8 A. C4 l" M; u

/ d- u' e3 W. F) |0 |+ l    感謝樓上的大大* i- p& j2 @# j0 u
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + [+ [$ e, n! A5 x2 a9 e  H
- L* D6 R- o4 y! o

" z9 \+ F* l" N4 y5 }/ H0 O    感謝您回覆的這麼的詳細
+ ?; T+ O) Z' O( M5 s% m- t您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 ]  Q/ F1 K/ b$ E7 S
- P/ w( A0 F% e+ M- ]8 a/ X
不過簡單來說
0 U2 M9 W. Y/ Q7 P0 z! n% x7 }& F在製程時食刻會破壞掉你的元件- |! s/ d6 K. B" f* y- H
而特性就被損壞4 d2 Z) }. Z0 F* x( I0 G
( l& W4 i. a5 }" z/ X: y( ~0 |
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" d$ T' E' A( d8 j
所以蝕刻吃他最多
7 b, c$ o. l" T& K主要部份特性就不會被破壞6 @! w- f- t' E8 A& Z
( J: u) O5 i' x0 n" L
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) r  @: T) V, f- A3 O$ Z% A所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! V3 x$ K+ ^" @; q
+ W2 {' x! S) O; Y' q0 ]% F又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ }8 j3 E/ R- B% k  A1 }' w# z還有電容也要加
& H+ u* z+ @4 k& j/ s若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ K! I( f9 w& @+ t6 K5 B+ W# x) g! E( t: U  W
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) D0 V. b/ ~/ ?5 M* j! ^1 Kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ C5 n! r, L6 ?! [1 P, H1 k. B

% C- Q* F/ I4 b, R3 r, h3 M5 l
7 S$ k6 k4 }4 _0 R3 `    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# b  c4 X: u+ x1 U1 ~/ [! c, F( o1 e& V6 }- z) F( @4 ?
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* h2 U; j3 \; w: B9 B9 X% I9 V9 z  h
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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