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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 _( V4 }2 p/ F3 z6 J% ~
$ O) Z' N0 {, |6 A1 A8 S
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密+ ^! I: R' S4 n; t/ @6 f% W3 R
大部分是要match6 o/ m) x, k: o4 h, P3 E0 F7 K
Metal poly  density  不夠. c, z, u) z% ~* |
加ㄉ那些也較 DUMMY
( G& x1 M, l- Q- m4 c2 [把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& \8 o! I+ k8 I3 K
. ^: o9 g  [# U5 ^+ @  B: b
2 ?6 z/ g5 @( s    感謝樓上的大大$ e' K# d) `: u( e$ b( I/ Y( V
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 G1 t! [! h6 _6 ^% H7 _
9 @0 }  v8 u* \

0 ?% F7 c! ?  N# G9 L+ c    感謝您回覆的這麼的詳細
6 P. v7 \0 g* [! ^8 \您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& b5 s( ]/ a% i; ?  x5 A4 i- A
: k" j' H! a( ]& Y3 W不過簡單來說1 h6 s) G4 C7 m: {, w6 s3 x/ |, Q' d' _
在製程時食刻會破壞掉你的元件
  d+ R' r; g" e" e' V而特性就被損壞) x. r4 p  J8 t

8 E2 x) E' W  Z; W5 k8 g1 I若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 p! a' S( G1 F$ n; P% l
所以蝕刻吃他最多
3 X6 ~8 I. {# |% ?, y主要部份特性就不會被破壞' G4 e6 C- ~! V4 C1 l/ {0 E: a

. X8 e  T  Y7 l+ A" W2 F" F" V很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>+ `7 E4 h/ _3 P; H0 Z4 U
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. p6 j# ^$ j: ]' |* X0 f
. t" b- l# U6 m) U. u6 G又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 H* d; V2 h8 w& q( o還有電容也要加8 `7 `3 u) z5 A5 C: m
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( [* o+ h7 o9 J( L) k
' h8 ^; l" C+ {+ R' H( [6 T2 hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...( z/ E' p! `/ x$ z, h( ?& J( ~
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* j9 p; x/ L2 o* V1 J# }4 e" s

: _; d" y+ v# L3 q* G, G# A% ~    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??# n2 e: q& ^6 g) B0 j' h' A- i
) w7 m9 W( n. ^2 d' E* l7 B1 ^
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( c4 l! ?+ w: v& C

# M- I) B& M5 s3 b數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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