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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, x9 I1 j) ~7 K2 d. H
. U! u+ C( x1 V! y" Y9 S9 t2 N1 }
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. a; L3 i. k: Y% W( ^9 r" f大部分是要match
( b" E& |, ^' W8 T+ x: aMetal poly  density  不夠; d  D2 [1 ]+ h
加ㄉ那些也較 DUMMY , c0 q: s! {# v2 X  F! m+ \2 f5 Z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ x$ e7 W( j- Y! o5 i! ]  l( ~- d3 u( Z

- x: @# m7 y1 w; R    感謝樓上的大大
4 ?( u& G4 c# ?9 H2 q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! Q- [, C6 N3 R  g$ e
- N2 i- q2 E$ P* n( L+ a2 V6 P# d

3 ?! G- ~9 r- o3 f+ M3 Q    感謝您回覆的這麼的詳細& g, C/ l5 |  Y) Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!( W8 P% n/ b2 X1 x; g
! m" e1 F, B1 H) Q. E0 M0 i
不過簡單來說
4 O  o6 f) i1 `, e在製程時食刻會破壞掉你的元件
# f3 u9 L9 M# l而特性就被損壞- B/ q  E6 i  `5 _- g  l2 N$ ]

' U0 A1 }! S& l4 ]若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. j! P4 ^6 M; |$ f' f; {# X( o! E) t所以蝕刻吃他最多3 }- P1 R2 U8 J- v
主要部份特性就不會被破壞8 }7 D9 s* C. z: r. U1 K# ~

* a8 I; N8 A! h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 |# A. X/ }+ `2 T/ H. e' n. Z
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; V7 }" i3 l2 C8 A9 G
7 m9 M( b$ l$ v. g
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! @. ?- X! f7 D( n
還有電容也要加' n4 N2 `# }% x1 o3 X) P+ p" g
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 B( h# A5 B. a$ x2 p: P/ V. t7 N% {& T" H' {6 b& ^
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...! X! Q4 P3 o8 Y8 S' K- z# ?/ }1 Q* m
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) k. I4 Q6 \+ ~& J3 Q5 z3 }
" G$ f; J  u' A$ v$ e6 I

, k1 z; N7 w. j% V  a5 C    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 S/ X  Z% z5 `" O3 T6 y+ h; o8 t

$ Q* ?. O) m$ D; X2 f* _8 R如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( L. ^( y1 _3 l$ C. |( h, b& T7 K/ X" I$ D. R" S
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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