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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. }8 K" R# `/ ~6 m3 N2 Q- N

9 s. n, N5 ]7 Y; C3 [6 ]4 Opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% N7 m: Y1 l1 M. |9 f+ e大部分是要match
+ n- Y! `$ Y* u# ~( k- hMetal poly  density  不夠
# O; _3 p2 e9 V8 H/ M8 F& K7 n2 E% d0 o加ㄉ那些也較 DUMMY 0 z; A) B$ @: v( ?* v
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! P; X+ X" m* W5 ^. A# I" ~! S: [$ t9 m' e$ M. m9 B' p, b
  [& k" x. K. E8 R% R0 Y
    感謝樓上的大大6 r* Q: ?+ _* ?5 E7 q5 g& z' o6 L  ^
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / i! r- S0 A) D0 K4 u( n

* Y+ u1 \0 _# V; `: P- S$ e4 V0 s6 H" F$ y$ f% |3 R5 K5 c' P8 M
    感謝您回覆的這麼的詳細
+ u3 j: U( ?  }; B, D您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ ]9 A2 R8 d! b7 z* U
9 Q& ?" t# z3 ~6 i6 l+ |不過簡單來說
! W( K. d: e- m, I在製程時食刻會破壞掉你的元件) l! x" H0 }# O, @
而特性就被損壞# J+ ~( u' \; t# \: c2 o$ N

2 E# t9 M# y9 A0 }( ^若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>, `7 Y5 x( m  P" d: A7 ~7 ^6 }. c
所以蝕刻吃他最多. o4 Z; v/ }3 m) @. t6 n
主要部份特性就不會被破壞4 F' S+ k4 O6 S! _$ u, s0 _
" Z* J4 X5 z: h
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' p' R3 ~6 k9 G+ _+ u
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 s) _; l2 [1 Z6 P% i  k% C- v

% G2 \  V; H2 p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( G4 n; H& J9 u還有電容也要加6 O' M6 S2 |6 a4 I# n
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! D2 Q" X2 }+ J# C# Y  N9 F# X! \: k! N+ y3 X4 w' Y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
7 O  o4 Q; S9 K3 \7 Vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

3 Y$ {% F+ r& e6 d/ k+ Y. c& N
7 n) _$ G# h; p5 ~% O: I0 |% [
" ~" L* K! c* @+ e    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 X8 ]# d6 @. i: b

7 m* J9 q7 C0 p* L如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ @# R! X" T5 m! c* }. h, X, `+ n* C. Z" D
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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