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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 k' f, P* M- C* U  ~. E  q" z2 n
! H& |7 b$ U* ^, p. U- fpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
8 y- _7 T6 P% P& Q+ r大部分是要match
: M2 c4 E8 u" f) s* x0 FMetal poly  density  不夠
$ S1 B* b- {' v. [" R, R0 Z加ㄉ那些也較 DUMMY ' r$ W; W" g5 v* R
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
3 O, ~6 i: E( s5 M# H: b
) q3 l- z7 k9 R$ u/ N: J- t7 `
) ?. v# X% A8 y2 ?: I0 D    感謝樓上的大大+ I( G+ [7 a  `# E
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( k& ?/ ]/ ~8 G) c
& X  P0 A7 X* j7 y3 o
0 w2 ~/ J+ u- L% P0 `8 `% ]( i% e6 @    感謝您回覆的這麼的詳細
& e8 f: X% d, Y; I" S/ W2 q1 S您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ ?# c, K5 p, r7 g6 i0 Y
9 Q6 x* i/ ?, L1 \8 K, N. U0 S
不過簡單來說3 n  o0 e0 h9 z$ X2 a% e9 J
在製程時食刻會破壞掉你的元件
- G6 W( t5 z/ Y  g! j而特性就被損壞! X' _) X- T0 D9 H

2 R/ d2 Q% s( ~/ v若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>/ m( Q3 k5 Q* I8 g, [. J+ F
所以蝕刻吃他最多
! x& |: F4 E# r主要部份特性就不會被破壞$ ~2 s; |7 h1 p+ d% `1 j8 y
: A) ~, d" O% r. c1 F
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' g% V* N6 A: d% h. R3 g7 e: g4 [
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# t( v) k' e- T  u0 a

$ f: _% B" L1 Q* F' n3 ^5 X$ B. @又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 K$ |6 a5 [1 e# j4 M& [/ I還有電容也要加" j2 M: ?% w: \# _1 h( ~
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 t  X" K8 M+ @8 A, z
' K# ^& V8 W# W/ w% M4 F6 L1 Land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ H4 ]8 t2 i+ t) @( ~1 Lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 l/ H  P$ g! \- ]7 O- `
0 w! W8 v% D( b' ]# Q
# R" V5 I! P% z4 C
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??) L& m! s% `$ p% c2 J

" L# _7 ^5 k* ^9 p+ R+ Q. w  ]  B如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: k- p# Z  K/ x' [
6 O: y  }. |+ W; H: I' I; v數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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