Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54801|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- i8 g% S0 F) T4 p7 y
0 O7 _# S- M2 [1 Z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 |6 t+ W0 D! Z3 o% c, u$ e% P& A3 U
大部分是要match4 @! F- t2 x2 g. \7 P
Metal poly  density  不夠- x# f2 G: w7 p6 R: J# o9 k+ A
加ㄉ那些也較 DUMMY " Z5 E" |6 F' x
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . Y) t! d& b% v7 {

8 I' j4 Q( `! A4 o. ]
" {0 \/ d( `+ Y& c    感謝樓上的大大
: Z0 k( ?( \: g+ C2 V# T4 s   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 n9 }- s! v& ^: f/ K# c; g8 I8 S: m+ O8 w% d& D

0 e; M' i' R- e# k% @9 _    感謝您回覆的這麼的詳細
% c1 O" U+ M. f$ Q" ^& b- p您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 q0 J2 J) K6 E+ q6 z. p( M
1 Y4 o9 l& G$ u( C+ y3 f
不過簡單來說
8 ?3 n% s8 v; o% I4 [6 n* \在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 C* N0 ?* G" X而特性就被損壞+ L7 p5 A; H2 K& y, V0 K* \- x

: `. `2 y8 h+ k' ]1 Q) B若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 R. u% f9 r% k9 C- t! o4 d所以蝕刻吃他最多
8 s7 X& Y' ]: J" p. V& n* r主要部份特性就不會被破壞+ `0 a9 L$ f: Q3 @
& ^! q. |4 R* I$ D/ A1 I: C3 x
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>- {% d4 g* _, X1 `+ E4 ]
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. i& M3 I+ q6 o8 x! _* a
4 u9 t1 o; \7 W# K: x3 r又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 }8 x- W- w9 c7 Z4 Z# L8 ~
還有電容也要加
( o: }: L" i; {2 o3 H若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 ?: o: u" f2 Y6 P) X; q7 ?
8 v  C; P: F( P; [0 y4 @& p. h0 C
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 r8 c; D1 z  cvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) F7 C# p* O4 [! H+ h7 ]% _
  d; ]  ?) Q6 Q: J9 {
+ Q/ @  ~' i6 z& K* @/ F) v
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 o% U: ]) X& h. y4 O2 `3 t3 @% W9 m% \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 y% n8 ^! W' _. r
/ d0 M6 w9 Q; \: _6 R- ?- y8 E
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 02:41 PM , Processed in 0.176010 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表