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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; W, y! F$ I9 {! r( ^) ^( [# F# o3 T1 v
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  f4 T/ r! d5 t; `; b5 H大部分是要match
9 T* M( H# F7 u! C0 eMetal poly  density  不夠
/ f; U! }) H7 w% k加ㄉ那些也較 DUMMY
+ G( `3 R1 h* O9 J3 N把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . ]8 k  ?/ k& f+ _. X) s2 c/ G
+ @5 C, ]4 f; j; `- d  Q

2 x, n9 V6 i% f& o, u    感謝樓上的大大) o, {9 O, u+ \
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" b$ i( g- }0 ?3 D, y( u- t- }0 O1 t0 }- r: x3 t8 C: y$ B

. ?% b% \' [) s! i+ I: \    感謝您回覆的這麼的詳細
9 X. x; C& G" Z' p3 R: r您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: u, @& P9 O' n2 `( ]4 h! W, P; d$ F- H4 T# e0 M1 l# z
不過簡單來說: C7 t: \! m1 [# c6 w
在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 }9 E, n' O: `8 v+ n而特性就被損壞; ?' s4 }  E' U  w  Y7 `

+ n( r* {* Y  w* O若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
* }7 g# _8 b! x& P8 ~8 C6 P* z- x! f所以蝕刻吃他最多
, t* X) F# ~4 `- C主要部份特性就不會被破壞
! g5 D! T5 B6 K2 y* W( J1 x0 f) z+ @( B. c0 `  |
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>. d* {0 c  W' C
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ R. w, P7 \( j' y9 B
4 |- g& c9 \4 h又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
  n: f* `) A0 X4 a還有電容也要加' R, ]* S  \% _4 n% v6 [
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) D' G5 l' y( @7 N

0 T0 P" l% \/ |& R+ F2 [3 g+ sand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ {1 o  D2 W% i& n/ ?vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

3 ~% ]# Q4 z8 |! ^' F" l7 u' \0 a. G: W+ l, D4 ~: U! j$ \# |

( f5 ?+ n/ S( ?: l1 g    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# H$ J3 B$ u" v: b3 X9 i
* s! k! p9 D" {6 E" A( d% ]% R如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; Z* n& b' e! ^5 u# ~
7 z4 G4 u; f. P" A
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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