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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias0 \% Z. l4 Z8 L9 @

8 ], |+ q$ K* ?  a$ x4 Upoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' y+ t# e' f" F( ~大部分是要match
6 X  d! n6 H5 i! x8 n- tMetal poly  density  不夠
; a+ o5 \! U4 M; g; i加ㄉ那些也較 DUMMY 4 d1 L& t$ A8 h; U
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% ?  D; h7 w3 S% B. s1 K7 B
0 V4 V; t. f% _& x5 W9 Q
* Z$ t1 m3 x2 L6 t% ^  M+ b$ T" t0 X: g" v    感謝樓上的大大
+ u6 E) t7 S5 [3 c7 g   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; e5 M5 @: X, u% C
$ K9 X. g* Q* K% J+ x9 I0 s2 f& M8 X
# P! \# l3 q7 ^
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 Y5 B) I+ O# s8 ]. m! m) j您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 `8 [) D0 B8 \# S) S5 V
; a" |$ c: T8 I; l! j0 j0 L) N
不過簡單來說3 j. x9 {4 Q, O: O1 i: m% n
在製程時食刻會破壞掉你的元件; S  @$ M' S$ O+ _" b/ y# f4 F5 w
而特性就被損壞
7 d3 W" w; f- j) j( ]  _) S0 |: i
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* l6 a0 p! ?+ W0 O6 _1 |; H
所以蝕刻吃他最多
8 H3 M$ E# d4 `" p主要部份特性就不會被破壞% Q& I  \3 V$ s9 w0 j
+ {; G2 |4 j6 Z" i- z% F2 s
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>) F9 M( S$ N" K/ @  Z" i' m) s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
$ ~) ]  k* w* R- S' `2 f0 W1 N/ B+ [3 m
' a% O% u1 t; d8 e2 r: ]. p3 s又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
8 r  o* ~; T- C* [6 g( s還有電容也要加
' W0 Y, i' z: s8 \2 `+ [若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% _) m7 W9 f- L5 R7 z: }9 U/ N* y: z& ^! W) C8 y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 ~/ ]7 D- e* N* ^vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 x/ ~" B# W- j! L
: o, C# [% l$ `- e8 {9 ^& O5 w" ]0 x( N8 {# T+ h1 e* O' e
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- V/ k7 b8 t* F; P$ o& t; t
; L' D0 q3 [$ E& i如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- ~2 D, T, e9 D+ p
7 s4 N1 V  ^9 ?! T9 I# S8 O% _9 ?4 d7 M
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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