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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. X" T9 S4 a% k& e/ h2 Z
5 `% Y- M! l8 b- k; @$ c
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
; M. N2 a- e1 l- S* n大部分是要match
: Q  t1 o% D5 A; Z; iMetal poly  density  不夠* i) Y# B. u# R5 L+ a
加ㄉ那些也較 DUMMY   t4 n0 x; x" l3 ]2 I; Q7 D
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
. l. j+ J5 J4 ?# D# n9 V
2 m* |2 {( v9 y" m' G4 t1 f: G& J1 a! u' _, ?  W! C# n
    感謝樓上的大大7 m$ P, w8 |+ r5 q7 F
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - m& z4 C" T$ ^; O) ^
) e* g5 Q. h" [% U+ L8 T
: z( ?6 W( T1 M2 v
    感謝您回覆的這麼的詳細! P9 X! `+ n4 k2 ^$ P6 r1 x* b3 k
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; j9 Q# E. ^9 `, }$ D; H$ T& c- i$ y8 `
不過簡單來說1 i& s* h5 [9 N% }
在製程時食刻會破壞掉你的元件% j- K$ ~! c! e7 G
而特性就被損壞
0 U5 k- e1 p2 p) j) _8 M% a2 i5 ~( y# |/ G) L) g' Y( c
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 A$ o/ J% m& d6 a; {- L1 A
所以蝕刻吃他最多
( P! g' d! A5 H. L6 }2 w主要部份特性就不會被破壞
% F2 O5 v6 d$ k/ M8 ^" O5 P+ T
& Q) }# |* F5 N/ i1 y& `很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 d4 l( A5 l5 N' M% o' Q所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# z  @0 C8 K8 i6 B5 i

7 l" b9 I4 i! t; r: m; N又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
" a+ E9 y% ?" E8 J, A! P還有電容也要加
7 v) ?. ?$ H, r若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
/ t# [0 E8 X4 h4 ^  f" C& J% m) H0 {, I6 i+ p$ b
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...( ]0 j) R6 q2 n
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% n( m" f' @8 C, n
# a+ I) k8 p6 _, E
7 N( Z; o! e, r- b
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* c  `4 }* N0 R7 D
1 s4 Q4 G0 m% f- M; B5 D如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 H  {! G  z5 d7 d. x- Z& b8 B! `( X5 M
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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