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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 J  @* b. {8 h! L; B3 ?. y' L( h& c" g5 R* o6 t- ?
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
& B& v2 I- x9 G$ `! ~7 I大部分是要match. r0 V: U6 g* v$ i
Metal poly  density  不夠
5 V3 {. H. Y; ^1 d, _' U1 f加ㄉ那些也較 DUMMY 1 ?9 N- B0 M$ _
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " j/ K* N2 `8 s! t$ N. b" |9 X/ P
5 h1 V: R6 }; R4 K+ g" q2 q6 a. ]

7 a4 b# [0 F- j: r2 r5 [7 x# K    感謝樓上的大大* D9 n) F' n) U1 B
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 P& b, S. k) G: x1 z

4 `/ \  P+ b1 [/ A* o. B% X1 `3 A5 z0 X. G# F- P9 X
    感謝您回覆的這麼的詳細0 [% Z' I* O5 s, q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 b/ w, u% t5 x; i7 v+ V( s, {8 j% F  v$ S7 c
不過簡單來說- Y+ c: z+ t: T2 a' z9 q; M- h
在製程時食刻會破壞掉你的元件
: `3 J# @4 }3 v4 s* P而特性就被損壞% r% y4 }' e6 O) F* y% W

2 H; B7 O! v! `+ k( k, I# w3 C若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! k5 M: o6 [- W# d  f# `& ~8 ~
所以蝕刻吃他最多: c1 @3 Y- @- r* l, ~! u9 P
主要部份特性就不會被破壞0 @5 _5 N/ n" y& t# o

" l3 U( q3 ^3 f8 {+ g  b很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 @- e; ~2 s' C6 [5 E
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; A* B2 l( P* T7 v0 H8 [

1 D; s! h! a2 x又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 O- f* M/ b" q; F還有電容也要加
  [7 f, K, m5 c( _3 D0 U若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# S. N' ~' n' _3 g" \
8 A3 b# O! p2 r( l6 {. }0 y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
6 G' D) W) b" A+ J- H" W$ V# dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
0 M$ P, q' v" _/ k4 e  f8 P
  ^5 ?0 L& D  S- N9 }( J  d' {" S

3 I  N; s% T4 x; a  ]$ `  }7 A: m    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; j; j3 [5 @# T# \+ y) o
; u9 T/ S+ l' j; B. j# |0 O如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* F1 P0 |0 i6 k7 ~# a/ ^1 D
* e6 b5 t) J3 @% J數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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