C方式在萃取RC時,共用S D的部份( h7 S) I, @; Z; x: f6 `+ ~
它會除二,平均分給兩顆各一半一半6 c9 S" G! f7 \5 q
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
, k# _8 t# z# @ i,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在1 V+ X# Q+ \: C# g7 v: e" y" x
做速度較快的電路時,差異更明顯,
2 h7 G: h0 T u9 Q( F9 B+ i+ R, ~E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生7 X: v. O9 I9 U3 Q; @% |2 D
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大: V- X- R- \) }0 G* u
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
: ^, Z2 a- {9 L9 z& k3 A3 u8 v( ?而變慢,
/ n( N% v3 _$ @9 I3 K所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
7 q0 h2 p& E" T& f, amatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
7 ^/ M3 L( T9 f9 r比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是' n* z& i9 L+ @4 G. s* D
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |