Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54669|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% C$ T+ ]6 B4 C3 L: n* e
( q2 e( Q1 ~* p/ b$ {: g! J
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, W0 A$ B4 a! y9 ~5 l大部分是要match
) I3 `9 x4 z7 FMetal poly  density  不夠# Z; d  s0 A: k" r$ ~6 n' a- T
加ㄉ那些也較 DUMMY
( e  x6 o: |, }: k, ?! d把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) c8 p( @+ P4 f- \3 I& J, x
- a% o: O+ `5 G0 @% j7 q
: R( g) U' b% F
    感謝樓上的大大
, d  o9 e* j5 H; V* J" P   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# f- n3 O9 ?: K, L  Y' h" ^& E3 U5 Z( u; [$ K

2 m" W, N. ~5 P2 O" f% s) v    感謝您回覆的這麼的詳細* L. A2 {- w0 u+ f
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 l: T8 m0 K. f5 c9 ]5 B& G+ k# `) T4 Y4 _7 @, A: I8 a
不過簡單來說
/ B8 p- ?  R" u9 I8 }在製程時食刻會破壞掉你的元件) w2 E# C( V' @- X, ~
而特性就被損壞
; x, ^( x  V6 b' G7 n6 |  T5 h
2 U+ R" W. F8 r/ u" a8 E1 e若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 N: ^# _) Z% U4 O# U  @所以蝕刻吃他最多
( B1 j1 @$ p8 N. B1 u5 ?主要部份特性就不會被破壞: m% n5 p' i1 p4 l: {- _, [  K: p
, E6 ?4 A! ?! J) p8 Q8 t
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>) L' p" J' Q' d; p
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" J5 q' ^5 h* b( {  D$ y0 L- K
* x% x7 D! P  z# Q5 w) m又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 ^/ J: K% N0 Z* h4 T
還有電容也要加- ?1 x0 n9 R2 _5 b% j
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* S; N" ^  R5 t; i2 f) h' ^( l0 X1 f5 r" g  M. W- E& S/ n
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! I: v% a$ {" ^( n. \5 I2 l" mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
! H. ~2 h- s+ A
. M; _, n6 X( ^- Q, y* B8 ^

! u$ q3 N( b2 o2 Z5 k% D' d- H    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, E/ y8 \' V1 R8 R
4 q1 U# s+ I: W  X1 f如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??% Y: i6 l0 v) d2 E) J
6 c) o! P% u& Y2 A
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 09:11 PM , Processed in 0.211012 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表