Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54950|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 y, j1 w9 A- L% Z- z- g
) z: v% ?. T- g2 t2 apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
) j% ]+ W/ p; F6 |1 V大部分是要match
! J$ l+ o3 f4 y/ p  t0 AMetal poly  density  不夠
4 d* L5 J2 L+ G2 m加ㄉ那些也較 DUMMY - H/ @7 Q5 b0 d; r
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   c6 R5 }: o* O0 e) Z
, I% J- X6 N' K4 x9 D

6 o; H9 d) Z2 p! M: d0 H4 s    感謝樓上的大大1 P/ X) w) C. _; \6 @$ d3 e* f
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " r$ J) _! B/ ~/ F8 p+ l

: w9 ~. j( w1 W6 R, h* }; v
1 D( Z3 r2 w3 U: P* }1 _: _* W    感謝您回覆的這麼的詳細# p8 {0 ^9 c$ q& _% B7 Q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!( i/ J( d+ r. c9 M8 E

* R( ]3 [% t  a  N; W! E. T! S不過簡單來說
, r6 {( \) O  ~. Q在製程時食刻會破壞掉你的元件9 r8 _( m+ t$ \/ x$ l/ b( U
而特性就被損壞
8 O! [* w( B5 p
$ G6 i3 |$ [2 c* b1 q+ l; h6 Y若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 v7 |; C& x* \8 P, S, L. q) e4 ^
所以蝕刻吃他最多, {$ \0 ~0 e3 {$ E2 r) N6 ]
主要部份特性就不會被破壞* V3 n: y7 F  b2 Y; s9 {
4 \- |, w4 O$ {2 L, T
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, |/ a7 `8 a+ F3 b
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. t6 p4 m* e8 d8 y) l8 h. b

- J& [' W8 s. p# Q, m* o4 g2 x又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: b# x' @3 ~. e8 v+ u$ H/ p: H還有電容也要加
- N. m2 P8 T( t% d/ j若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& Z4 D" c8 j; x0 r* o
# m4 E# r5 w2 ~' Kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 z/ B0 A4 A& \% r! P) n! S1 S$ a% P
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 d9 y2 I/ k$ u6 N% b' f: i, B

3 v6 [9 R0 y0 t3 l, O$ f
, c+ g3 W# ^  L, |' m    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; A; d4 z# m6 m+ l: U  b
6 N" i$ D: s+ i! I如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 b7 g0 u3 s# S# S0 `5 Z8 {
7 E9 L  B7 d& o. X' |% \數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 12:34 PM , Processed in 0.197012 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表