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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
2 V. K% ^1 b" g4 x) b! r
$ j, Z% U7 K) ?: R5 o, ~1 U) ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 z* s5 g8 w+ y' G- l大部分是要match
& ?, x$ V! W" AMetal poly  density  不夠
' ^9 j- a* b( D$ Z1 @  k7 c( G4 Z& B加ㄉ那些也較 DUMMY
% ^% X3 t& M, L2 r$ H把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " t  V6 M. M4 Z

: ?) p. O+ I* p' S& z. A, D9 l, W
3 m7 z$ m3 b! Z0 g    感謝樓上的大大
. l$ s/ J& _, E6 O8 [   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' X  n6 t, g, i% _+ t
! k1 W# o+ J, `; O/ t* o2 C) D- k' d0 e
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 t6 |4 @2 Z, [& x7 o$ e4 I您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 I6 a# ~% k% C1 r
! u. }- U# S9 z2 M2 H& ?4 q
不過簡單來說
2 ~2 q& A. m' F4 n- x$ w/ @/ ]在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 u9 A+ u  e1 L而特性就被損壞* P: k2 G7 P5 j  @

% Y* L  |& l# w4 a5 y6 s; V若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>6 b2 J9 |! k9 H
所以蝕刻吃他最多% v% N) Z& }; e
主要部份特性就不會被破壞
! W, T- z1 i- ~8 J- ~! f+ J7 _8 i
7 y& o, L4 e; [1 T1 c很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>/ M7 |1 B9 V1 ]) [2 e2 L: @
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 [8 @) H% s* v& v; r$ m! t

2 ?" N0 `7 |# l; R) w5 {- o又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加& l$ V* C& Y/ b) Y( _
還有電容也要加7 o" Z. O6 T' Q4 G
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!8 W! F2 y# s7 m0 `0 N  i
: J8 l' X3 O4 `" s
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# C7 _  r% ^5 U' }9 E) \" `vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

. u+ V9 \* o% n. l" j- U" ~& X7 H9 s$ u# D2 d

3 o% H. n/ [% T/ e& N' \' c) h    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' f* v! a( T0 V5 C
- U6 o4 M6 s# r1 }0 H5 |8 F% G0 o
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, O/ K- q) ]6 k" t
( w0 V$ \1 ~5 p1 @
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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