|
C方式在萃取RC時,共用S D的部份1 H$ O3 [% |2 |- @8 m' ~: F0 [. [9 M
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
- S& N* N0 g/ M" W' c# {; t且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小3 O. u- `" G0 T
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在" P6 I% R* B' _/ X+ K+ E
做速度較快的電路時,差異更明顯,
) `7 o P) `3 k# g/ c1 R' mE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
; \4 r: M; C# V( w u7 W! R電容的萃取,都是單獨計算,會比較大4 }! X4 h3 l1 ]" ~
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同9 g4 b" i4 ~( Z1 d1 O c4 u6 N
而變慢,7 \- C9 ~- k) I% U2 H
所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
6 k5 h7 N! k9 B2 umatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
) D5 V' L: L5 N8 a5 _) D' F7 u比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是 T; _3 Q/ J" D
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |
評分
-
查看全部評分
|