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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ S" u# X6 F  U5 c( i* m

% Z/ `  |+ g3 j0 A6 }# _7 F4 apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* V: G  y& b% W
大部分是要match' ?# `2 g& R6 ?. C/ A! u: w
Metal poly  density  不夠
6 U: x- w4 l$ B% J9 p& M" l# a4 H加ㄉ那些也較 DUMMY
0 |5 i1 _0 u  W" }) g1 A把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 M- U8 r( A6 O
- s  d4 j9 n$ d0 E

" p: b/ F/ B8 ~& i+ v* X    感謝樓上的大大4 G, f0 t! e; A0 J
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 @/ u  D1 _/ Q" Z  [8 e

- M3 W& W* N  E0 l, Q3 r5 p1 o) ?0 U6 S  P$ T1 s8 w; A! W
    感謝您回覆的這麼的詳細
; H: ^) v$ h& t4 u! `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; \! c( P3 M; M3 E& p/ B
% W# u/ g3 @/ r6 M1 l0 C/ m, ~不過簡單來說* K: t0 W& B7 X! z) I: I
在製程時食刻會破壞掉你的元件8 F. J! y  `1 r6 {2 ]2 `6 T
而特性就被損壞
( h+ P' U: D1 o3 G6 T# Y0 N
- d0 {3 ?5 I& {若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>) O3 ?! D% D4 Y4 t3 t2 i3 x
所以蝕刻吃他最多
3 M: y6 \4 l, ~: U主要部份特性就不會被破壞2 B* g4 H4 E8 s. y5 m1 j6 q  M2 I+ o' ^
# @3 z( `/ ^, O5 u0 i
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! A  c1 g3 ~- Z  v" h# g- `所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; y" r/ j9 j" {% ]5 e2 ~' B$ z4 V5 B- P( g1 j9 q' v
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 D$ ?% Q5 ^3 m) F2 n0 F5 ?+ C還有電容也要加, a0 I& G0 S6 Z- ~- N. B# E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! M9 ?* r( N2 v& S3 b6 `9 l' b
( U1 [3 n. Z3 b* E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 K9 B4 k/ n+ D
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# d- ^( D* R/ S, \
8 r/ r; d% c, I- p8 K0 ~; H9 |3 U3 N  n. ~. H4 w
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' q7 p: p  ?# t& K
' f, u9 R6 A! t1 c" l: ^
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ Q3 ~8 L6 p. M! T8 G9 M3 [+ A2 z# Q  z" ^0 ]
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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