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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& M+ o) ^+ ^' q6 Z: u* o3 V/ d# H% ~' h) ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密: X* h  q0 U  D
大部分是要match' M! C3 B( {. l& g
Metal poly  density  不夠
* N' `! p  y7 G0 H5 Y7 y1 G加ㄉ那些也較 DUMMY 0 P+ a' w- {' x0 n) x
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & D" b& t* H  K2 ^* h4 |

7 U* {1 G' v* B/ }+ p
, u; W" b. E) X3 d2 M    感謝樓上的大大
0 {1 @7 N* P: W, i9 e8 P   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; X6 M# n: J7 R# v( O5 }
4 I* z& N1 d- i
( w( k, V! a2 z4 K8 }: v! U    感謝您回覆的這麼的詳細! D4 ?% y8 E1 q' P3 R2 \
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& r  F6 d0 M, y+ G  H2 ?
% `0 K/ y3 c0 p2 W( B9 ?2 k. c不過簡單來說
' H$ G: m/ T; b, h在製程時食刻會破壞掉你的元件
) ?4 m" a2 Z: `4 d3 M% ]3 @7 H" p而特性就被損壞
( n( N) p' U2 O# N# s# {5 h/ s$ W3 x% j% h% a' l
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 }. |* f& R: x( B% M  `所以蝕刻吃他最多
6 e0 ?1 |1 O4 D3 o主要部份特性就不會被破壞* F1 T9 s& R0 h+ R4 V

7 L" B$ O' g  y& J很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 k' q0 r: H; X* `, B所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享9 U1 G0 ~% \- J( b3 ~- t( w
3 ^. d1 T$ J% {; O* Y/ G: C, n2 b" m8 N
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 M6 f8 I, l, h% d+ k# ?還有電容也要加
7 H. o# _! I6 B  s$ R  q' Z; i/ |若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% |  h5 M* ]; E2 N$ n! `( a

9 t3 }# l0 r6 p* F2 B: q. p  P; ?, M( Tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...3 J( e% O. x: V
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& o& L! _- k7 n- e; n+ w0 y$ J4 e$ n3 ~) @
. r9 a( o( L0 l, D
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
7 Z& G3 h- y$ A! K( t& M
/ A" f- F) B6 a, O如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
8 W6 u# S" W; s9 n, F$ ?
4 ]1 M( @7 F; u5 q數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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