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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias/ s" [2 w$ d; B& K
0 v6 P+ I# U$ c* |8 R( ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ A6 T. O, @* `, i9 q6 J: B
大部分是要match8 R+ _& \% r# e: K9 G' n* y0 h% P# y
Metal poly  density  不夠& W+ e* t. ?$ P+ r  J$ z' b8 D* {" [
加ㄉ那些也較 DUMMY # G7 I, B/ q& O
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 i3 d& V# I- F

3 K, P5 U0 Z4 g. b  M8 d4 i% r( w1 F! M% Y' n
    感謝樓上的大大
0 B% N; T# _, r8 D- G6 _   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ R) T* |3 K1 @& D# `/ ?! O" }. W) w: @; w9 {1 z. B) Z8 R

' u- z8 h% I& W- A4 f3 ]    感謝您回覆的這麼的詳細" {* i5 h; l9 [) p8 O/ \
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; k! ?+ H6 x+ c
$ t% a7 e" j! I) t/ |不過簡單來說
" F+ `0 L" d* o4 x# F在製程時食刻會破壞掉你的元件/ \/ F# S0 h) U- v7 \
而特性就被損壞- L2 w* \9 |7 b6 E. Z+ d5 E! [
7 _3 p! d' h% j9 O/ Z0 z7 M
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>7 c% H7 ~  g' A/ J8 ?9 ?
所以蝕刻吃他最多$ j6 F; k$ E6 M5 F) W  ?  F
主要部份特性就不會被破壞
  f8 [+ ^: @# E$ d1 Y9 o/ a' Q4 \$ K" n& V% D
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& @0 k3 @6 L. D. i, K6 r+ t; P1 I# j
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 T/ d' J( }$ D. C. }$ V9 n6 O& D- j0 K7 }% ^' s6 z
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, n6 |; s6 G. p6 X, N/ |& S還有電容也要加& i! C; Q! \- G0 U. p  I; p& g: n
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* E( b7 n4 p, v  L" F7 S6 _9 j: I

! y  G9 K* v+ D- X5 R3 i0 t" Fand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...7 d" V; h& t: Z5 f; ~
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 ^% `; `/ w7 _3 ]. R2 M9 ^' j5 [. \1 o

( a( e/ k  X& q! G: w" t0 d% e    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' S3 Z: }+ m& Q* [' k

) @/ U9 }8 X+ _. }如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- N+ m" l, A# {8 D5 a& M( i0 I6 v8 r9 E/ z  i6 F/ m6 B
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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