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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 y  R! V8 U7 r' W
+ B5 I- l7 T: L, [7 V
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
2 v9 l+ W: h0 [" M* `6 E大部分是要match5 {# g6 }% f0 m6 Z
Metal poly  density  不夠: C. I& I7 P& E" o8 `3 s# a
加ㄉ那些也較 DUMMY
- n2 u7 ~2 J% A7 ?$ \0 f( v! W把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ' P4 N$ C* I% v1 V8 w

; m+ U  D, z/ |5 m/ k: t0 K0 @& g9 x$ g
    感謝樓上的大大
  \+ Z% D4 }/ d' S6 p   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ W, O. i  r4 R2 V' g$ x# Y' \
" ^$ }# [* P( W+ T, A' }
    感謝您回覆的這麼的詳細
, y0 Y4 I) Z1 ]5 H/ ]6 k您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ N( p3 t7 B$ G' V
  [7 k& L5 K$ P. z( H7 q0 P1 A! Z
不過簡單來說
2 ^6 z. @! i  V在製程時食刻會破壞掉你的元件" N: l2 V& t" _4 C
而特性就被損壞
% B/ g/ Q  p% R2 ^& K6 c& ~6 i' |  a( M$ u; x  @. J, x
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. J1 Y! k4 c) }! O+ D1 M
所以蝕刻吃他最多
3 n9 Y5 Y5 N: s主要部份特性就不會被破壞/ X9 @( b7 d: T: D. ]6 L, R& y

" h, h' Z! k! g3 E3 y' [9 B很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
; ^5 F% o6 s& `所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 `9 F5 u* ?1 q& R

& u# ]/ s: s3 m5 n/ r0 Y& p& q7 O9 J又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& B4 M6 J+ c. }; P( q1 }0 i; q9 g) T" [還有電容也要加
. s0 H- y2 ]( Z; E& v% L若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: X0 i) F+ n- ~* v
2 i0 W! z# f* E! V* u# Vand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- {( g6 R2 k4 K& T5 _  L5 b# D
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 o& P, H) v9 D' n

3 g2 [0 Z4 D) R% @! X" b  |) G7 T7 U) N( u4 @; _, G: }5 i
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' T# W, {( h% w

4 G' p7 f' Z2 m- q  ]如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. v" N' k" |3 K1 i6 ]+ g4 {5 {- J5 \0 b
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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