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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias# d0 v, Y% i# X/ {$ C) I$ |
# A3 Y# G" b$ M  K0 D
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. J$ ]- B. m3 w6 O2 N$ _
大部分是要match
' d/ N8 `5 c0 lMetal poly  density  不夠
4 n! v8 e6 d1 n3 x+ R! I* u! d加ㄉ那些也較 DUMMY 7 U  ^* o: U; _! m0 j5 S+ K# Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 h" [/ }7 x' s6 ?2 ~2 P2 G0 K; [6 S

2 ?, P: c1 ^0 a! o' O+ ^/ w+ B    感謝樓上的大大5 t7 i: J" n  N* M7 `# U
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & N: z. P! i) s9 c2 U6 @& \
/ M: @' @6 i0 t1 Z
( u8 x, L; c3 A- `
    感謝您回覆的這麼的詳細  S% M7 W2 n; Z+ i1 E5 n. S0 w
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" Y8 z5 a0 U. O& m! l5 P0 Q2 K4 |0 q" c: \5 H! p
不過簡單來說" l# J2 C8 ^5 `1 m
在製程時食刻會破壞掉你的元件; L: A4 y+ T* m: m
而特性就被損壞" U2 o+ H9 [. ^5 ]1 `& M. V
- a7 c3 J. p) F  v3 O
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>, H& g7 t; P. t. Y* Z$ w7 v3 K. ~
所以蝕刻吃他最多
& [% U2 A5 T/ A) L主要部份特性就不會被破壞
# _( e$ v$ i8 @) N$ e; z/ I! z5 E" @; s: @9 u2 ]
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 j7 k2 _# n% F* ?& Y; ~0 O$ M
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( s) e9 [. e# ?# M1 C" ]# k& A$ @
5 K: M5 E* V5 q) ?
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 z% D* F7 h" a. }: T( a, f' y; o還有電容也要加
4 J! Q! ?$ _% a. A若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- `( s+ r& n7 [6 k# [, t
4 F" E5 U+ _2 v. B: B  I
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 m8 m' x% W4 W% ]
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 V8 I% G( X3 }' @8 n4 t" V
: L# o0 f1 X6 ~. Z. s8 h7 W
. i7 b( A- v$ K) H8 q: \    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
7 N  f+ U/ E. U- v5 `
4 M6 T+ w6 D( l' Q如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??# q4 }1 _# \4 _
! ~% |/ \5 h6 J5 M" s; I% ]
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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