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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
3 K4 b! [# P. A& p' i$ c/ p- k( g' W' ]3 \7 ]) w& c
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& _! E" ~/ n5 c
大部分是要match
. a8 J2 m6 q+ U! ^+ wMetal poly  density  不夠: Y6 I0 x' q" q
加ㄉ那些也較 DUMMY
: x" j  ?. t; @2 K) Y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 r! h  \1 H0 [& Z
* t6 l& `" g( N6 x, l

# t) V! ?# b: Q1 P' r' T$ }    感謝樓上的大大
$ y1 e0 U8 Y+ C! l* k   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* B! L8 ^: P+ V  Z2 T* x' }8 k; N0 n( b+ C
1 C4 b1 K( U. w. c+ Q  u
    感謝您回覆的這麼的詳細! b" H; I5 ^& f& G7 g
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: p" O$ _9 q, D% T: x% v
* P& U  D7 O, z1 ]2 J, F. _) o不過簡單來說9 Z; f+ J- P; U
在製程時食刻會破壞掉你的元件: z/ g7 A3 N' k0 O/ E# x9 I: I3 z
而特性就被損壞
5 C; r* ?0 [- _# g- |9 ~" X: q
- ]7 L" v4 g+ c( h$ k若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ p7 ^; U. N; V$ A
所以蝕刻吃他最多
& j: Q1 I3 h6 y/ L6 _2 X9 m主要部份特性就不會被破壞
/ C* M! Q; Z: o! \4 }$ I
4 R7 B/ e. H  R! @5 ^很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 q1 A# z. `- `' \4 X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享5 y! x3 k( J/ ?0 P
  y* A( Z: B- |; f
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
1 |) z$ s% t0 A8 y還有電容也要加# t/ S/ V5 D6 W8 `' z* U5 ^$ J
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ s# z* o2 s4 C# h3 e) ]3 Q: n9 E& w

. n0 c3 |- o8 ?and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& H+ r- f+ _# |vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( [% l# [5 m% [  I, H
) N, c! Q9 ~5 c

6 ?6 y4 [6 y& Q1 x- p- d: J& c3 T    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 G' O  g% P3 ^6 U- b
2 E, K6 ~# V* r4 |
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* t! a% R* \- t6 ]: x' [# Z; f/ m& s

$ c0 m, t5 K% J( K8 g# m數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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