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[問題求助] 小弟不才不懂Current References中的VDS為何都會相同????

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1#
發表於 2012-8-21 20:12:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

! ^; S) \' }7 [; t) T( M: J
6 s* K8 P- G: D( }5 L& w9 n不管N或P都一樣2 Z! v  p) O9 o6 g+ M2 R2 v
是VDS不是VDS(SAT)

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2#
發表於 2012-8-22 15:05:39 | 只看該作者
回復 1# power51920 % s5 H$ L$ y+ `+ R0 f
+ e- R, u* q. C/ ^: w

& ?7 n4 q3 {" `: b2 b    Id一样,VGS一样,难道Vds不一样么?公式就直接可以看出啊,前提是P管和N管的W/L相同。
3#
發表於 2012-8-22 16:00:40 | 只看該作者
你好 小弟對這個圖案有點意見從MP2、MN2的接點看入,上面看入的阻抗是1/gm,p2。往下看阻抗是ro,n2
- O) H% ]3 H( H) e% t,而在MP1、MN1的接點看入,上面看入的阻抗是ro,p1。往下看阻抗是1/gm,n1。- p1 K0 N) e$ U8 C
而照理來講一個非理想的電流鏡,因該vds電壓的分配也會不太一樣,因此電壓也會不太一樣就是,小弟陋見還請各位大哥多指教。
9 `+ L9 ^. N$ c另外二樓的觀點我也有疑惑,當pmos跟nmos尺寸一樣,但是N跟P的載子移動率也不同,所以我覺得看入的VDS電壓也會不一樣才是。
4#
 樓主| 發表於 2012-8-24 17:21:00 | 只看該作者
2樓!!你說的那個公式應該是VDS(sat)=VGS-VT   這只是考慮最低的VDS電壓
9 f# ]1 R" N) @) j5 L  I
# G1 |* q; W* e8 g三樓!!!我也是有一樣的想法!!!但是我是用Hspice跑過!!!我看lis黨是一樣的!!!不管P或N
5#
發表於 2012-9-16 23:41:44 | 只看該作者
实际跑仿真应该会有些差别。除非电流完全一样。
6#
發表於 2012-9-27 07:43:46 | 只看該作者
電流不一樣,VDS是不會一樣的。
3 d9 H2 D9 }% U- Z' Q: c& A+ T' ^' I, f/ k. o+ ?, v
用電阻分壓原理來想,便可知道為什麼!
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