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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- s( V* D# W* @7 n1 W5 F0 u- W

/ r- Z6 w* R* j) H. epoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' d9 m" E. f0 |' x0 D; c( r& b. W/ Q大部分是要match+ Y9 b/ R2 n$ O7 _
Metal poly  density  不夠& R) [8 q, v, M
加ㄉ那些也較 DUMMY 5 C" j! i9 V, N, I
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
+ R: U0 e; A1 m5 T( x3 Y8 W% K  j+ D/ A5 @" f5 E7 M' f/ |3 U

9 O$ {7 D8 C' e    感謝樓上的大大
% Q/ A, F' _, ?$ P* m+ x   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, H, @% B8 v1 C% W& W* a) O
, K( ]1 H0 S: d' v. f, i& D- r; c8 I6 \, \# Z2 R
    感謝您回覆的這麼的詳細
  ?% m! l2 w5 O  s; a" G$ f5 A您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!5 [1 X! b! K. @, h, O/ T( i7 A
% h5 v! C, d: ]8 l
不過簡單來說
! m& D: {0 `% Z+ A( y' v, X! T) |在製程時食刻會破壞掉你的元件
# h6 a# Y; m) z! Q- ^3 {4 Z; ~而特性就被損壞
- ~! v7 d7 z% Z( J, {$ w  [# Z% j/ a) t# [' O" z& |" z
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 G1 L) \  S$ _) K所以蝕刻吃他最多
6 U4 o: W* b' ^" ?0 t主要部份特性就不會被破壞
8 b+ j3 x" P* Y: S8 }; {
# f* u) U: a0 Y: G9 ~, e1 H很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>* a6 C% s' `- g
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' f2 Y4 d) V9 ^
% M8 s* ]* M0 l) L7 t
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' U1 C7 {0 p* X% g5 ?還有電容也要加
$ G. p; K7 w' X2 C2 \) f7 r6 w3 ~若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
" x& P1 H* s, C# G; w& R6 I0 [# {. C) w2 C
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" J' q6 M6 I4 f; z' J/ i) fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
  q/ W6 }5 h6 u4 y, L2 |

% @+ r8 u* ^6 c) _8 ]4 V8 G! x! W; ~9 c, d9 A+ Q
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 F0 \# h4 b3 B0 |6 _; I, \# x- x5 q7 Z5 q. d9 c4 N
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( Y( m5 l# K& ]7 ?
- P) W8 B* [+ p" b2 w3 v6 R數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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