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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
( ]" o# K4 @6 t. p1 K  p2 _4 Q9 l3 ]9 b- }' a6 P
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, E" I1 d# F( f3 h  t, B% B- e大部分是要match
) v0 ]* v" z) x5 x( \Metal poly  density  不夠
/ z3 G6 _" f; Z- T加ㄉ那些也較 DUMMY
; Q8 L$ [8 G7 @2 l把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 h9 k3 V1 m& B4 b$ N

5 p) O, M" L( X) {; a9 v
: p6 ~/ L4 l' Y; F! c" R+ S1 a0 `" H    感謝樓上的大大# o7 G: Z0 V# ]( B  |
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 p8 p6 E1 x  ~2 S* I& O! g& e
3 `7 c0 u0 b( s% _, p7 A1 J/ N& q' h$ n5 M) b7 C/ ~
    感謝您回覆的這麼的詳細
5 z0 W0 l( x  x/ H您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 }; W$ L" `6 }0 o
1 K% A; k9 T& M: p9 R4 [/ E# Q* N3 \
不過簡單來說
; ?0 i* w, \# F4 @! ^# Z6 T8 O在製程時食刻會破壞掉你的元件
. X# I7 R1 H* s  F而特性就被損壞
/ Q7 M* z1 X3 [, \) b
2 d6 {6 Z) Q' Q& F" y5 a9 E若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& P' e$ \9 H& A5 z所以蝕刻吃他最多" w; I0 t( X: X$ d5 v
主要部份特性就不會被破壞
) ^4 K$ V) I% ^7 J( N* F# V& m, z. N  M+ p8 r  I
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 \8 B# s1 X  l+ Y. q3 n2 @
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 h1 J# q2 X" e3 y/ I2 ~1 p( c$ [! s
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 @, U8 r8 f$ a
還有電容也要加
6 S5 i, E0 f1 A$ R$ e2 ]若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& }6 I6 C4 r$ {1 ^
; E/ h- P4 c1 I* [% V" @& Tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 b; v$ x/ ~% Q2 a! evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 a+ Y3 E1 `8 |1 r  v; }; X* q" d9 F* W9 p$ b* b4 H9 t

/ j& f5 P! w9 ~# Q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! j& M% t8 R5 E  _# Y* R# z

- f5 v+ {) l% J如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" C1 y, R/ V7 e0 p4 H; W, b7 \

$ M: r2 R# _% a+ O數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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