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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
8 w  t9 W0 `/ l" YESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
$ z0 Z  T( w8 \0 S! U- U' n6 s1 k7 u7 x, I3 `: ^$ C; M
Esd test summary:" H1 J" O4 B1 k4 x  F
- o; V+ I6 A0 H( T
ESD TEST
2 n) D2 X  R) E& v1 F+ M8 e2 l  s+ |/ v3 C# g
* i: [) \- V- G! T1 ~* p7 f9 Y8 J
PAD, B& d2 i/ w8 {5 s

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
7 N) W1 `& H5 Q9 b+ @1 |5 G. f5 |3 l* t9 n
整體佈局
# c5 e6 v6 T8 P) f* D& w$ B3 A( J- ~% e) U) |) l
pad    layout) J8 O9 u9 u: I) ?6 s
vdd&pin 28-38,1  esd protection
8 ^' x- S9 ^" P+ U. l1 d0 }
: m6 F  ~) s. N8 S% Upad 39 40 esd  protection
& s- [- Q1 G6 E, o" D) N' |2 M9 K6 s# Y9 l1 s
gnd &pad7-14 esd  protection
8 y/ F3 k* y9 D  e

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 ; }4 W9 U4 H6 e: H9 V) K" V3 x6 g
/ J# J' h. P( Z- Q6 l, J( |

" n0 n8 Q# d7 l' n" C/ ^" v+ P    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 7 `& m" S: x+ V" ~) m  a* ~

0 n7 b( O; W6 g1 x  l, L* k1 w3 ?3 |
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
5 ~; S' q) C) [. q! ~可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
  m7 J3 v  T& v6 S% g& z1 ]' [& r4 Z* p
/ W; S' C8 C% G' B
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong- r! d! M" H: P" k. Y
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712   l6 o! v! i0 W" p/ v/ s
1 D3 v; T! Y$ d; }& W. P( h

* S/ g/ `8 |; e+ i! L2 o4 C' ~    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 / d  L" X! i2 P7 {/ F
- ^" N7 w" i2 f6 n3 e% I0 K3 Y3 B
回復 12# jian1712
7 {: O5 Z& z* J  {+ ^( P9 i0 U( Z. n/ c# D# W

2 l$ x5 X# ^0 s. b$ W5 u. s: a; t" T1 I    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
' \8 z5 i: V2 v2 F& ?: q7 m- l! T

8 U7 V+ o( D- H  ]) x  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
% H7 I/ f+ w) U9 {5 J
# {2 l# o' h" V; b6 P5 i4 B- m2 K
( O, B8 J9 V9 T   
1 q2 a* Y: L) S/ c& y- b, h2 e7 ]' p9 C! S% B
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun . v" U) _3 L/ X' i# H9 l0 V' i0 z

/ C* K) y2 @7 z# y2 C
. [) K& T: {# F5 ], [! |1 t    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,* s8 ]* F0 {  H/ K
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
1 I+ a' o% t0 k0 d. M這是相當容易造成gate端燒燬,
$ C  b! G9 B7 f! }5 `給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
# r3 U" J2 S8 \8 b3 }而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
5 j, b8 V, X7 f& R, |4 R如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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