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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' q/ v' X- S1 l; f, x
! T2 f. E. T1 g- `& L
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* p5 M8 L2 }7 I  v& ~  x
大部分是要match6 G- h0 m, w, g; \, I
Metal poly  density  不夠6 D  _& V( n  a+ W
加ㄉ那些也較 DUMMY
: ~% |9 k' d3 |/ S7 \+ E3 o5 U2 N7 b把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 R) J' b* ]4 q* c1 Z- i

! d1 M4 \) y, a3 p
! V; H0 V9 g* J$ S( ^8 Q) R    感謝樓上的大大
9 A0 l0 ^: |2 N& \   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 ~/ @: L* _+ A9 l8 u5 I

. H& a5 w: H- V9 n' |; `" c6 l+ E; e! B  {; |: c# F
    感謝您回覆的這麼的詳細
( r5 u& E7 V8 [4 @. o& ~您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 ], s4 @6 S" n3 b5 S
1 k2 b9 M- V7 Q; W* e5 O- L* J5 P
不過簡單來說% S! Q2 f* u: [  {
在製程時食刻會破壞掉你的元件
( W, r# i0 o% w1 t2 d6 {而特性就被損壞, [- O$ q0 K8 p/ T/ N5 D; i

* x2 ~; N0 U/ _* J* T0 d. w若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ `; Z' D+ e; u3 b
所以蝕刻吃他最多
0 ~) \7 o# _+ I4 O1 k主要部份特性就不會被破壞
3 G5 a+ f8 T. n8 }3 s/ J! E$ s+ W6 V5 ~0 P* H2 k4 o5 |1 {0 B) R/ e! S% A
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 Z9 Q( f/ S% C! ?* F8 O所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 p* S# F( {- ?! x! {+ j4 G! r' {
/ n$ x3 I: M# W1 ]: `1 R又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 a( W" y4 G" H還有電容也要加
/ Z; g: g) A8 T3 T- a( l若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& R8 X  U) U/ N- f0 s3 ?! I/ X# v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- m" m; Q$ L/ C6 fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

7 C8 W' ]2 T+ H4 C8 J& S: S; l9 o) Y
0 `! j* z$ _+ _9 s
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' q% ^! O0 F4 e7 ~% r) \6 L& p. a# d

/ y8 r4 G$ _' I0 g( ~如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" L3 A6 Z% O( Y' m: ?/ S6 ?

1 m7 w* x& B# g! ?# g/ \數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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