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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 P! k6 ]7 r3 |8 `8 B1 h& U
& [# L2 T+ c/ `) h3 spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% @  h( i2 E7 c
大部分是要match
  g1 G7 O/ B8 I8 PMetal poly  density  不夠
( O! [# m! R- T/ Y6 S加ㄉ那些也較 DUMMY 0 m- [, N( }$ q( d7 B) q0 D- h3 m
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 ^% d. M/ m$ w8 D% e

) q' }3 z, h9 H/ P/ @5 b( R+ i5 ~+ I0 M, l6 o- _4 Q
    感謝樓上的大大, n/ i. P" ~6 E" ^* [+ J7 W& e
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! `0 }# A& s  ~7 M3 d' z. ]

5 T0 I- a7 ]% ]3 {
" D6 l' K/ C$ R: f% h8 U' @    感謝您回覆的這麼的詳細
+ d% w* n0 K# j- n3 r您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! I+ n2 w- {9 ^/ W# l, \! J  J& {& F
不過簡單來說
1 \: t7 o% Z$ h# d& d4 @. _在製程時食刻會破壞掉你的元件
. u7 M  U" Z. {7 n$ u6 x8 M2 ?8 p8 m而特性就被損壞
2 l2 |7 b: x0 V" z( C
2 O4 A# K9 X: J1 b( ]( m- _+ O1 X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
$ b& E/ ]$ q. a* J2 I所以蝕刻吃他最多
$ o& N$ E) u7 Y) ]主要部份特性就不會被破壞2 P; N6 {  I% K! B
+ w) L/ B9 j1 x2 z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% e3 b- a' ?% S/ M
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 r2 z7 `7 |* X9 H8 k/ S6 z# X& N9 e& K! e! x7 A$ H8 k* {/ A' B4 F
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加. R+ h7 ]" J% U4 G3 l
還有電容也要加
8 H" B6 B7 E! s& Y, O若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' A; {. Y+ i7 Z$ C# y/ z/ V

# ]% B. p# P- ~% |2 ^4 U2 r( o6 o& sand i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...) x0 H+ G  [" ]
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" E! W% F# \! ~; r
5 M! ]! q2 |/ F4 G+ `8 f$ S, X/ l
% ]+ ^; Y. U+ M; D9 h    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 q; i. E! W' e; t( t% r9 d3 G# Y4 O
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ y6 f1 J$ J$ ?  n/ b# ^8 q# g% U7 y
7 Y: m' O. C+ q: B. E. T# U數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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