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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias" G' y2 g" K6 u* s$ k' y( E) p2 I5 d

/ c9 ]9 R' f1 e3 @4 ]poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. h5 t8 {5 D/ V6 a0 w" }
大部分是要match- T- [" F( L# E# S* x
Metal poly  density  不夠! T0 N( @- S! r* Y
加ㄉ那些也較 DUMMY
$ W' `; |4 T; U% y3 q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 5 X$ }2 {7 a$ [" E; Y% x- M# f1 V
+ H% S' C* H  ?) U$ i8 @) M6 L

) _1 A5 S: R5 n8 O* Q: O; d! z8 j    感謝樓上的大大
- F; I8 U$ w3 N" n  }   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. c+ t5 r. p7 L$ I( w2 r2 h6 Z* P, o: Y- f4 X7 ~

! F6 z* n* `' y, o( F+ j9 X    感謝您回覆的這麼的詳細
+ A3 b* R: U+ B8 M( n; ^您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! j% w, \2 b! a* ?/ k, H
6 t" O8 b) ?# u
不過簡單來說
8 w5 z4 S& n' p5 f% H* h在製程時食刻會破壞掉你的元件' n, A1 S  T+ U! G# r) p- c
而特性就被損壞! D6 X0 |' n0 b2 j- _

9 U# ^" r; A- E' b1 q' O& D3 o若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 A( {& a" H. l所以蝕刻吃他最多. h8 o: q/ r# l) o1 |/ {  Z6 R
主要部份特性就不會被破壞+ m9 Z0 a6 u/ L7 R! {8 ~
6 z1 {# W, C( F( J8 R' f" C7 i
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% s$ q2 w  k1 h$ |/ v
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, ^9 j8 s. {5 d3 }) z1 ]6 T+ [  t* V) m
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. b$ C: B( B/ E* k  Z還有電容也要加6 x8 z7 I0 _# U" i5 z7 s; ^( F
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( d) R) f+ v' {3 S' c' [8 p' x; B- L+ u. K
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...) H. l, n+ a4 k# g* U
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% S+ t9 M' V  u& G) W9 B/ W2 |
3 V) `2 Z- K& [" {' ~
1 W4 A0 w" Z$ Q0 F3 t: s
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* [3 ]  m3 C. W
9 P: F% [8 v0 C" ~/ n$ q  n如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ o+ ~4 }1 P: D- X" N2 F

  T6 F' p5 A8 O- b2 j: m$ x6 @$ L數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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