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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 h6 |- F  X7 j  R# ^

1 v" A' P1 M7 V* }6 ?5 ~, Spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% s; @' ^: h  }, x. ^5 l+ f7 W3 t大部分是要match
* b% I, t! O* B3 EMetal poly  density  不夠
& ~$ W  N5 r) ~加ㄉ那些也較 DUMMY
1 N9 O$ z+ K. I2 |" d" G: k. g2 q7 ]把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 T/ r; \6 l8 n  [
+ ~  e% J, ?' B4 B

" z% U$ i% G8 N  L1 t$ N    感謝樓上的大大
7 c/ X! \5 N: [: {4 r   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - j. ]2 X8 u" Q# q) l
' P3 L1 i, A2 L5 f$ k
. L  x- ], ^$ f9 \4 t
    感謝您回覆的這麼的詳細
& U0 n/ w5 q8 X# F3 i9 l0 e您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. ?; g: A9 M* s- _( H" r  S5 K5 z* L. m# k& H; A3 m9 R
不過簡單來說
7 Z) M8 L8 d$ q9 j2 K/ f  d- O5 k在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 O0 u1 q9 [6 h而特性就被損壞( V6 G- m& R) e& L' n( j+ ?# i

3 H3 m( t0 k* I若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 S; Q1 g  i$ x( E" ^" t
所以蝕刻吃他最多
. c7 w& Y4 v; ]9 _/ k主要部份特性就不會被破壞
! Z; z3 _6 R: h
0 ?0 w" D$ b5 \* m6 s) M: {很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 F* Y- A2 O, G" g所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 h5 ?6 ^1 d* F2 K" K& G4 S/ \0 R9 P

4 a6 P2 r4 j' k: e* G( r又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" ?1 S3 U# a! x8 @, O4 @& j& [- c
還有電容也要加5 A! b0 D4 [* H  K& R+ d# b
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!2 [) D& Q8 \9 e( m" p3 {. g

" l9 A. Q  }$ u5 M0 land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...! \% y2 b; k1 \* s: c$ X  y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 h) V  w6 N' {* |8 F  Y$ |4 j4 o4 ~3 F5 Z  a* ~) w
( M$ Q& ~- M* E, N
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 c5 @5 p! \, g

( P9 s( ]! f: s/ A# G! @如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??% g2 M8 _* ?. {. f' a/ ~
2 z3 E, _9 ?1 `1 Z& x
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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