用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
+ J$ K3 b  d8 m% S: P因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
. ~, ]( k, S5 r% H( p1 I1 a但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
0 y* ~" G# C5 |! M1 l3 OBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
6 v: K7 A9 G  A" x  s% m5 }也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
. _4 ?2 B! W; Y建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
# \% \1 X9 T# [& W
9 c/ A# u* \7 M3 t0 R/ T( s6 w( `哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
9 H, L+ e% J8 L/ H/ q$ Q$ s.dc vin 0 5 0.1
....
.....
.......
' H  f5 w- I- P% {* m' w1 H* M.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
# J: u# b( [4 O- p0 Z  |8 c8 Q9 [
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
8 _$ {6 O: m- }5 L+ k而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值