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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' ?, i& M  k/ T% O' u

0 f/ M& P- a, H/ }! Tpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
( L% P! K+ u- R: f( P8 h大部分是要match# S6 e4 {* q$ W4 m7 M; a! a4 f
Metal poly  density  不夠# E3 ?* k3 t: M2 y2 e
加ㄉ那些也較 DUMMY ! b0 M% |( s  J. `
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / @( q: k1 U7 R$ S2 f6 {
7 C; i6 H# d; u7 I! Y

; w& {. E5 Z1 L: q6 C' Z  A6 I    感謝樓上的大大
3 W" @- Z; a) V  d   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. [6 L; f/ j2 h4 Y
, @& G7 L- {* l; c+ Q5 k8 b* j2 B* ^, z5 U2 {: C; X
    感謝您回覆的這麼的詳細/ E* O; _/ a. H( N; ?3 O. o3 t
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* g% d' w& v* Z6 E: d* i; f- O1 p2 ?4 G3 Y# L
不過簡單來說; s2 J4 s' I$ v, w6 o
在製程時食刻會破壞掉你的元件
# s# H- c, H1 ^: J而特性就被損壞3 n9 n, ?. [% ?5 b. r, w$ H

, T' i% C5 x5 {, }  s1 r若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- C2 L( C2 k0 Y. X' W
所以蝕刻吃他最多$ J: a) X7 M' C4 m+ z" L
主要部份特性就不會被破壞$ g! F, a/ e  n, Q% h1 }
6 V. U0 L2 w0 }, _' m- Z( \
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
$ p. x: U7 w* w0 y$ J所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 B3 Z: B8 ^9 k

/ y1 e5 Y  x* t又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 W& u& P- q1 b0 [還有電容也要加
' s6 p) n4 A) X+ A& z: T6 F若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# M2 |  h1 F* C4 s  W/ d( Y
/ @0 G4 i! C: R3 e. @: |
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 H& H9 e- ^- r
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
! i  r3 V& s/ B; w; o% J
, r1 m" h! H1 ?

3 K) C  ~# `0 [" h    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' Z" P) ?* C: M, |( n+ D

) X9 y6 `3 }% i8 e如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
  c3 O( r2 n, m9 K% M; K+ ?/ ]
1 t# }: |9 }- e8 F+ I9 k& |" V  C數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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