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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& E* j  p/ }- w! c1 U5 g' k! i8 A6 v7 q4 i+ X9 ?
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. u) _) \- z3 m" r, R  }5 ^
大部分是要match
6 B% {) e0 e, i& l' ^; SMetal poly  density  不夠% \+ b! T; S$ U8 L$ P8 e
加ㄉ那些也較 DUMMY
/ `% a! U/ q# f# ]" c7 ?把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( i( `3 n0 Y+ S& K  ~, y% v! v

3 z% \# @! c( a1 y6 H
  R+ Y! N" B. p$ q    感謝樓上的大大6 l2 e# ~: J. o  r% C
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! m2 g' \5 |9 d, A. k
* W7 Q  I2 L1 f0 w" M
$ p9 A' a" [/ H, [/ N) D
    感謝您回覆的這麼的詳細- {, S; n3 P; U$ z$ q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; [, F; E- c. Q- Y3 R, X( y5 o/ }5 y3 j2 U8 ?+ ^
不過簡單來說' [8 Q' x9 i) w3 m1 ~6 F
在製程時食刻會破壞掉你的元件; C+ T7 I1 Q3 c, i' M' m, \( H+ R
而特性就被損壞; w+ h  L$ J, T) ^
. x* L4 A- M' p& E' `
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, u$ t: E, K  l- f0 c所以蝕刻吃他最多
: \- s* ~# z) ?& e# P" Z主要部份特性就不會被破壞# d9 u2 C1 E% ?" [. V! u. R! C

1 Q; N9 k& _' _4 N$ [很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 w# ^( J7 I: t* Q3 ?所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
) c8 M' Z: Y0 a
, J/ c# a. ~3 O' H2 D" X+ k又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
% P, B4 {3 \* M7 V還有電容也要加( b! ?/ c5 r2 s4 _# h
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; r* j1 C9 B4 [
; Q0 v( \0 V  Y* O1 F7 P4 G
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 R3 k  H6 T: k4 [; f
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ k( Y$ ~  A8 w8 Z: Z- J# @  c+ ~# X% Y" U( k; c

+ Z( [6 ^) h: O; j4 A2 D% Q6 L    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ J# o9 |4 k2 v- J4 o
" G( Z2 |+ |* n* ~; k
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
+ u, e9 L, u- G# x7 b) [
* N/ O0 U3 i( K, H7 T數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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