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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias# L3 d  C1 G% O. E

8 b$ E+ ~, P: g: E) H/ k9 J2 |5 cpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
; f; B# N5 p  `- T大部分是要match* o9 [- ]0 x& y, ]4 F2 W/ q  G
Metal poly  density  不夠7 N4 h/ q( N% ]/ J6 h, |1 r0 ?2 |
加ㄉ那些也較 DUMMY # b7 d, F) z- K# I: V' e+ j4 S, i
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 c9 B1 B# H5 ?+ q" c! s1 g
4 D- _( ~# f! B3 j
# E- i; X* R. a9 n! ]+ r  Z  _    感謝樓上的大大
% Z* e+ F8 v& R  S" v. f   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) R* [) z' j  F8 C' C- |4 k4 t

5 g: _/ S$ \, b7 W* Q( j# y) ]8 ^" H: t0 G/ k
    感謝您回覆的這麼的詳細: `& A6 q5 d/ X& ^) C
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 F% q7 a8 k. p- I: U
0 C  l0 S5 \0 G* H# r9 }
不過簡單來說
+ k$ u8 H) O7 a8 T! T; `在製程時食刻會破壞掉你的元件; Z6 P# x6 I& @* n  ~. @6 m
而特性就被損壞! _/ m# O/ I$ L) h0 c9 E

. a' \6 A: c8 ]1 U5 m9 L4 c; |若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>2 q! @3 Y6 q% \5 |1 L8 m
所以蝕刻吃他最多
$ j! _, R# f' `主要部份特性就不會被破壞) @8 L9 r, {$ K0 D" z0 B
4 |7 o) U, T" @
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! H- ?) C" ~9 ?+ |9 W所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% e' X! U$ ^8 f6 q, @' W
  o! e* A2 d7 v8 c) `* x
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& ?+ h8 E% H+ E* r( |還有電容也要加
$ Y$ p2 q& p$ s若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' C( @: t9 a$ M! i1 b2 @  p" `
& X7 U4 |5 A" {6 Cand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ j) W; q5 b1 ~, x! Wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! c. J- ?, B. X; [3 v. A" X# ~$ p  X

; y0 f; k& N# s6 B- \4 a    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 W2 b8 P6 H) K3 p' w; w5 B6 n* Q/ d
  W' C1 a, W- o: E/ l8 a4 c6 L
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( k* \4 X( Y9 t) g4 O5 q' _- y
* H8 I( ^+ o' N/ B6 g: g& w
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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