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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% y. ?) Q2 W( t9 Y' L
: y  d! S2 l$ M3 G* [- N: C% r
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ v5 c3 B1 q( A5 }3 R; X2 d大部分是要match3 T0 F( T; f6 V4 P) H
Metal poly  density  不夠
* b' ~' e5 o# z4 [4 W加ㄉ那些也較 DUMMY   A$ i9 M, P0 _- R3 m- |, F, K4 z! z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
3 P3 s- s) W. [  q' H
9 k$ l# y8 X! U4 f- o' L: B/ x" z
; J9 r1 N- D7 ~3 J. o    感謝樓上的大大, T7 f5 Q; v! E/ Z! m1 m/ _8 K* J
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  @+ `, E- O& H- q7 J
6 B, e& ?! ~, H) Y2 o) T3 w% V0 i" [; O/ v. U6 _8 q
    感謝您回覆的這麼的詳細& F- J4 k) Y  p0 J9 L, C; ^/ l0 e
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" L* M( W: k6 r# b* L

; u4 J9 A8 Y9 C1 e& R( A不過簡單來說/ b1 T8 {! V/ S* Z% A7 J% o/ O
在製程時食刻會破壞掉你的元件* E7 J! r9 a8 C+ M  a
而特性就被損壞
" v+ V4 ^8 T5 w; m. p7 u
+ p; [  c' [3 c6 m' t5 \+ ?若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# K5 u4 C; l9 F; g% a所以蝕刻吃他最多1 h' ]; u- R  i6 Z
主要部份特性就不會被破壞0 s; G! k) |) {! Z4 W2 x

/ b, J$ \. l7 R; l很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: u8 m4 P& R+ a; B9 v& l/ Z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ g6 o# a2 P" s5 y; u
. \+ ~# a$ s+ Y% _  [又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 q" \  Q# q9 n. Y還有電容也要加1 Z& N' M; D) P
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' i, }/ u' O; D$ h0 p3 l' t9 D+ S, v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...& b% o9 A. D2 n" a! p
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' l8 g/ B- A. _8 D, E. r0 x9 h
0 y+ O! S0 G4 L2 H1 G
" P+ ]' n( R9 @1 j, r
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; [4 q& q# k  T3 T" @/ B3 b8 E6 f) E+ v: c9 \3 A
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 i) x1 z- Q+ V3 R+ G, Z

5 D) X, m6 M! X& V- R3 d; j0 B+ X數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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