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[問題求助] 陶瓷電容怎樣分析

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1#
發表於 2008-11-10 15:30:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近在量測陶瓷電容發現很大的問題,原本查出原因是電容只有1M ohm,但是點久了會回覆10M ohm 後產品就正常了,加焊電容也會恢復,但是用x-ray 看又看不到有錫絲殘留,用三用電表量測幾次也會恢復,拆開電容重新焊也會回復,是否是電容內有何問題?要怎樣機台量測維持原狀電容不要讓她回復10M ohm 又可以找到原因,不知到哪位大大對於電容精通,可以幫忙一下,感恩感恩
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2#
發表於 2009-3-10 22:31:18 | 只看該作者
你好我以維修電路板的經驗來分享
. {; U6 o! ?7 Z. l; e; D" [之前有遇過電阻用電錶電容表良都正常
, a: v, }, I% k. u, D但在板上運用在濾波上功能就無法正常7 ]9 P+ Y( V( _1 s, h
後來是用一總VI分析儀找出好壞電容的差異% @( A" x# U0 t# a. o+ \
不知道對你是否有幫助/ n# t3 `2 T% _% j' E' I5 K, a
cuban@pic.com.tw
3#
發表於 2009-4-22 14:24:48 | 只看該作者
通常絕綠阻抗有問題,絕大多數是本體有crack- z5 i; J) W$ v7 n
可以試試用X光機看一下是不是內部有受損
4#
 樓主| 發表於 2009-4-22 18:38:23 | 只看該作者
總於可以解決了,陶瓷電容因為裡面層次非常密,使用X-ray 無法分析,除非使用高阻計量測,量測IR 特性,如$ a$ i0 Q: u" F5 x* L6 }' s- @
設備:HP 4339(HP是品牌惠普,後面是型號): H) M! [" _# W: \/ h9 I
測試方法:以一倍額定電壓(10V)充電60秒量測* q8 n2 j( D: E: D$ [
. x! s; t7 w; s) W# j
可以量測,並且當初用Thermal shock 沒有多大作用,但是改用 HAST  or pcT test
% l; E0 N' y3 j1 A' @水汽進入IC封裝的途徑:7 B$ k+ r  i$ x! ^3 }$ y
1.IC晶片和引線框架及SMT時用的銀漿所吸收的水
9 Z  Z% f- m# T, X2.塑封料中吸收的水分* h1 ]1 K6 G5 |+ {& x
3.塑封工作間濕度較高時對器件可能造成影響;
  j$ l* U& J" O1 J+ w0 o4.包封後的器件,水汽透過塑封料以及通過塑封料和引線框架之間隙滲透進去,因為塑膠與引線框架之間只有機械性的結合,所以在引線框架之間難免出現小的空隙。3 j8 t' B, Y# A! `
備註:只要封膠之間空隙大於3.4*10^-10m以上,水分子就可穿越封膠的防護
9 Q& e( b2 y0 }  A$ R備註:氣密封裝對於水汽不敏感,一般不採用加速溫濕度試驗來評價其可靠性,而是測定其氣密性、內部水汽含量等。
) B9 m! N  \' ^  b
& \. _1 Z4 o) m/ H$ @2 K5 }說明:PCT試驗一般稱為壓力鍋蒸煮試驗或是飽和蒸汽試驗,最主要是將待測品置於嚴苛之溫度、飽和濕度(100%R.H.)[飽和水蒸氣]及壓力環境下測試,測試代測品耐高濕能力,針對印刷線路板(PCB&FPC),用來進行材料吸濕率試驗、高壓蒸煮試驗..等試驗目的,如果待測品是半導體的話,則用來測試半導體封裝之抗濕氣能力,待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環境下測試,如果半導體封裝的不好,濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之介面滲入封裝體之中,常見的故裝原因:爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短路..等相關問題。. S/ H9 ^4 {( f/ O- k' m5 w5 T" q
目前測試有兩種.一種為飽和蒸汽.既測試條件為121度,箱內壓力為2.04個標準大氣壓.其內部濕度在一般能保證在100%.測試時間分48H和96H兩種.主要應用於LCD和被動元件等封裝元件.
$ S/ B5 g" b" h/ _: Z另外一種為非飽和蒸汽.即在溫度高於100度時,箱體內濕度可以在70%-100%可以調節控制.此設備架構比較緊密,價格相對來說比較高.目前市場上好像日本的TABAYI,和德國的可以做.國內有這樣的設備廠家也為數不多!
: f" `1 k) q( |5 Y2 l
# `" X! w; x3 [飽和蒸汽測試應符合:GB2423-2-1-89 、 GB2423-3-2-89 ( U; ^0 n4 R) ~9 v5 N
2 k6 e9 r. l& M* c! L. e, \, R
不飽和蒸汽測試應符合:IEC-60068-2-66
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