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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
% T' i: k, q$ h. c5 I
1 b; J& a0 ]' E, b. }2 }$ S* ^' ~poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  [4 |% m+ [; ^8 {大部分是要match
" n9 R  k  u6 j  {9 U# zMetal poly  density  不夠3 ~0 ]& ?" L- ~/ C9 a9 w
加ㄉ那些也較 DUMMY 5 n$ o6 Q0 a1 |0 ]
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! y. O% k. L: t) H) |
. f2 K8 {0 {6 I% z5 y* `: P
4 p6 h# @7 [$ V7 c# t/ D  P: _
    感謝樓上的大大3 O6 V6 e% w& t
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - V4 J( p* E# A. w8 T( C9 Q, m) C

1 p4 {* X" G3 L% ?/ A8 U' D2 A- Y. E) F$ N
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 f0 C. V. f: J, }9 F( e# ~  }您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! k/ t( z0 z) q# p; y8 Y3 N& w: S! j* w8 s9 l
不過簡單來說
; @3 W8 C6 ?. ?# |在製程時食刻會破壞掉你的元件6 [) W' w: \+ P' ]5 L/ ^/ H  |
而特性就被損壞- a, s+ v% K) `  u1 e

# x2 ~/ J0 N( |* G/ K! ]若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 u" J8 O8 G* f. C, u0 o. h9 ]1 W
所以蝕刻吃他最多
- a$ u6 K- j/ i2 @; r主要部份特性就不會被破壞
% T7 a3 a/ O6 z3 w3 f$ @# j" ]2 p3 m1 A& M7 X' n5 p  ~9 i5 N
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 \8 C1 n' x0 f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 f% ?" C+ t  |9 t+ `- K$ y2 t, M0 o9 A' E) O
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加2 |& y0 k% j0 a" c' u
還有電容也要加1 @. s3 E% n/ T: w* }3 X& y! I6 n
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!( Z7 j" c  i9 s( S2 b

7 D5 |. D, H. M! n: m# G8 Jand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...( b; L, e, q! K
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" }! `1 P8 X" z) Q6 d& z' N8 B2 ]3 Q/ m) E

3 [  o& h" f7 {2 Z: ?6 c    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 [, P6 u. t" b/ V& ]8 h$ J/ N: A' {6 S7 p5 h. l5 E3 h
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 a4 M- r' s7 C. j! A5 h
0 B) \* s' T! Z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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