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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 k& K& `! U1 c. @. [2 R, g

/ Q) K- }! V* @5 [5 p+ A! m& N- }poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 A! R& o( U5 O3 ]  o( ]
大部分是要match
0 }0 s& [/ @! O5 F7 X( K, mMetal poly  density  不夠
* ~' \, ]; o- z  l2 o, R加ㄉ那些也較 DUMMY
7 m9 R3 K3 v! h/ {  F7 J8 h把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 O7 {( p) G( A
5 B5 ^% w! c& f3 J
* b! F& H9 ~2 r" R1 [9 c
    感謝樓上的大大( _3 T$ r% B/ u6 ~9 E
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / _# p" Q/ _- t3 @" B" u) n

/ e9 t# s1 `. F# `; U
' H# k. o! |. V' v) Q    感謝您回覆的這麼的詳細( f+ a. V+ h1 B4 j
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) N" W0 s4 ]. [/ ]' t) N
7 t6 W% ], w* |不過簡單來說2 e8 F3 g; |  F( Q9 R0 R3 g
在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ K( H" n& L; P5 {+ E/ ?而特性就被損壞3 _+ |0 ^! X: m1 o
0 ^5 J; c3 C% T: R1 d
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- Y8 ?  q7 U/ S4 `! z2 |$ m* h
所以蝕刻吃他最多
6 A+ s2 k. }& ]: e主要部份特性就不會被破壞
# E1 p8 W/ |0 C  p5 _) z
, {3 @# d/ Q0 C  G7 }( `很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
; ~$ F' k0 g8 k* A5 ~所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! e: o4 m8 X" S7 |
- P& Y: b: S: q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% d9 y! g. J' U4 L0 G
還有電容也要加. Y' m$ p# S5 N; r4 s1 J' t
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  x% `" H) B) D& r2 C
- B/ {' \% ~: t  O* B  }& [
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: T5 f2 u) G3 S. j6 ]vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 X( v; t/ F) w, b$ c

) W( b2 _( [& \9 A& m% y% Z/ w4 D8 n( w3 I0 Y, L
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. P- E: e/ i, k. d+ d7 m/ O; T8 O4 k* n, y, I
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* T( Z8 @# F# G: d! h, l3 Y' \+ @
; _1 `* P! T1 N* \6 h
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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