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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ k# |4 w  H( Y
# x! p: F7 x% G; i0 U, z! E
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ d/ B5 ~& R/ Y, x! f. [大部分是要match
( t$ F$ R8 D# v% X" FMetal poly  density  不夠* `6 I6 g3 n4 z
加ㄉ那些也較 DUMMY
' O* @1 K4 A. ^9 G: m, G* I, |把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! A, l! N9 C. y$ h$ A  x$ w( l1 z9 t- u' p  ~
; k7 u6 e$ x: [2 S7 I( b: F* ~
    感謝樓上的大大: p9 w5 ?% k% J
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; e: f/ d; B4 k
3 e3 O7 F% i& s0 ~

( k" y: N8 d$ h/ p5 E    感謝您回覆的這麼的詳細
5 N" u( L/ v# g/ @3 @& l您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" K8 r+ f9 }! X  |( z- D* K  V9 J

, T  u- f. ?/ l. d* Z不過簡單來說
- g, d- S. h5 l5 [4 ^; T在製程時食刻會破壞掉你的元件
7 l) W, d  m5 X. H9 O! W而特性就被損壞$ [6 d, K% X. O2 D+ }- Z) T

7 @& p5 S8 n3 U; M1 ?0 V若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& M( R( H: [0 S& Z# Z; `5 g所以蝕刻吃他最多
& q# E' R0 s8 u) s' Q; M主要部份特性就不會被破壞! }# D3 s8 I( T6 f. h0 U, `
8 t$ T( \* r+ U7 O: a& q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& [" ~% ]& \# i( n0 \# _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( B- N: l' I9 A. Z, v5 R$ ^  ]. g* a% @, {
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" X! ^6 o% |4 u* P! Q
還有電容也要加
* ~3 b7 O: ^4 t5 T* G1 u3 K若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 t3 q4 |  _3 Y! e; |& U* O
/ o% a* j, d! l) j3 u) X$ P" cand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." K, b! Y3 T; d' S* D
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 E3 N8 F3 S0 a+ S
  D% B! P7 H$ f
# G5 x& f2 M, \* i) X8 I    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 l* W; }% D" t7 k* p" A! i
0 a( p4 P; i6 c3 s4 C9 ?
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??: K* U1 Q; V; M# q$ x$ O# Q

. V' ?* r: E, a" U1 z' r5 r' D數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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