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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
% V9 T/ o$ d' W7 `1 g8 I
4 v3 O; z; g7 E7 Y$ Qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ Q2 Z. f& q% |7 l' Q% A( p7 _大部分是要match
* q: I9 r# b! b9 qMetal poly  density  不夠
4 F$ G* ?* ~' [% @; w* O4 ~2 j加ㄉ那些也較 DUMMY
  S  ?; N/ |; D把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" Q6 }" m" W. E  x' N. p1 `9 z3 E0 X; F- e) D3 M3 x+ S
# p, z# a+ X& |4 \
    感謝樓上的大大
2 \. N  e: Y( I( x5 G7 U$ h4 M   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * g$ z7 z( C- r! }
/ e; }, }( _! f: W) J" q
! m! e6 i/ A8 z* q5 e8 Z0 E
    感謝您回覆的這麼的詳細8 [' m# K5 p; D
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
# ?0 Z& S- J7 [
  m( ]/ c0 d  E不過簡單來說
" A# E* N$ ^( T2 k. f! d1 J在製程時食刻會破壞掉你的元件+ Y$ {0 e* q, D. o
而特性就被損壞
/ L; e0 m% t9 S1 T3 \
" x/ q# w0 U/ C+ K% ?* s若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, }6 k0 h' _! s' G( x所以蝕刻吃他最多
) A- ^3 n& E& ]$ s# r* l  }- {主要部份特性就不會被破壞
3 V) q" m  _/ ]( h4 f: T& t5 B0 j# X2 B1 Q* m) y9 X6 I
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 n/ D& Z6 K1 t/ Q& Q! L0 n. ?4 h所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ E# l) `/ f2 u6 w7 }4 X

+ h/ |$ i& O( t, l又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ p3 I3 g. j; G+ _
還有電容也要加/ c/ a4 R6 `2 j; M
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- T. U0 a3 g4 ^" C+ p2 a3 G6 ^' O4 E
6 q; C9 X, o9 w/ u+ Dand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
, C& S1 Q( Y3 ]: j. f& ]vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 h1 g( x, ^" V
: R/ \: |3 O2 h5 h+ _& l
1 ?" X2 c" ~" K1 _/ e
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 s2 h) N. F" J0 `3 j2 M: m* w) M( e! k  _
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; D% W$ Y$ e( P2 @+ X' i
  B  \( L. Q8 l" d  O數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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