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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 Z" C# K/ O, ]

6 \( y; r9 K0 L; Q6 f4 {% Mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* T; s7 O% K* @4 a/ ^
大部分是要match
$ Q( [* Z' U! x, o7 UMetal poly  density  不夠
% f. W+ D; C# Y$ Z5 X加ㄉ那些也較 DUMMY
  e% y0 z/ O/ y$ z; h/ G" M$ B把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " B. ]) Z6 H- l! I% S8 ]8 t

9 u1 |# ~/ x; e3 z
5 P, b6 g3 E' a    感謝樓上的大大' d& U6 _* I( W' L4 a! c! V" e8 H
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( ~/ h' {0 N$ `; ]! W9 O% T# Q* m
& s4 U; t& q( m# A
  y9 g  @4 Q/ B4 s; S/ b    感謝您回覆的這麼的詳細
/ \$ n5 [9 [# d8 {7 u6 W0 I您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  m' k' G; ~; j1 }: t8 h& E
6 O- [) d5 M6 B# P
不過簡單來說* t& ~- q9 P3 J% U6 ?" }  r6 [
在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 t& D; \% U' C/ S1 m6 @- _1 I而特性就被損壞
. r# N$ ?" ^  @" h5 g5 M8 I4 O* s( a+ f) E' n) f
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* j& ]( N  D" d: g9 f
所以蝕刻吃他最多" ^& k" X% V: \8 f/ n5 g! i
主要部份特性就不會被破壞
6 e- e2 V: Y& K3 ?) y) ^# u6 S% l1 {% ]0 r/ y) H+ S* M+ V
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 x5 v( q9 p$ F2 Z# m& ?% k% v
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 n8 u/ J5 N4 {, P/ l/ Z# D* R3 l! K; s
7 v. @' R1 J; r+ R6 A又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 e& n/ t8 ^: R: E
還有電容也要加/ ]8 S8 n; _6 a4 D) X$ s
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% Z% `7 I9 z5 T/ i; A8 x
8 u9 X& U- `# R4 V& T3 R
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
; _6 g  {, z6 b8 _2 t5 cvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ O1 Y  t) a$ y4 E- T0 @1 A  l
. v- w& A# c/ h1 e# n$ V
8 m0 \# o0 ]1 e$ C
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 `" G  h9 H& O* q+ t" y- T  E
# {6 m+ x! z* h) Q; m如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  h6 n. i7 D' X3 m* ^

* I5 v/ R( E/ r6 w* K# o; m) q5 d) d數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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