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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 j; g0 `# d1 r; K, L4 ~, x
  v( U- L) x* i' M9 Y5 ~) x
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 h) s: m* {( G' C. c+ N
大部分是要match. s/ G  G6 u6 W  ~( G- @/ a
Metal poly  density  不夠4 v) j+ F- s& U* ]
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 k% e  W9 W7 Z, q7 }) O/ c把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 r: U2 A0 q, h- y0 |: J- `  [5 z: \/ u
' f; r& ?) z1 r* j! p  Q. Z

  i8 s, Z& u) [& f% D! }    感謝樓上的大大% D9 e. I+ t. j3 I; C
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 P! u9 H$ o$ R
0 `0 Q  g# O" P1 i
$ |1 N2 w* h4 O# M& }; @    感謝您回覆的這麼的詳細; @* W: o1 E1 A- E1 ~2 ?9 n
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 l( F1 Y7 L: M$ `2 j9 n* U, Q- m" W, k
不過簡單來說
) M% x8 H5 q3 C! F8 p5 J) i在製程時食刻會破壞掉你的元件( \% y; ]" L2 g! O0 l8 {
而特性就被損壞# ]8 [; M9 P" E6 o% ~( V

: X  A$ p% l" J2 ?3 S若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 r* z9 g8 t& q  G0 ]# Z8 P) V
所以蝕刻吃他最多" E4 a( w. D0 k; e. j
主要部份特性就不會被破壞# ]7 [2 R  h$ k8 i9 u7 W

) S7 x9 m3 K; z4 o* a0 ^% y很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 S; ?& E* R' ]6 @( `6 q
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: Q9 V& O& g# Z5 {; @2 L# N% n' o) f$ c8 w: W- t
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& K6 }6 M7 F6 X* g還有電容也要加
& |  g9 b. u8 x, q5 K: d" S% M若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! X! R: J+ C0 D% Z# ?! ?" V
2 k/ Q4 [% [6 `9 Q1 Z8 B# @and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( R# E: T0 F, D; o) i" @" c' {vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# X; W1 w1 |' C/ @1 [) H
" u# A3 E! o% Q* ]& y) h, V1 V6 a: v1 m0 c
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 G8 F6 e# `+ b4 p
7 l) B2 S* h/ V  H7 T0 p
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: B/ ~4 M( W% L- ~/ P' i' I/ Y5 a9 c, a) C8 V1 x0 y! s. k, C8 |( P
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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