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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
/ W; b0 e! o& F# f( }) m那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
1 h1 r9 \! s. \) j4 J7 p* C8 }2 ]0 q  @2 A- m
假設M1:M2=2:4
8 n+ Q8 X) K+ f0 ]# R! u3 [而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
9 Z7 f& ^. t2 N( i3 U$ x# D  R3 y. l

8 Z# V- _9 h5 b! f但是我個人不會這樣子lay
2 N" Z4 O1 a: g) [, ]6 O( E% ]因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):7 r  }, U0 w  K1 \8 N( G

8 k2 T" I* ~; R8 V- s" W不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
" U6 j* n! {$ _* M" l7 m& J可以以中心對稱。
5 W) m6 t, I8 M
2 q# q6 B; I1 [1 `/ a5 p7 e0 C但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)1 i6 O3 R5 o) y1 u0 \1 ]- p
這樣的,但是M1的接線就有問題了。
  @0 m% s- i5 e; u8 ^0 ?
  _$ c1 L& p$ N9 Z/ D0 O; ]6 O同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的  |: U! G: ~/ C
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:1 Q& D; b0 P* U$ R5 E  O

7 c7 n- g; L% t: E4 }他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。 % o- N$ B1 z2 l/ k
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
# U/ A9 I& ]" g. u* C7 B針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。' \; H$ V0 s- ]7 u5 r

/ v9 T3 R8 Q8 e0 _4 K
) l  c; _0 m; N9 T以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
* \  ^+ i9 D  m5 }他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
$ |! n" `) Z0 z6 @/ U(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?9 L" B) |: f7 X: C' H
我的原案是
' N% C2 @$ C; C6 w- h/ A- HM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY" p- f7 D8 j6 c3 F4 |
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
/ x4 }5 V4 s) `1 _7 R. l我考慮是! B+ S' Y. J  r7 E
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
& N* |! N9 m, H. ]& k2 }$ j) P% a有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~% f0 q9 l, C# m: [4 M* p
要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
% R  o0 n" b" b( M% N" V4 A*********************************************************************************
* U' i' y" g/ w5 U' x0 D各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。8 d& X0 R, L6 L2 W( N0 h2 u
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:9 G& p6 `. [' u1 S

1 ]6 ^! a! L" X7 N) ?假設M1:M2=2:4
" D8 y$ }& Q3 L6 ]/ X而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
6 K* k" ]- X  K" R- ?% D5 b; q6 w
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/ O7 r' t" D, F; g; A) h但是我個人不會這樣子lay) f  u9 V# h- [
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):! n9 R5 m2 z6 h8 t$ V7 K
- q, ]) Y) {4 \3 B2 X. D
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE# D- d8 _0 P0 a3 E: N7 y
可以以中心對稱。
0 f: P$ H) D8 f4 V  U2 y9 |1 Y# Y7 S; l
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
6 M/ A  U4 ~' t: i這樣的,但是M1的接線就有問題了。
1 T$ \! v+ \8 i1 k' m1 X5 U! A: z: F4 W2 }  e
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的" }" |  z  y% {/ m6 K* i& @) [
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
6 h+ D: M$ c# k' o* H( R  ~' W) N9 f& A2 k' Z1 }! T3 k
他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。: a; f( x# l) w, j6 w" @( W& G
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
/ X; D* c" i: M針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
* `0 W' p  P; ~8 s; e. e5 u- {8 C" U) f, ?' R+ q3 n% \
# A# Q: e. m. W, P9 N7 F' S& ^
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。. p2 L$ d; f0 l) I" a: j/ [
他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12* u( h0 O3 j; @- R$ u7 F
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
, W/ c% b- d( `# [. `2 L我的原案是
6 u6 ?( D! U' A1 T3 `M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
7 k( O3 U" [% A  A6 O1 f因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。' D6 z4 y8 \; I) r5 W; x% ^
我考慮是; L1 s, Q/ m$ s& m
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
) p) W( b% s5 |8 u* @有人有比較好的建議嗎?

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。; y$ ]  a$ U' y4 X9 M3 ^1 S
或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,
# [2 `) I' J: E; P3 Q哪個誤差量最少,就使用哪一種。2 }' H& K( n6 A
6 e) x5 b' m0 Z: S1 l+ Q& p
[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可
& w. l; [. _8 p! L! E* t7 W7 @一般我會用C,不考慮面積E也行+ Z7 k- c3 C, x$ Z6 D. x
製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)$ P' x1 c% R. b- K; x6 {
match是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。
! J. E2 K5 n* c但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好
' L5 ]2 M- |0 i: M5 S- Y! y
" d' P1 |- N  M( e) Z2 X2 L可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好
9 p- y/ {$ n* C( p5 x0 h
( j$ n& K$ q. {) }( L2 p7 U8 G"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點+ d, C' u: [# \& ^

, x, D, t* S1 U) W) {9 z5 V: tE的match效果 從製程方面去看 算是比較好
- m7 r9 b: k$ w, G/ Q
. @  u0 X% x" Z, X$ S3 E' Q不過 要用到2層M% J9 m) J8 y2 T9 V- O
7 }1 `# W; {6 r3 R
是不建議 用POLY去做連線
$ W' l3 P4 @# f
- x0 S- x+ A/ W# U/ @就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                 
( @# Y2 u$ j8 K+ l/ G
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份1 H$ O3 [% |2 |- @8 m' ~: F0 [. [9 M
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
- S& N* N0 g/ M" W' c# {; t且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小3 O. u- `" G0 T
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在" P6 I% R* B' _/ X+ K+ E
做速度較快的電路時,差異更明顯,
) `7 o  P) `3 k# g/ c1 R' mE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
; \4 r: M; C# V( w  u7 W! R電容的萃取,都是單獨計算,會比較大4 }! X4 h3 l1 ]" ~
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同9 g4 b" i4 ~( Z1 d1 O  c4 u6 N
而變慢,7 \- C9 ~- k) I% U2 H
所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
6 k5 h7 N! k9 B2 umatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
) D5 V' L: L5 N8 a5 _) D' F7 u比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是  T; _3 Q/ J" D
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!
* X/ A4 G% V0 K6 Q. Y2 J5 L在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………" T" h: a( \! F9 j& R
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。
3 f2 G0 Q, W5 Z5 J8 O$ E
1 k# h  W+ Q7 n( b8 @/ I/ u8 {: |/ \( A$ {
' K9 p! p- k! a" u) y
QQ?房器
8 [8 d' ^$ S2 L6 s3 T3 z1 |4 l9 ^$ v; \/ V
李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@ ' E1 z0 ^7 w. G
可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎 / m; z3 s1 F! |/ X( R( c/ }
還是是我自己or 系統的問題. v1 s0 M" s* |- G% Q+ d8 h
謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解
/ H* D& g) L2 I+ B- \% K只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM/ g8 X6 [! x' @6 T# T
我再重貼一遍7 d! K/ {# S/ l
*********************************************************************************" T8 ~3 ]1 _% @4 X1 [* @4 ^4 R
各 ...
) D7 B7 A. g& m& l% b
謝謝大大的圖文解說,受益良多
3 c" j5 q0 w1 a7 g; P
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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