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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 V& s" p' |6 f8 Y0 ]+ J8 e/ _

4 h) M$ `3 U2 o  a: R! {poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ B- w8 z. v6 K9 G9 N大部分是要match# _+ H9 \5 x8 L
Metal poly  density  不夠
) x5 V# H9 A2 ]1 e; @; ^5 K加ㄉ那些也較 DUMMY
1 i. p* _4 [" M- L' z0 T把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 q! i* b. k) k! x% `7 }. T  X' Q& Y
% V4 m0 Z! C2 n( x# |
    感謝樓上的大大
& H" y9 s8 a% Q$ W. i5 N4 A+ ^2 Z% k8 g   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# T  L! G; Q4 R/ H1 z6 a* v, j" f/ r! a% z4 L" G- b  S( |
9 [' v: x/ K# z. v
    感謝您回覆的這麼的詳細. i" O+ W7 V6 u
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 m, s) j  e$ T1 z( v; \% q' u
$ t# ]! u0 y- O5 m" f* b  \' f不過簡單來說4 }" P9 [8 c/ J5 y
在製程時食刻會破壞掉你的元件. q. S# O. y7 \5 G5 ]! l
而特性就被損壞7 y: D) J3 k: G8 G2 H  j$ |

2 L( k4 [% G9 h9 d# }7 e, V9 K若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- w0 h% N: o( ]% Y" O$ U7 F所以蝕刻吃他最多
) Y- C# U5 |; R: y7 c主要部份特性就不會被破壞7 ]1 n' Y8 @/ V6 W0 A) e" n6 |
  j1 K7 r' K! J; J  Z* j
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 t8 S; [+ `. c/ y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: v8 E! |$ n/ ~  G. y0 r9 D0 Y# C% Z( D7 r/ e
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 d) v3 J% F+ ^5 [$ |
還有電容也要加
, e" i  B( ~) x  j- e若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; U1 D( S( @' \, |" ]- S7 r: J. U7 k$ G2 `
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 d8 S* K: V- B+ F/ ]vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 y! C* q  u4 ^, w% \+ q, \( d! I+ k

* z" J2 y5 D+ R  j& R2 C
. r1 P% M" N5 s# N    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 C- U" x& x  [: ?1 W$ {/ z" c) x8 V' K% @0 @# c! z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 z4 w* o" z/ G1 ~
, a0 `0 X: a5 p+ _# g" K數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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