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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& o3 Q2 P/ D1 Y! z$ _( d/ I& @. t4 V) B
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# `9 P8 }) ?  o8 K
大部分是要match! s$ W+ R; z( z7 ^8 V+ y
Metal poly  density  不夠
* o3 C$ n( e4 U8 c' o加ㄉ那些也較 DUMMY 2 P# |! J) H, t" }& x( E
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : M- l( w- S% ], L' ~6 s

: m: {) q7 b8 g- g0 m! b) E
3 X. y+ i1 h1 l* H9 ]    感謝樓上的大大2 _5 @' d3 B5 n. {$ R6 b
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& B5 n4 I  b* I8 S% K: l4 b. l% l! M, s: `
0 g6 B$ e+ p; c5 H# ?
    感謝您回覆的這麼的詳細
6 j: Y3 R- `: \您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 `* ]: u/ n( S! M5 D( V0 p

; e8 ~4 M2 ^& e4 p4 B不過簡單來說% q! i$ P1 ~( W( c! i: U% T, {; J
在製程時食刻會破壞掉你的元件
# z( j2 c: C  Q# y' b. f9 N' w0 H1 u而特性就被損壞
/ H0 U2 c! [* n. x! W  B2 s0 p4 K: _- A) \# w  B
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" _; p3 r/ G' G! Q- Z7 d9 C' Q# J所以蝕刻吃他最多) a) {8 m* [9 \% h' J+ Y
主要部份特性就不會被破壞
: ^9 R6 ]: X( W) s% j, o$ Z( W- c: G1 {- Q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 }) j* y6 ~( N8 r2 C
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% o. t1 H* w& ~' O

" M- \  v6 `# O又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* m" a, b$ F( j+ K5 J
還有電容也要加. f, c  _0 _* j2 Q) R- F+ \# T2 [8 B
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
1 J5 q8 b3 I3 S" P% T; y8 ^" L3 }  a6 s3 F, Z8 G* k2 i
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
; L/ B. Z6 k7 f6 Mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) A9 F3 U2 O; Z6 c# n# a
- V; @1 n+ \; y9 i! C3 e& ~
1 c0 H& S; \7 q2 `. `! P: R/ e  K" [0 P    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* s( @1 r/ b! v9 @# {! v3 V
" @7 w/ q7 M- B2 S3 u/ W$ V, ~
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??& E$ i: I4 q! R( ^0 Z. ~. L$ o% g9 P

2 K4 Q+ ]4 ~3 s* e  F9 Q/ x數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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