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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' [; }$ k$ h' w! Z# F) t: \
) N6 ^: V+ {: Z# C
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  L' c0 h: m/ H- t大部分是要match
: t& Z7 r; N$ w! QMetal poly  density  不夠$ c0 g2 Q, Z; A" N( Y1 I
加ㄉ那些也較 DUMMY ! Z' t2 h$ l4 y# m- B" i/ s; n
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 U5 |; ]/ D; J; c8 Y1 _
8 d! L2 Z  G, T" P- P% h' y+ u3 p% I
) `/ l" i) u8 k1 l5 U    感謝樓上的大大) x" p! o4 x$ {( h3 V7 t
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 F0 z" s7 {& a) m( T$ n; Z8 Y0 d4 I" C. _  i/ U7 F
4 C+ N# N4 N0 g- O5 a; x/ [
    感謝您回覆的這麼的詳細3 E% g# H2 [' D
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!7 J4 t7 o5 N' n' i6 D

; t% [3 g# Q4 Y% e' \3 a0 W不過簡單來說
3 U7 k, _/ \9 p$ \' i) o在製程時食刻會破壞掉你的元件, h2 D+ j) ]4 m
而特性就被損壞
5 D. r* R% v1 {
2 r/ @( |3 E) [; l1 h若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>+ y& D8 r5 e, e
所以蝕刻吃他最多
( f( z4 a+ ^1 R$ [& n主要部份特性就不會被破壞
' s4 l6 N% Y# e( J! O/ m5 f& T$ U' e' P& i: m& j! r9 Y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 u- c3 O  D, ]0 y! A所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 b8 c. N9 ^, U  W8 t/ l
5 {' f! y  t( I" H2 ^7 o# x( D' L
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ R7 m; z7 C) @' k/ n: s. B8 `還有電容也要加5 F- r$ J( j7 n
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
/ {/ ~. L  z" ]$ E/ H% w4 e/ Q) u. P  W4 e; z& M( H8 f) O! ^+ I
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 [1 ]' w& [1 i( z- _' @0 W
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

3 K# N7 r2 t3 O+ F7 ~& D/ e( o# _4 o' o, L' K
( }6 ~! d1 j; J# L% ^4 ]
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: R+ c# ]$ g6 m8 J( H0 Q6 x
1 o, e, V; G: U  V1 x  C: T/ K# O7 i如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 P, b5 j" R& p
* R2 \  ]) r# J0 Q. ]
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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