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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ P5 k; o2 q. l. `$ T* ~( J
7 g0 x; H0 F1 o% P& H! G  _' `poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密9 Y! s- p, W2 V
大部分是要match% Z+ ?0 ?" c* e# J6 S' d6 M, {
Metal poly  density  不夠
* a' W# ^& T" b: c加ㄉ那些也較 DUMMY % |* E, z8 G( X/ J6 U7 K2 G
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 O. z: ?  f7 T7 J: c

% ^* N  T$ i* b1 v6 ?0 Z6 z' W9 w
    感謝樓上的大大  O2 h! p0 A- j( q; Z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + Z8 \' F. K! t2 l1 T$ \  C
, N) R# `7 t: K
6 }3 w% p" e# {) Q1 ~, P! G, G
    感謝您回覆的這麼的詳細; |" O5 s! v1 w0 Z# y" d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 G' B8 _# ^2 U3 p$ W3 W# T# ]4 Z% R
不過簡單來說/ ~4 H% I/ M& t7 i4 Y2 h8 A  x
在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 w: s: M. U. d0 s3 ~而特性就被損壞
/ A# w; t5 z! k6 _$ f
4 O. q+ G' T, i* {  a3 y0 f7 x若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. U  p9 R) J; n% @9 h& A2 V: }
所以蝕刻吃他最多
6 e2 g- x  y! h! I- K7 R& T主要部份特性就不會被破壞$ T& K  Q; z, H2 }8 w
$ S  B  w& Q6 q% T
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 ]& U6 a8 J" M5 E* P2 P所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享& l) Z( b5 P4 O1 W/ b' n

. r2 \7 t9 r) J3 B6 X) P又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 O! s" K0 u: d還有電容也要加2 `7 F. M7 Y  Y' h( q
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. k/ o; w8 m$ O7 X1 P+ J

# T' P+ N. b, H+ e5 d" T- iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* H" u* S0 g0 G: `, x( Nvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
1 L9 y  ~- J! W4 p" _2 F  u; K6 [
4 `+ _' G1 s! ?) ^
; k" h/ f* S: X+ M$ S% O
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* v. |! k4 ^3 L) P
- z( I* C. f" _1 A$ t7 x" p/ q& o/ T
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* w( c6 n# K* P( B. _) `: k% _! P9 h/ o( L. `, y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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