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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
! M7 O: [* @* k; K
1 C, c( @* Y+ k  _; Ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
2 \. q2 e: q" v' e: i大部分是要match
# h5 E" |& U; q% B' g# gMetal poly  density  不夠
- A; q2 s% X: Z0 ^9 [9 g4 I- t: `加ㄉ那些也較 DUMMY # F  @5 b5 @) A5 l
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & Y0 B+ C: \$ J# t5 d

) k( [. f/ k6 z% y" H1 }4 z1 k/ I2 f" g2 V( a! K3 O
    感謝樓上的大大. X( K5 X, @6 i* V# U8 A7 V& ]0 d
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . }* B2 K$ e9 j7 ]

* ?5 @6 T6 v& K. y5 V- T' b/ l6 `% l! r% P! n9 t
    感謝您回覆的這麼的詳細
3 Z% u; O& R! y. \% `+ ]* n您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!, W7 [% z* s( o

- x' e& I( U. p" J不過簡單來說- m1 y9 |. e! `: P) V5 t# k
在製程時食刻會破壞掉你的元件. j1 S) W) H# q; o
而特性就被損壞
& \8 @- g3 @3 \: B0 D8 b2 m" c1 j. B
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 t+ Y; W+ X9 f3 @" @) E1 S3 C所以蝕刻吃他最多
, v. y7 x) X" R主要部份特性就不會被破壞
1 Y! i7 |% M8 ]4 g% p5 c8 w. e4 u+ y$ B' }8 h
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. j2 M% K( a$ E* n  S% H* y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% q  f" Q& n4 S; G1 a8 S
% C1 |& g( V- M0 U3 {. \2 \: A
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" e. c, G9 I; Q$ F! ?
還有電容也要加
% E8 n8 ~8 o$ J! |' U若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
" j( n, D% {3 F8 t. B& E
! f; e- F2 |. r" ?and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 m1 w: A" I8 E+ o7 e" {+ K
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) f7 U( ^! Q" \6 u' Z+ n
  A/ o6 w& l) f% s0 [
: G: B  f7 y6 G3 [* U; s) t+ l    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: c! v2 |$ j+ `: y+ N
" s( x* o7 a, d3 U  u如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" ~. F# l( ^+ z! L8 t( o0 ^
, L& w8 S4 r  A% j) R$ ?; F
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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