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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.) V+ K. l! a6 \: r8 ?" W9 k# [
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
% v" Z1 ]+ h% m2 |! p( C4 j
4 e& D0 V. M: \" I) `- c8 t0 yEsd test summary:
; K+ v- }" J" A9 L$ q$ K3 h. M( o% C$ X# U, [2 ]+ F* w& |& {$ V
ESD TEST 9 {; z! R3 B9 E9 ~

5 X* P% g: H* ?1 K% \$ [" b' e2 R- r0 l9 |$ Y' _* h) [
PAD
' n) e) D5 d  C0 e4 M& ~! v

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong ; k0 p: o8 J% r7 k* C# x9 ?! r9 f& k

) A2 H6 h: r% c3 ?8 `9 X整體佈局" a  r# G. q3 r1 b. N

8 k* r6 R: k* v% K+ g% |pad    layout8 Y# I+ s$ o; Y, n0 d- K& ~% a
vdd&pin 28-38,1  esd protection
6 h5 ^; @2 g" q# v, V2 y' }* L% g) J; m" x( [4 ?
pad 39 40 esd  protection
4 O. d% S* Z- w! U8 U6 h
8 W# Q( S. a$ n, E$ Lgnd &pad7-14 esd  protection
/ R" ?# u4 J; }3 P9 K4 E

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
4 N" H9 q- K, S
- F$ k% B! C2 [$ y  B5 e# N
, a* e8 \, k7 R1 E. _+ D% v) U    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? ' r( m# K; k8 h5 Y

3 \2 P3 ^# x( P) J* y4 b; P  m$ J+ T" m% h! T/ R) a5 v
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong - a3 [9 Q- h- U+ N. |; g9 R, b/ ~
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
6 g" e- j  t# `, \1 E- d  O! h6 D) K+ N* g  S0 Q5 X

& d% y7 L2 M- `+ q   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
( _1 M2 ~. i1 x+ ^/ I" n  h( e8 x我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
6 W- d8 i1 E6 M8 E+ ^6 }- m/ t7 o& ?7 J- B" v6 }6 [/ q! Y+ F. T8 P
& [, n! L5 {, X1 u% r! _3 j
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 - _' U' S: c7 z& `: q
8 T# L9 `  X' d2 Z
回復 12# jian1712 ( u; y8 B: W) N; y; G) Q

0 c2 O2 H( r% T( d, a
4 R  X# h# S8 \7 h* V( Z7 @# ^, d    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。9 |. h) \7 P, c7 \. ^1 g

9 J9 V, o) K$ t7 j$ j& Z1 m$ Q0 D( h% H7 C$ d9 `  s9 V7 y
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 % [+ r/ p6 G7 S9 q+ I3 Q" n1 P
2 l: T% ?' R# O4 L. y6 Y
1 O- t# V6 ~8 A# l2 H/ G
    * `6 _0 x+ [, @" o" s% g0 y+ E. X
1 o5 d4 M% o4 k% p
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun ; I6 K- A2 a8 @% K2 A9 B  u

9 O+ i6 @* M8 d. l2 L4 q  P" F& Z' D& t# |
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,$ E/ |+ B+ z* ?! E* j/ r
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,9 l6 j" |0 @+ T3 I
這是相當容易造成gate端燒燬,
; G$ I8 r  a9 I, \7 n: M給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好," B' U: M1 N2 v$ a7 O+ A2 @, F% ^
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
, V6 Q- t! J! N% ]9 @( J  i如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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