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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
2 c6 A' i5 T1 T5 \8 {( B$ C( R
6 E* n0 D+ p5 Npoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! z( I- a# i3 j2 D0 B大部分是要match. O% _  Y4 X5 n' i* a' ~
Metal poly  density  不夠- W& E: S: A- D5 g) R& v6 u+ z
加ㄉ那些也較 DUMMY
0 o2 _- s& F4 ?0 g把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: ]7 u8 w& Z) E# O  y: B' g5 `  b8 [5 Z4 U( _

( e# t- [0 T- i/ y4 ~% G0 [4 N    感謝樓上的大大
. p. G( p  A0 A   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 d( v3 K( ^# Z; b. c* l- Y) f4 h, y0 _: g+ Q
& f. ^1 T2 z* O& M1 z6 ^
    感謝您回覆的這麼的詳細% V, {% d1 v: H! d: [& h; C
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ [8 U- }$ [+ D& y

3 h+ X* Y3 a- [2 @$ ?, a$ H不過簡單來說$ u! C9 R/ e9 J0 S
在製程時食刻會破壞掉你的元件5 d6 h. L7 z" T6 n6 B
而特性就被損壞! O+ v* {9 w! }. z( f* ~

: U! c; l5 w! j7 c* O若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- v6 n1 l, g8 ?5 K6 M& e0 Y8 ^
所以蝕刻吃他最多
$ T& L% F9 i# T0 ~8 I7 ?主要部份特性就不會被破壞
7 @; d$ I3 |4 }0 J" G  a0 K% s( h9 z' {, z* b& P
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 C% C6 k- e, W/ ?所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 n# r" e3 e/ W- b9 O: B
1 e% q) R4 g$ H, s
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! o# n0 R! f# ~- q9 `+ ^  E
還有電容也要加# h5 u9 j+ I, p1 ~0 b) H; [
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: n- v; s  M* q7 r  m$ {
7 c# h: {! `+ G6 E9 i5 u( U$ Yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& T* \" k1 o4 _9 |& \7 U' s. jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, W% m0 j; b3 H5 M( f" @/ C+ Y. M8 p3 q, e
2 D) v3 i. Y6 _
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 @4 f  f) v8 {
1 O* X8 o& v+ m, @$ G0 e9 a$ p7 H
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 B, C- k3 F* d# R
. g% ^; {; T: I6 _5 S/ c$ Y+ |( e; [
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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