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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
- V+ T0 @7 Q* m  [; P; x
  \% U, p  q, ~; ^8 Wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 l/ R& B) B: r( b, s( ?5 |% E
大部分是要match
1 Q, }( o8 R6 \Metal poly  density  不夠
* g( @, ?% B( R& f加ㄉ那些也較 DUMMY   p! J5 x' T5 I, M
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : J/ B- M; x% O. x- I

/ F( d; b# Q- q
/ @, W  s1 D5 E' v7 s( I    感謝樓上的大大
/ f. @# \. f2 p, o) ]  O   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
% k" [2 D% g) o9 W/ Y7 H; L  t9 }9 x9 i6 Q
4 {  R% q4 N- [9 O1 T" i4 C1 f; t
    感謝您回覆的這麼的詳細
3 G6 d! ?  w4 I! U) n您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: z5 b) Y7 ?. ~# l
2 p6 B5 V. z. J) a
不過簡單來說3 e& ~4 v1 |- h/ _4 C, F
在製程時食刻會破壞掉你的元件
- z8 N% j/ X% N$ z8 k而特性就被損壞7 K& L2 g$ ~, c7 |$ ~
9 S, F. j9 q8 ~. d
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>) k; Q. M' ~8 C7 G3 P+ f& j2 r& J
所以蝕刻吃他最多
0 H3 Q9 r( o5 O" {! |* V主要部份特性就不會被破壞
' o, i9 Z5 }; c$ Z  }  D" b/ C8 M* h5 K" b0 b
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ @& h# U& ?" D( Z+ Q
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! P7 z% V5 |, |* V; |

3 q+ p: f: f+ e( f% |又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: I, X$ G4 B6 Z- B1 o- X9 `' T還有電容也要加
' ^6 o3 Q1 p( v5 Y: q若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  l! `4 ^' j" y: _) G2 ?# g" o9 j: @6 m  N
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* ~1 `# Q% }0 |6 I$ Q, c8 G
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' I2 ?- g  E, e1 J1 m/ p

0 @% s, ~; |: a8 s( P" e
9 T5 l# I( d, y    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 m5 U+ g0 s: Y6 O6 e
; B$ }3 N1 P$ O如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( f, V' |# v% d

6 K6 ?% ]% \" l, Q2 Z, C* d  Z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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