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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' Z/ E+ V, z  i& Z) u" \& S1 R* u/ P5 p& w, i
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ `& a- i( Z" k0 P+ m大部分是要match
- ~/ v! E; U. O" F. \Metal poly  density  不夠( D( B( W# o$ ~; v+ V
加ㄉ那些也較 DUMMY
: h; Q+ g( I: ^* h. d9 c; {( M把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' O3 B& l( R: ?1 _
: L9 ]+ E; U1 n" h, I1 {, }. Y9 e5 k
    感謝樓上的大大2 }, R, U9 ~5 x8 D) E0 T: A
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. k7 b0 c3 o* `0 z/ `8 w
" d3 v4 m6 L; R1 Z# |' L. n
" k" c1 v( N+ e2 \+ D! M$ s    感謝您回覆的這麼的詳細
  r% o0 C' u3 r0 Y. L6 ?6 Z' a! ~6 u# \您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ c5 ]8 P8 W. ?! X7 h: S
. k/ V: `! b% N0 @) |2 N) L
不過簡單來說
4 N; Y$ ]6 e* m0 R, N# u5 x在製程時食刻會破壞掉你的元件
. D" n0 O  h0 G; J+ O而特性就被損壞7 d  A/ h+ b2 K  ], C

, I% t3 N( C4 _8 ^( b) r若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 f: k1 L8 [: h( D# C
所以蝕刻吃他最多
3 f$ r2 D0 z6 q. _! s6 ~, S) y, V主要部份特性就不會被破壞6 d$ o8 C3 l6 k, X2 r

+ D* x+ x; S% v' b. [  w很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 f) O- P% e, `  {/ n所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 s0 @: _$ m: R8 C4 Y% _/ K9 @6 u

! ~3 _+ T: {% h( c4 D  i4 y8 [又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
3 n, u6 \# C2 e4 D2 z+ L. o還有電容也要加
; a% b8 z  U$ g8 W$ a若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 P$ Q' M0 |5 _5 i- R1 \6 l8 ]5 f: p5 W; f- z8 A
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' q+ u+ ^$ v7 {* }! t
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* x( A1 ~# {4 O# D7 X2 o8 M& g2 B/ O! X- Q' o, y4 D3 O9 E6 J1 G

3 p7 O1 k1 N) n    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ X3 F* ]& G: p. T9 U5 f

4 C% U4 K( F7 X+ s2 `如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" \$ I* L4 `2 e* Y2 r" c0 S+ |9 z+ W" c
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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