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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
  r' t/ M, R1 J% z4 u3 @) j
4 M: @! m  P) U8 Tpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
) q) k# n  S1 s* Q2 o5 m$ B; U大部分是要match; F3 n7 V/ s5 Z! j% X
Metal poly  density  不夠
* L+ N  y, {9 D: u加ㄉ那些也較 DUMMY ! @0 m  b/ v# I
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : P8 z) s1 D0 @9 J, Q

# G! t) {' i) S2 p  H0 I% A' n/ Q7 r" M8 N1 _0 v
    感謝樓上的大大8 R% Q  v  g# i# s7 m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / z% w  f0 E" P

* V5 _: Z" |* W4 z$ Y: s' u/ [% p4 _& A  k& D
    感謝您回覆的這麼的詳細0 Q2 z( \; V; w/ n, ?
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" B% g( X. t4 z5 _. u- ]
3 E+ [0 h$ N" j; B. a5 h  a不過簡單來說
# i. R! J. u, K" r! D; i+ G9 b. v在製程時食刻會破壞掉你的元件
2 Y- p  \2 {  S) v7 B9 n8 b5 e; t& q8 V而特性就被損壞
7 W9 N2 x. |. s; U) G) c  x9 A- p. K% @" R0 I) \+ R/ S
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- ?, o; P$ i9 M5 ~3 r所以蝕刻吃他最多) e, E: W6 r# W( N7 f* m
主要部份特性就不會被破壞' `7 B$ c0 n8 v/ ^9 U

0 S* F& D4 f& `! a7 w! w很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& B3 d8 y. H. U4 Z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  m. x3 J3 c8 l7 f  o

. U2 K3 U% s3 r2 o, p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
# `" k& A1 C  ]; M還有電容也要加
4 \6 `* c$ o. r9 x: c9 F) q2 {" c若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: \: k9 ^1 k5 F& ~
1 _* `  {* e" u/ ^' v& L: c1 m0 T6 Y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  [! E# V4 S7 g  l: Y% A& z! V- U. X
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 y% ^  ]3 p% L: U+ j: T8 x5 t2 _; g, T) c, X" d; I
0 H2 T* }/ |2 G6 j
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 A. g; N# e" D8 n2 q

3 M6 D! B0 \$ r/ d8 u( n! u1 d1 x" Z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??& F  E+ q) w3 n- v6 x8 X9 O

3 X$ k6 ?% Q& d7 h& r, J數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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