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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias; w3 i5 I2 b. o' v

% m3 R1 e% A1 ~$ {poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 |, }2 j4 h- \; Y
大部分是要match/ r8 {& P7 q. s
Metal poly  density  不夠) ?, Y- r# Q, d+ R1 h6 `
加ㄉ那些也較 DUMMY ) b! W; e3 m! H
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 I! ]* G- `# ~

0 g1 e7 A% {% `
* L' i* ~9 L/ D  _% y    感謝樓上的大大
+ a. V( ?2 U( J0 t+ T1 n4 @  F   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 S8 i8 I- `8 \4 f  r4 |5 d, U$ J7 _0 z0 z6 ~' E
8 S% ?( |! d3 T# t0 u
    感謝您回覆的這麼的詳細
/ {% x7 j0 s. @. z: i2 A) |: I您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! s# t, K! L, f
$ \0 x) r4 O  c* [' m
不過簡單來說
$ j2 c' A  N: t; u7 v- l在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 K$ p+ z. t" C" c/ X8 u而特性就被損壞
$ _/ g9 a8 H# ?) x% X9 z7 h2 L3 R% y- f6 y4 ^) M: ?: b
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>+ V& x; P/ O9 P
所以蝕刻吃他最多
+ a5 h+ w7 \2 D, Y. ?4 c) Z主要部份特性就不會被破壞
# i0 {% K7 X* c) g7 b+ ], {, I
* G0 L& L0 `1 z9 u8 N+ i' Z很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>- g0 ]) g1 Q, G8 F5 A, ]6 y5 b$ l
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' y; O+ N- Q0 ~( u* B9 @4 V; e

, D+ s1 v# e+ ^) N; `又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
9 J7 K2 Z. \4 m9 U5 j' m' k還有電容也要加& j, j  H$ G" ]% S! c
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: `% y; `, ~. F  b
6 _0 M% p; j9 A. l# w* H7 iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 [7 l+ p2 Y7 I4 J
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' b) |$ ]- ?$ z1 ?- h& D6 t$ d+ e

; X2 t4 d; \) t5 V* i) F' b! O( [# W" w, h/ ?9 V
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; |; v0 B7 i+ L5 R! B- j+ D' Y
& y  M2 \; A. F& e如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  `' ~  Y/ z5 N% z1 n
* P( J2 a. Q  z" X6 R
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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