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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias# X# R5 v. i& f1 p" C+ ^! l( ^! @
1 D; i% A  z/ J- e- l% k
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! R5 h7 |  F' X7 @6 p& }7 B0 ]( O6 o% i
大部分是要match' c+ L! D' S* C. l
Metal poly  density  不夠
" C1 I) J" s) U9 B5 R+ J% X加ㄉ那些也較 DUMMY
% `6 D$ N* L8 I' E- c3 R把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
) v  Y% R- j! M5 N& S, p3 w7 ^2 `+ z1 d5 c4 a5 M) h% y
( K, t* X8 D" ]' u/ t
    感謝樓上的大大  U% E; c& g4 p2 w) _; a% f7 H  `
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. n3 ~# x% b4 r4 C
. T4 m) J; g' y/ b# x5 ~( W- k, R! A, a
    感謝您回覆的這麼的詳細
) ?& Q* h* u( k" H您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 N5 _4 u% o; c
/ p7 `" w' x* C/ q8 q不過簡單來說
; T% w. Y) u/ w% Y" B在製程時食刻會破壞掉你的元件
- r; d  z- j1 m$ O而特性就被損壞7 j) C- {/ e7 `4 j

8 ?, B* E1 T* H( I" a+ y4 W9 }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 Q3 O1 B, j5 x9 n3 {7 O( G所以蝕刻吃他最多3 k1 G) w7 V; B$ ^
主要部份特性就不會被破壞
6 N; k! O  r: E4 B3 a2 U/ O( J& }" |2 \+ W# Y2 R4 X6 v
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 c& f8 @" J$ ~" V4 P
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 `* k1 [' Q. c; @/ _# r2 l
6 ?; w+ S( Q6 o3 o! Z9 J
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 V. ]- Q6 A. S* p! ?; h
還有電容也要加
0 m. a+ d1 i7 Y" n) J* I若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! m. v9 v* ~, \5 X) @+ I% N, B
/ G" P9 V7 b+ ?7 n" V6 A9 h
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' B# D4 N6 W# h+ d1 q2 l- Q4 H
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 l. Y3 N5 [7 I" ]% R3 S0 u$ f$ N6 p6 p0 Z/ [
/ ~6 F4 L# V: c+ \5 E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
( o0 F4 L+ k$ J4 ^! {7 ~5 [
' G7 h3 r* ~' E5 Q+ v如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 O/ i/ a+ o0 ~
% |+ j  E1 ^: {7 c+ L# d  g數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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