Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54831|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. w" O6 o, o+ x/ u% X
& g! Q" y) u& X: [
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 D8 W. B$ ]: ?大部分是要match
+ a) Z$ a9 @7 d3 A4 b4 Z" Z4 HMetal poly  density  不夠. k1 k1 M' s7 d" u
加ㄉ那些也較 DUMMY - D0 q& I$ Z1 b6 ~* M4 D6 P
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 x6 T' ~; n; @1 \. E
" V4 A7 e) h! d) X1 c1 n# M! i

1 c& t2 x0 }7 t) m8 _" Q0 I) g7 A    感謝樓上的大大/ F0 D( z) E# p5 K
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) t, h: G: v( E: \
$ c5 {( E- k* ~/ I1 e/ i. h/ U' X. n& v- \: g9 g
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 k8 x. Q* ?) f) i, @* m2 Z" d" [$ A( |您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  f8 N5 |, \4 l$ ^

7 D6 t" c, U5 M不過簡單來說
9 W, q- T1 G; `5 W在製程時食刻會破壞掉你的元件" |# y* n( `2 {' E( q5 E' h$ O
而特性就被損壞; Y: k" v  G5 B8 W7 _+ f

1 D0 Q& E) ~+ X: L4 N$ x' ?6 s若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& W9 M2 L& A- `  c所以蝕刻吃他最多( H9 v, ?2 ]$ S, l3 l. I/ Y
主要部份特性就不會被破壞# z- l' g% G  M# k3 {

7 e" a& z8 N7 [" l4 }* K& B很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# p  Z8 ]% f; D; w! E9 u, \所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' P3 s% r# F9 P) R) L( t
& \8 U: P) I8 F
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加# c) ^! r( _% X* i
還有電容也要加
# R3 v* w$ S6 _若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 s2 m' s7 T# \4 g9 R1 V7 ]
/ ]% [7 R. Y+ t- x% g5 |and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...& D2 Z8 [7 b' [/ ]! k+ C8 O
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 @% a: ^2 R1 R3 p
+ f9 i, |7 P' \3 d- A# E) |$ |- h7 J" q* v5 p. h% [0 e$ f7 }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??) f: @! m! k% T. [2 m; c
- l& B/ l% I- e5 T0 y% g
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  p2 x. `+ v% ~0 F; x
: `; l0 D! M& Y- |% b4 r
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 07:05 PM , Processed in 0.186011 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表