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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 m7 `& a* C, a5 M0 v$ s, f: V' [! C# ^

  u# @; ]: W7 p/ {6 N3 w$ O7 Bpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ ^: X9 h' J5 D
大部分是要match
* j0 [* X2 ~6 `. d* ?, JMetal poly  density  不夠% U' G9 ]2 ]& e- }$ V  H
加ㄉ那些也較 DUMMY
+ ?. ~9 o& ?+ G4 Z( A  P1 n3 q) V把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- N. a1 F: e% H0 V8 Y7 T; U9 l/ W
, g- g. @; Q  X$ H4 D* j% X# n1 x4 g/ D/ X5 ~- `7 ?
    感謝樓上的大大
7 v% D" h6 V1 P; [- x! _% P   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' v8 v3 @" c9 J( z: b9 i2 J" E* R! g2 t( T, ^" Z: Q% ]( L' S) L

9 I/ ~# N8 U1 }- d9 b: _: S    感謝您回覆的這麼的詳細
$ U1 k$ P8 z- ]您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 a2 B+ Q; o9 }! }& X2 t$ A6 W9 c  `- j% x

. b) ], W7 V# _: w不過簡單來說* `' p8 ~* z* p
在製程時食刻會破壞掉你的元件
) m$ O; ?& c$ U  B+ |  X+ ^6 @8 \- a而特性就被損壞; {0 G) D5 s1 H- u; E
) Q  S; M' Y+ i4 ?7 y8 J2 M' Y
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" B6 }( q. d7 z7 }0 F
所以蝕刻吃他最多
! ~; [4 o9 u3 ^9 e: ?主要部份特性就不會被破壞
- J0 j  j4 Z3 J( u6 {7 ]( O6 G# w9 \  n0 @( U5 I9 }3 [
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 V, P2 @% ~/ C' n! Y$ U
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: O% q1 w" [! V/ a$ U5 \5 M+ R' B3 n# q% {7 r) F( V
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ z5 e; ^$ ^& z* q8 |8 a. ~: ?) N還有電容也要加0 }# {, m1 W# R
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' }- a- }/ m+ @$ A- M- f5 H" _# A4 t" h4 |
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# X" S- J" T4 q; |/ `9 |' [vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 w. v. |3 k+ ^( y3 Z: N) Y0 B

! e) |7 e) }/ L+ f5 s: o5 p( r2 q' Z2 @0 m! O% a5 I
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 V; j, z' {; x0 O3 k6 k& J3 t
/ z0 ^) b" q4 _. Z1 O2 d如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, G' c5 w/ E. q, W6 I% n
6 f$ M2 Q! j& }* M. U/ F
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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