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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 v2 s4 U, n5 }4 \( i
2 M, u  j5 n+ vpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 ~- Z1 G! t! `5 d" k% t. W
大部分是要match  x$ x! O7 \9 s! p) N
Metal poly  density  不夠
4 V5 W  \& y+ M+ j! ^: r3 ^加ㄉ那些也較 DUMMY
+ w: \2 j: y8 n# L! m  x6 F把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + v/ s4 D% A+ D" L- C
" @7 s8 k( U, ]' {) {( {' |

+ Q  k. @3 U" Q9 n    感謝樓上的大大
3 }2 v$ }6 F% o. O- p/ \   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " X; |  y) G; T' b5 f0 N, q
- @2 G2 Y- g& C( f! T# t. k( O2 c

8 P3 [) b' _: _! v) K( M# l, g  k0 `    感謝您回覆的這麼的詳細
: x( ^" ?/ _. Y% f4 g) ~. y您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
3 i# P% S7 V0 _: u& T% G7 m9 b7 A- ^% D0 }
不過簡單來說9 c7 o5 E: k) ?/ Y/ I
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 r' a: K) g4 n, B3 y' D而特性就被損壞5 a1 K! e+ J5 B
; |" g4 R* H; P5 Z7 l$ ?8 q" V: T
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 @. v$ D7 [5 s% e
所以蝕刻吃他最多
! i. U6 A  @0 q2 Y主要部份特性就不會被破壞
9 t; D  w9 X! T- H
: h$ G* O5 M! M+ T' n很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! D) g( _+ w7 t: P所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: q  h5 k" n7 _/ r
3 t6 @/ W+ G/ }又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 K' g2 n7 v2 a5 l' z+ Q還有電容也要加
6 @1 H" {" k" `1 H0 s5 i若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 C0 j7 D7 X. J2 I
. ~( ~9 @; c! ~( G# [; q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 Q( y. h" W' U% ]# }# g# Jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

% \$ q4 |* E+ o) [$ B6 ^0 r% t  w

$ N8 u1 ^  R% r% ]) ?; q9 u1 K    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 s5 @, w$ S* ^% \2 K) i8 j/ i( y; e" V1 w
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' |. }# e: `/ y7 ]4 d) I
$ I) v5 }# l) \) z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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