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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 }% Z& `8 m2 i( ]9 D9 V. F; z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ J; w& ?+ G3 G6 k大部分是要match  B' U# d* j0 d/ o' R/ Y( l
Metal poly  density  不夠
+ m/ W: [6 i. r- X  g加ㄉ那些也較 DUMMY # O6 G6 v3 o, u' L
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( c9 Q' v1 r# X% f3 z" A3 P& [- X1 u) `2 W

" t' Y, o, w% x  K" j    感謝樓上的大大
. I1 v$ d& E& h8 P3 [& G, i   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' [0 h% z; J! \" O+ J5 H+ c1 k7 V# H6 y4 q0 V3 T- |  Z+ U

' v' t6 Z* t# Q- C8 p    感謝您回覆的這麼的詳細- m: d' n5 Z$ g- ~. l& m
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) y, N! P" |2 v. C2 ]  W$ h
1 R1 H5 d. [- D4 P/ W" q不過簡單來說
% G4 k9 l6 u5 l0 a( ~8 _% l8 B在製程時食刻會破壞掉你的元件
: |5 L7 L# `1 u: }而特性就被損壞
% O( f; l+ {" h; C! J; F& E
8 j; g& f! q  C/ T" u+ b3 h' U若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>  `8 Q' h4 K8 p$ n
所以蝕刻吃他最多
6 i/ D4 ?* h4 q  j: E+ B* x- T主要部份特性就不會被破壞, e2 L0 L) l8 n. d- u" z/ m
: P9 r0 K7 c# V" @- ^
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% I  M9 ~- C% d) j# C2 v# G
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% J; a& F* e- j8 O

  {9 n# L% z" z/ p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* b) Q& y- o, X# D  {還有電容也要加* C1 b" p, {- R6 c9 k6 Z, i" y
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!( b/ l" u, s4 }' l  A, a- S; R7 n

- ?3 W( b. v- R. \2 ]( @3 P: G& Uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* O9 h  x+ q! \) Z2 H
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 D3 O5 @! j* c& V9 G* H. H% b4 I  c8 ]; |/ ?) b5 U
' f  x$ q6 V  E3 ~9 X
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! s1 N1 O: N& c& A) a% [# n8 R6 l! g) }8 D+ N- a% ]$ N
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
8 K* w8 N# x! \5 \4 s6 v7 u+ D0 ]! }  V
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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