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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ b. E! H5 ~2 g2 b9 i" Y/ ?

: J. \& c3 u7 [& |' N4 z$ f# ^poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. I/ P( T5 |+ m7 z/ t% Y, i大部分是要match) M, _' w7 b9 M9 o& Q
Metal poly  density  不夠5 e7 E# Q7 r6 a/ p& [- _
加ㄉ那些也較 DUMMY 6 L' d" ^0 D- [# U5 y  z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % ]7 ?0 U4 f$ s$ X  p7 J

! T, ^/ s. Z9 E3 @8 ]& L* D7 O
! d/ {7 q, O3 M" q    感謝樓上的大大
' J, K& o+ x9 t# u8 p5 t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 |/ y* i. e* G& ]! L9 o
+ k" o: y& ^9 k9 m/ r

/ ?+ @- c: J7 {, \/ W1 p5 h    感謝您回覆的這麼的詳細1 v# I. [( q0 V( I% Q+ |& A
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!. ~1 w8 l. V2 \

! p& s2 S0 F! E/ F不過簡單來說
4 `$ {. p5 ]  p# a' D' V) d* u在製程時食刻會破壞掉你的元件
7 a. i' ~) `  p. \+ Q而特性就被損壞
+ i( a. C$ r0 G& a. C; s/ b/ M" [% m' ~
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* s, X% Z7 u$ O+ u6 z2 e
所以蝕刻吃他最多' p+ i/ u& h- z8 Z5 D' Y+ r
主要部份特性就不會被破壞
1 u5 M0 D) K' H0 p/ l' w  c# h3 P! p2 y( I' ?% n: ]( v8 k
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>6 ^9 l  C$ _/ T1 a+ Y# F& o/ _
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 E5 C+ {7 Y1 J4 ~+ B3 _1 U+ `* b7 K, [% \1 D2 X, q7 R; Q7 x9 v3 o
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
  W" _0 y% k2 z8 d& R6 \! W9 r還有電容也要加
( Y8 g2 F, N& x! q. L! t1 N- B若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ D4 S  @6 H0 ?/ s* ^3 {0 S3 [0 G* ]
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# N0 z, p: J; S% H( R! T
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 l) }# Y; Y. s8 v4 {
* Z0 o! |, r9 \9 [! d: b3 p/ k
5 H% M! u' z+ y2 t( `% j9 U
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. }# C! P  b% E0 q( V" _% u2 X6 a4 L! N4 r# O, {+ w/ ?% S
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??4 B1 r- s: Z, X' n5 k6 U( V  v6 K

# U5 v- }$ R5 p- A7 t數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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