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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。$ x; i2 i( w- H; d4 r
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
0 \* m. a6 `: w  q. M. ?. ~# h- Q( D( G$ {1 U' [$ m. c  _/ [; Y
假設M1:M2=2:44 M2 L! K8 d9 ^0 Q" v
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
9 u+ |; b: w8 g8 N* @- J9 D% [
) Z# G3 u! L4 h; [
. Y2 f6 k2 ]5 P( z4 o, B' T但是我個人不會這樣子lay
9 }* {; j" o1 y* ~8 h因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
) P5 Q( ^+ _; [4 w# P
- Y0 f+ f/ A) D不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE% x* [; l5 N8 C8 ^$ P
可以以中心對稱。
1 A: t9 X& |: i' ~* j' f) g" t$ u. |& X+ N5 l0 m
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
, z2 t- o' Y; b6 Z+ H- Q7 o這樣的,但是M1的接線就有問題了。( C6 u' [4 j! U8 _4 o- X
& @1 |" K3 J+ o4 O
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
! I8 ]% v4 z2 \& `  QMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
+ n$ S( z, q  [$ ~" f# `% m; U
, ~# r2 O, W& {  u) G* P他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
1 ?9 {- o' v( Q/ u& U) N; y不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。8 F( ^# b2 v4 ]( W4 f; T
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。2 O0 G! j2 w9 G, t) _. S
/ V6 Y- r  f: b# P- O$ U
# p. I9 q3 m  Y8 `
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。! E8 c8 v/ o8 [: w
他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
* w' g6 S$ k7 T0 W6 J3 F4 m(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
2 ]2 R3 E! j' w9 ?* [" `' G3 }我的原案是
' A; `, X5 P: B# @! w# h0 g- HM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY# x" ^  {- w% B- R" }5 X
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
% F3 D) Q" s/ c8 r6 I1 n我考慮是. |% f- x* M4 U7 k# a
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
8 v; `- |5 [' i- S7 R# z  D有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~
, x8 S  Z  |8 |3 J4 G要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍) _/ l9 }7 W1 t
*********************************************************************************4 c# A' t$ @. g' b
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。1 _# v- x5 i& T3 \; w" O! H; B1 R
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:. \3 |# m( @3 W# M( r

# C4 C3 m8 M% z4 R* Q假設M1:M2=2:4
  J+ c" r. y2 v, R7 v$ B而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
3 U" z# A! x. F! J0 t( L5 @
. v( u& z/ o5 I2 [! {1 [
/ W+ H+ H' {6 N; B- s" h7 p2 \' d但是我個人不會這樣子lay' t1 z4 F9 M, U8 R! T. ]3 R7 p6 z
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):) f1 s( c+ f+ I% z

+ F5 i: K( _: K& H1 z) g7 x" O不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
2 @% ?2 P0 [' _" \3 P3 m; [可以以中心對稱。7 U% T% t, m8 Q) W- ?
* F' u0 q: S) L$ d8 [$ [
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
3 o0 @! Q) ^: w- I這樣的,但是M1的接線就有問題了。
5 D' v7 \" f- Z! F6 F; z; W! K( u$ w: F& i0 X) r4 r' V" M* T, H
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的/ ]7 q% h' r8 P1 u7 ]& W+ m
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
( {0 J1 s! H2 [" ^. d* d4 Y0 z7 J+ C! b
$ M$ y  I$ U' w. b他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。6 I" l" I/ i4 k5 u7 o) x! Q
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
* D2 O8 j* k' T& C$ v針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
3 E. t. P, \1 Z  {- V5 H4 K% a" J% f6 w. H

4 D6 x& E" H" D: N以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。- Y1 @1 n# n1 f$ N
他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12  s% ~5 j  M1 x$ V. F3 i' k
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?  O3 B* V+ O. K: g
我的原案是; \7 X3 a% T0 l4 s8 e( ]
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY8 s2 V3 p! M4 Z( I' |; R8 u% G
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。% v# m% Y' L) {9 E% j4 R
我考慮是
5 k* J4 \2 }# E5 ]M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
5 g5 g- a8 [. Q: |' N1 g$ P" e有人有比較好的建議嗎?

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。
, M* b; R0 z' e5 L或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,
& y8 O4 M2 [, D/ {; S哪個誤差量最少,就使用哪一種。
; h0 p8 I: }9 p5 v+ @7 |
* V: ^# Z( B% ?3 y1 W! s[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可6 e4 K. N' f) C  U5 z5 \5 S& m
一般我會用C,不考慮面積E也行" v  }& D# Q& _
製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)
( ]$ b/ B" Y. C4 t  c" Z( amatch是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。
1 e! x8 y6 S# e: i但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好
& V3 |4 F; E$ f  w4 r' o. l, }+ P: U) _) ?7 @  [) S) E0 ~# X- I
可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好2 T: B5 X/ J+ G" o4 a: r8 ^
/ @& H0 Y6 l) @  d/ g5 g+ k# M2 u+ j
"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點
, I, K' T& ?# J5 |# a' J0 f
1 e0 r) m! J! `0 X$ h2 YE的match效果 從製程方面去看 算是比較好; P' C+ S: j' N3 I4 u

' H) R7 u$ L% G$ e7 W不過 要用到2層M# O: ?! _! Z9 Q3 [. W, D5 S; E6 C3 z

3 {! o1 Z/ C# d3 U是不建議 用POLY去做連線
3 ^% q9 e! Y6 K3 X8 |- h$ U# u
6 V& h) [/ F+ J0 u2 g: C9 a: x2 X就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                 
$ ~  ?1 v; Z; ]9 s" z9 C
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份( h7 S) I, @; Z; x: f6 `+ ~
它會除二,平均分給兩顆各一半一半6 c9 S" G! f7 \5 q
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
, k# _8 t# z# @  i,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在1 V+ X# Q+ \: C# g7 v: e" y" x
做速度較快的電路時,差異更明顯,
2 h7 G: h0 T  u9 Q( F9 B+ i+ R, ~E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生7 X: v. O9 I9 U3 Q; @% |2 D
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大: V- X- R- \) }0 G* u
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
: ^, Z2 a- {9 L9 z& k3 A3 u8 v( ?而變慢,
/ n( N% v3 _$ @9 I3 K所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
7 q0 h2 p& E" T& f, amatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
7 ^/ M3 L( T9 f9 r比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是' n* z& i9 L+ @4 G. s* D
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!) }+ \$ O+ {7 b; ~
在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………
- m0 q: `4 w5 n
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。
- y$ S  O8 ?: C: M/ j! Y$ ~* A4 w7 @- w
6 b. M% q% x) m7 H8 ~
  Q8 @6 Y; x" G! }" w2 V
QQ?房器
1 i! o3 M/ x. G$ p, M# s% Z* c$ ~0 D3 N/ ]" }7 u
李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@
$ w7 u- @/ z4 p7 X4 B9 y9 M. P1 ~可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎
# [0 I3 M% O. q8 ~) Q; ]還是是我自己or 系統的問題" c1 s2 w- H2 O! U: c) ~
謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解
8 Y+ r$ S0 |" H只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM
8 B1 R3 a5 I8 H/ N- G6 g我再重貼一遍
* `) D* c& D; C8 A/ [, V" r" {*********************************************************************************7 g) ]0 e+ T7 K' R
各 ...

# ]- M6 v- V9 F/ x, S謝謝大大的圖文解說,受益良多# ]6 M3 n9 J- _/ B$ R: K
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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