Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55340|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' L9 K* p' _" [, u$ b# c

4 f3 c' ]7 A) l  m0 ?4 cpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密( r* ^  b+ ]: a% P& v% I) T5 P, C4 G
大部分是要match
  `. l+ G: k* aMetal poly  density  不夠& i8 e) X$ B$ A' j$ g
加ㄉ那些也較 DUMMY * q* N5 o$ Z4 [. R3 e6 l
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + f$ L2 ]/ E6 p6 R; Y' t
8 x; k+ r' B3 ?: a) s9 c
- Q3 f2 P7 B  L9 {  B
    感謝樓上的大大
; w6 t0 E; g$ C% K3 ]+ x! ]   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' T1 L) Z/ J# w2 b6 M
- C+ I6 [$ `, k0 v5 J9 o" p
- @" P. o0 l  d# ^, N! k* _    感謝您回覆的這麼的詳細
, L0 D& `' n6 m6 i您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* e, k: @. ]. P2 U4 }/ X% Z
0 B6 b. k% Y& O& p# P  z/ _6 L
不過簡單來說* L0 [! g1 K; g9 S( i+ J
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 X# \! O& @$ v1 q( t/ E而特性就被損壞
2 p: h. w. n, J7 B3 h# K
/ l5 M1 }3 P' K' d8 U6 m& ^若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 H' w; N3 b! Z8 o' Q9 Z所以蝕刻吃他最多
# v0 ?; L0 \: r8 y3 V主要部份特性就不會被破壞/ Z5 N4 e9 \% ^5 N/ ~/ D3 A4 D$ @
: ]6 l$ [2 Y# i* E) r' a+ g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 Y' V# K+ [5 L9 E, K& @所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 N+ u5 K8 r0 R: ?) T; a$ ^

6 _$ H) ?( \+ f( W8 u又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. v6 @! v2 K9 \, i還有電容也要加
+ P$ ^4 U: X: C7 v若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, |# D8 d: S4 r8 W; Q2 m4 h; C8 P7 V) T# v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ {  L3 u6 w: Z7 K: _vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: N4 ]8 s( X* r2 l$ {
9 w% \1 z6 r$ z! ^* ]9 U! O- R& p) b  G3 E" t3 K; x7 Q# j/ T; z/ S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 x/ r, z) k! _' u9 _: t4 c
3 _8 S% u6 P( g, z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 {( I$ b5 z* H; l5 V1 B
0 \1 C! b* z4 v$ e
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-10 08:05 PM , Processed in 0.177010 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表