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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 I9 ?- k% [) q* H( j
" F# b8 N) Y; \! h' tpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" h! F  b: v8 v- ~) _) J
大部分是要match
+ X. ]8 S% N% f+ T( J1 W; t/ v: SMetal poly  density  不夠0 `; R! m5 p# R  l* ^8 j
加ㄉ那些也較 DUMMY 9 T, i: q- q5 ?3 D  `
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' W5 f2 e, `( D( X$ j; ~( O6 @( V+ p* `/ R8 c

. T) l' E6 ^! ?% z    感謝樓上的大大- ?  d  a7 q4 ^+ R& [$ c
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' W% V6 K# k3 ^! k5 A+ w$ d4 M1 ^1 a% J
: R0 Q4 [( d9 B2 p
    感謝您回覆的這麼的詳細
7 p# q. L$ K* {, D$ {2 ]3 U" g您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 c! l) t  D' u0 [1 {' U& I% c5 n; c2 N( F0 G2 n% z" |
不過簡單來說
3 `1 H1 K# U$ V3 B在製程時食刻會破壞掉你的元件( b+ F1 P. Q  b
而特性就被損壞
: C" l1 }. a! w
; j& [4 e9 m' p& h, X4 _  {1 j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處># T4 W' i- L5 A  b/ T3 N6 e6 R
所以蝕刻吃他最多
' a1 r- ]/ _* l7 \  ~主要部份特性就不會被破壞# V! ?6 [+ o1 y( W; n
$ \+ @* ]0 E& G& |/ g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- b' a3 I, l; j* q  W. ~8 q' j, s所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 m4 r1 b  j% s2 @4 @. a
* o) N  k1 i# {, v2 s& t又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- N  y7 G& {7 q$ f還有電容也要加
! E) `# e& w9 f3 w若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( Q3 w" b# V; U# z6 N
' N* h4 s& A. F9 G! h. `) j7 Iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* y! V. U: n- l: Tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ }- f2 i7 p0 @* u0 L- n" j1 G
* u0 ~/ X$ w4 B; Y" k1 ]: M9 i- b
9 ^( o5 `$ Y: _2 x+ |' K7 p0 v    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 s9 B2 d( s+ I1 j2 w5 ?8 V$ H
1 {2 z9 |: g7 i
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 e  f. K9 }9 ~( t, h5 ^
% T/ Q" P  S' c7 A3 q! {
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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