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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! `0 D' i6 D# r# u' M6 x
5 w: |3 Z6 f. H
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. I5 q: b7 w) N& l
大部分是要match, _: ?$ S# f; g0 A0 h
Metal poly  density  不夠
- j8 }8 G2 L6 F加ㄉ那些也較 DUMMY
7 y7 u3 U, U, E- ?  M% Y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 V2 U2 C. O6 |7 c4 s1 ?# c8 N
+ j3 X1 p  }4 I" P+ D) g9 v

' U; \) |# V. L2 {/ w( l7 t9 p    感謝樓上的大大/ p$ R" K3 d) `2 e  _3 x& B$ g
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 u% N3 J5 ^( Z: E& V
$ U6 j- Q8 [& `& `+ ~2 P7 M
9 a' x. ~, _# E, R% }$ Y9 x- p9 \
    感謝您回覆的這麼的詳細4 c  C$ ]% v' f, f' G( W8 d; J
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 b2 D# m. I& j: o
" q$ B6 c( f; @: n
不過簡單來說1 S) d$ k4 T- r0 _
在製程時食刻會破壞掉你的元件- Z& @9 G& X8 t. f
而特性就被損壞1 O3 [' T- E$ j, q& J& M/ X& a9 C
, L& L4 b( L3 C3 N
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處># L: C4 M. b- J
所以蝕刻吃他最多, N# D% j6 u, y- J: r* y# N
主要部份特性就不會被破壞& H8 @; {/ u: J1 A) [/ U

) y8 @! s, z8 U% J- G很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' Y5 O  Q: _% j  h- @; Z9 o
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. i3 P. h  X2 M  b6 M9 y
6 B4 y4 c  O8 [$ C& L$ D% c
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加2 D- s2 K, j2 T
還有電容也要加
, W0 d8 \" P4 J0 }若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 z! J! k$ {- p! O! ?+ L6 T1 J9 \$ E6 y5 A4 V
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...( q/ g3 F: ?. S0 v: F
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
1 G+ n9 v8 J- J; z

& l8 @2 s& j; v/ `/ Z) Q+ d
- l4 q# D% c7 E! }* S    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: t: A! f. J' s" I, H
2 B3 N8 t5 t( T3 d
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& d/ p# {  D5 @( v* o8 u! f5 D3 n4 P) u9 o# D" j
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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