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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias3 {" K' G3 x1 k9 E8 @. x

3 L) ^  I$ Q" Y2 [6 _5 c9 y$ l8 P. }, Opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ A2 D$ I! s9 Y' M# _大部分是要match. o  |  A# ^/ x- n3 G' R
Metal poly  density  不夠
  Q) t  c- p1 _( }2 I. _加ㄉ那些也較 DUMMY % G7 W- ~$ O$ d
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' M8 H7 E. t" }  X  U( |3 \
! K5 U/ C3 n. C0 U6 U
$ Y2 C6 b7 H( ~- D* ?$ P    感謝樓上的大大' W* \) j6 f& \: _4 K
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) @+ y& ]: o5 h0 u- Z
, j, K$ \+ m# {2 R! x3 W$ n- X8 N8 [! {5 T' K  Z! l! t# i& w
    感謝您回覆的這麼的詳細2 G; M# a- z* q7 p1 `4 ?
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 H' {- |. H# c+ S  z) z
6 c1 P0 w' [+ I8 V; T
不過簡單來說
6 `: J4 v2 X" X在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ F5 F- v6 I  c$ X3 s% r+ ]而特性就被損壞0 e- F. {0 c: Z+ s

' \, l6 d9 ~. O1 n3 X  [2 h8 |" ~* H若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>2 u  N3 Z$ U! \
所以蝕刻吃他最多( }& @, p$ X/ c8 S8 L
主要部份特性就不會被破壞
5 l9 b9 p! n+ v/ R' Y4 l
. m  ~2 Z! A* z! w2 ~1 |2 I2 ?) s' @7 s很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 m: L7 g! _+ f7 E9 d% F$ T
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( H, ]! \, Z% m# _; u# I4 k

" m" b% Q5 D6 |1 d3 b! u又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 v+ ^5 j3 R: ?: A: t# m& z還有電容也要加) j- S4 M$ C/ }/ d- `. r1 v1 r
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ `0 K7 p$ B- B

# M$ ^1 @- o. D( ]7 G; r2 pand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...2 f; \; B& I5 S! O: d; ]! @
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, x# a4 R4 n+ B' t/ J) u- F
% m; O0 T2 v/ H" A! L, z6 @9 o+ G0 B
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- X; \: b6 z  v( I1 V
% `9 J9 {% ~$ r1 G- H
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* C+ Q) ~+ J1 A; l5 @; l* @& W% m: u. n4 G2 x9 s
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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