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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
$ d6 t* K6 K: M* [1 i
; H/ m. Y' g- v1 D' f! rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 E; x/ w9 a7 W& Y3 Q
大部分是要match0 N9 @% G3 U. t% k4 D
Metal poly  density  不夠
# b$ c# o. l3 }4 w% q加ㄉ那些也較 DUMMY , j3 R4 R3 u4 G8 L4 f% j
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat " o& N: Y4 E8 B! s" N

8 s6 P1 l2 D$ q* O3 }+ m, s: c! F+ Y) N6 f3 O
    感謝樓上的大大9 x+ K2 l2 V& I" {
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % i6 c6 ~0 ^. m' n* E/ t
! g. ]0 u) ?$ G

2 ]" i3 }! n% S% s: |% h# D% B    感謝您回覆的這麼的詳細
4 m6 l: `$ y- c* o" G8 t% E您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* f* S1 n. U7 @- t9 s$ C/ J' k
; L: \* P8 p/ i+ d2 y7 K0 H不過簡單來說! d+ C. h/ @. L
在製程時食刻會破壞掉你的元件0 j0 C4 ^: z, j+ h% c5 D, y
而特性就被損壞
- w- @! A2 T( I& c$ G, j# Z  \8 v+ u
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 A4 c8 D5 t/ ?" j' f4 X所以蝕刻吃他最多! u" w+ M. X: I  B, b+ i
主要部份特性就不會被破壞- N$ o% V6 }  i2 q( t

: @- |5 P* }" r3 j/ T+ Y很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, ]2 \& Y. a! V2 _& s4 x4 f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( D7 _* X" {" f3 L* O

) \2 j. B9 {" ?% g- S$ ^2 \6 a又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加6 |( F: {: t  H) k/ `1 j
還有電容也要加
# i: h' E' k* Y* g8 [若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, K8 I% B( C9 Q6 e/ c  r1 J

& ~8 ?7 h4 [* t, a  J( o) ^) gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
3 K3 R; t* A7 D- ^2 Y+ B% C3 l+ wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ W; w$ p* p. _/ d: ~- @* D
! }/ ?+ h! S- n5 t  o$ w& l1 X/ k% r
0 n5 c( Q* C9 E% Z. o# s) E    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 c: G" o3 R6 u$ {  `! R2 {  L+ v# r' T, R
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 |  ~& T2 s3 f! w. k# ^
9 j, X. C) h" `數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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