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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' I9 w/ v' C* {& F6 G
4 o1 H1 w7 X6 N, Y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 S+ T1 D: Y- I( T
大部分是要match
0 x3 ?% z+ H% R3 H' L7 k1 D: F/ i: j" jMetal poly  density  不夠& O/ i" J7 e& D+ }
加ㄉ那些也較 DUMMY 3 v7 Q% {$ ]; T
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 a8 }( Z4 d  N4 J
0 e+ g  l! O1 P
  v% }  ~* n! y0 J    感謝樓上的大大
# F- ?7 b, x8 v: O" M   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 q3 s: L' t) s
3 y) d, k$ i2 Z8 C; g
$ |& H6 z( x" |9 Z9 z
    感謝您回覆的這麼的詳細
9 S! s+ h/ i4 f4 v- l; c: Z您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
5 F0 j2 f& N; w. w8 I, X3 }
3 Q" D$ k( D3 \" T不過簡單來說
+ |8 I8 S, @* ?: _- J1 ~1 n( u2 O在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 y  b! E" }: z6 v* O而特性就被損壞( d8 a* Z& W! M3 t" H  O0 X
( k4 M4 b  J/ s0 v: t( h9 U# D0 \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 @/ G" r/ A0 o( I- N0 }) {
所以蝕刻吃他最多: i* C* S' I1 }! n8 K( F& D
主要部份特性就不會被破壞3 E5 I4 Y3 E! n3 P: v3 D5 H! B

2 t. ?: W9 \! c+ K0 A5 ?/ I很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 }5 B! h& o' V+ t9 u1 W所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
# s5 n+ R3 w/ T$ F: n5 t; S4 O2 c  ?  c" ]
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 B$ H% Q! K8 i& |0 Z- ]7 `) h還有電容也要加
; Y$ p  }2 }3 m2 T( I! B- i若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* y3 d, z  }9 Y* l
$ p- ]9 H3 ^# R9 M
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
/ J# K5 h9 D) H& E. `2 ^2 ~vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

7 F7 }+ N' {: H4 [0 p$ W0 t2 U) `" z3 P+ w
8 @! Q+ n6 Q  q! N( [9 p# K8 H. }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 h, A6 H' Q! v7 i8 i; `
2 ~- Y' @. \4 S1 ?
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' K) Q: `( B+ g

+ M' n: l8 p' o5 Y* P0 T+ |數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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